测量了中低能质子致氘化钛和氘化锆二次电子发射系数。结果表明,20 n A/cm2束流下各二次电子发射系数与其电子能损近似成正比,比例因子Λ较Sternglass理论值偏大约50%,表面吸附层影响二次电子发射系数。束流密度为7μA/cm2的100 ke V质...测量了中低能质子致氘化钛和氘化锆二次电子发射系数。结果表明,20 n A/cm2束流下各二次电子发射系数与其电子能损近似成正比,比例因子Λ较Sternglass理论值偏大约50%,表面吸附层影响二次电子发射系数。束流密度为7μA/cm2的100 ke V质子束长时间测量时,二次电子发射系数γ和正比例因子Λ在前100 s内快速下降并逐渐稳定至理论值。展开更多
文摘测量了中低能质子致氘化钛和氘化锆二次电子发射系数。结果表明,20 n A/cm2束流下各二次电子发射系数与其电子能损近似成正比,比例因子Λ较Sternglass理论值偏大约50%,表面吸附层影响二次电子发射系数。束流密度为7μA/cm2的100 ke V质子束长时间测量时,二次电子发射系数γ和正比例因子Λ在前100 s内快速下降并逐渐稳定至理论值。
