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光催化半导体材料在降解水中PPCPs的应用 被引量：2
1
作者 薛文聪 陈雷 李科 《环境保护科学》 CAS 2022年第2期121-126,共6页
随着人们在日常生活中使用药品和个人护理品(PPCPs)的增加,导致水环境中PPCPs污染日趋严重,这对人类健康和生态环境构成巨大威胁。光催化技术具有效率高、寿命长、维护简单和运行能耗低等优点,在处理PPCPs污染方面已经显示出巨大潜力。... 随着人们在日常生活中使用药品和个人护理品(PPCPs)的增加,导致水环境中PPCPs污染日趋严重,这对人类健康和生态环境构成巨大威胁。光催化技术具有效率高、寿命长、维护简单和运行能耗低等优点,在处理PPCPs污染方面已经显示出巨大潜力。文章主要从光催化半导体材料的物理性质上分为金属半导体材料和非金属半导体材料两类进行综述,针对这些半导体材料存在的问题,提出了通过金属离子掺杂、功能材料负载、表面贵金属沉积和半导体复合等改性手段来提升其光催化性能。 展开更多
关键词 光催化 PPCPS 纳米材料 金属半导体材料 非金属半导体材料
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一种检测用气敏传感器材料制备及应用效果
2
作者 邹英杰 刘延锋 《化学工程师》 CAS 2023年第12期112-115,共4页
针对传统金属半导体气敏传感器在甲醛气体检测时灵敏度低和选择性差的问题,通过静电纺丝法制备基于复合纳米材料的气敏传感器,并对制备的材料及传感器性能进行验证。结果表明,本实验制备的复合纳米气敏材料呈现网状,且氧空位更多,同时含... 针对传统金属半导体气敏传感器在甲醛气体检测时灵敏度低和选择性差的问题,通过静电纺丝法制备基于复合纳米材料的气敏传感器,并对制备的材料及传感器性能进行验证。结果表明,本实验制备的复合纳米气敏材料呈现网状,且氧空位更多,同时含有Cd^(2+)和In^(3+)的特征峰;传感器性能测试表明,传感器的最佳响应温度为133℃;传感器的响应时间和恢复时间分别为7s和13s,明显少于单一材料的传感器响应时间;浓度特性测试可知,在不同甲醛浓度下气敏传感器的响应浓度表现出良好的线性关系,相关系数R2=0.9983;在性质接近的复杂气体环境测试中,本实验制备的传感器可准确的测量甲醛气体,而且不受干扰。由此可见,本实验制备的气敏材料及传感器具备较高的灵敏性和可选择性。 展开更多
关键词 气敏材料 重复特性 金属半导体材料 响应性能
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改性g-C_3N_4在光催化领域的研究进展 被引量：10
3
作者 林江 毛晓妍 +4 位作者 金成丽 王玉新 奚立民 陶雪芬 金银秀 《化工科技》 CAS 2017年第5期73-77,共5页
介绍了石墨相氮化碳(g-C_3N_4)的电子性质、能带结构以及光学性质,讨论了各种提高g-C_3N_4活性的重要方法、机理及其优缺点,主要有掺杂改性、表面形貌改性、半导体复合改性等手段,简述了目前g-C_3N_4存在比表面积小、载流体复合率高、... 介绍了石墨相氮化碳(g-C_3N_4)的电子性质、能带结构以及光学性质,讨论了各种提高g-C_3N_4活性的重要方法、机理及其优缺点,主要有掺杂改性、表面形貌改性、半导体复合改性等手段,简述了目前g-C_3N_4存在比表面积小、载流体复合率高、电子传递速度低等问题,并对g-C_3N_4的未来发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 g-C3N4 石墨相氮化碳 光催化剂 非金属半导体材料
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可见光响应Cu-Cu_(2+1)O复合材料的水热法一步合成 被引量：8
4
作者 李长玉 刘守新 马跃 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第8期1555-1560,共6页
采用水热合成法,以Cu(NO3)2为原料,乙二醇为溶剂和还原剂,聚乙烯吡咯烷酮k30(PVP)为表面活性剂,一步合成可见光响应Cu-Cu2+1O金属-半导体复合材料.采用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和紫外-可见漫反射光谱(DRS)观测复合材料的相... 采用水热合成法,以Cu(NO3)2为原料,乙二醇为溶剂和还原剂,聚乙烯吡咯烷酮k30(PVP)为表面活性剂,一步合成可见光响应Cu-Cu2+1O金属-半导体复合材料.采用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和紫外-可见漫反射光谱(DRS)观测复合材料的相结构、表观形貌、粒子尺寸和光谱特征.以苯酚为模型物,氙灯照射下测试催化剂活性.结果显示表面活性剂PVP的加入对产物晶相结构不产生影响,但促进Cu2+1O还原,并影响Cu和Cu2+1O两种粒子的尺寸分布和界面结合,进而影响产物的催化性能.活性测试结果表明,Cu-Cu2+1O金属-半导体复合材料具有可见光催化活性,其对苯酚降解符合一级反应动力学. 展开更多
关键词 光催化活性 可见光响应 Cu-Cu2+1O 金属-半导体复合材料
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金属氧化物半导体材料催化高氯酸铵热分解的研究进展 被引量：3
5
作者 霸书红 才思雨 冯璐 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期460-470,I0008,共12页
金属氧化物是由金属阳离子和氧阴离子通过离子键合排布成不同晶体结构的一类离子型化合物。部分金属氧化物的d壳没有被完全填充,使它们具有各种独特的性能,如宽的能带间隙、高的介电常数、活跃的电子转移能力以及优异的导电性等,因此在... 金属氧化物是由金属阳离子和氧阴离子通过离子键合排布成不同晶体结构的一类离子型化合物。部分金属氧化物的d壳没有被完全填充,使它们具有各种独特的性能,如宽的能带间隙、高的介电常数、活跃的电子转移能力以及优异的导电性等,因此在催化领域得到了广泛应用。本文介绍了单一金属氧化物、复合金属氧化物、掺杂金属氧化物和负载型金属氧化物四类半导体材料催化高氯酸铵热分解的研究现状,探讨了催化机理和影响催化效果的因素,分析得出P型金属氧化物半导体材料的禁带宽度越小,费米能级降低,逸出能越大,催化作用明显;对于N型来说,禁带宽度越大,费米能级升高,逸出能越小,催化效果越好。为了充分利用金属氧化物的优点克服其缺陷,常在金属氧化物中引入杂元素形成离子晶格缺陷和制造新的局部杂质能级以改变电子的跃迁,从而提高金属氧化物的催化性能。不论是复合金属氧化物,还是负载型金属氧化物,均存在对高氯酸铵的正协同催化效应。开发禁带宽度小的多孔纳米管P型金属氧化物、掺杂型金属氧化物和负载型金属氧化物材料仍是人们关注的重点。探索以高氯酸铵为基的核壳型复合材料、P-N结金属氧化物半导体催化材料以及探究载流子在两种半导体P-N界面间的迁移规律,有望成为提高催化效率的新途径。 展开更多
关键词 高氯酸铵 金属氧化物半导体材料 催化剂 禁带宽度
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