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碱溶液修饰硅纳米线阵列绒面 被引量:4
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作者 蒋玉荣 秦瑞平 +3 位作者 边长贤 杨海刚 马恒 常方高 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期130-134,共5页
提出用碱溶液修饰硅纳米线阵列制作太阳能绒面的方法。实验中首先采用金属催化化学腐蚀法在Si(100)基底上制备了定向排列的硅纳米线阵列,然后将纳米线阵列浸入碱溶液中进行修饰,修饰时间分别为10,30,50,60,90s。通过扫描电子显微镜(SEM... 提出用碱溶液修饰硅纳米线阵列制作太阳能绒面的方法。实验中首先采用金属催化化学腐蚀法在Si(100)基底上制备了定向排列的硅纳米线阵列,然后将纳米线阵列浸入碱溶液中进行修饰,修饰时间分别为10,30,50,60,90s。通过扫描电子显微镜(SEM)对硅纳米线阵列进行形貌分析,采用太阳能测试系统附带的积分球测量纳米线阵列绒面结构的反射光谱。通过测量和分析发现硅纳线阵列在碱溶液中修饰30s时表面分布均匀,在400~1000nm波段的综合反射率低于4%。结果表明碱溶液修饰纳米线阵列的方法能够有效分散束状硅纳米线阵列,明显降低绒面的反射率,并且初步分析了碱溶液修饰硅纳米线阵列的分散机理。 展开更多
关键词 材料 硅纳米线阵列 减反射 金属催化化学腐蚀 各向异性
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多晶硅表面金属催化化学腐蚀法制绒研究现状 被引量:1
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作者 武晓玮 李佳艳 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期570-578,共9页
在多晶硅太阳能电池的生产过程中,金刚线切割(Diamond wire sawing,DWS)技术具有切割速度快、精度高、原材料损耗少等优点,受到了广泛关注。金刚线切割多晶硅表面形成的损伤层较浅,与传统的酸腐蚀制绒技术无法匹配,金属催化化学腐蚀法... 在多晶硅太阳能电池的生产过程中,金刚线切割(Diamond wire sawing,DWS)技术具有切割速度快、精度高、原材料损耗少等优点,受到了广泛关注。金刚线切割多晶硅表面形成的损伤层较浅,与传统的酸腐蚀制绒技术无法匹配,金属催化化学腐蚀法应运而生。金属催化化学腐蚀法制绒具有操作简单、结构可控且易形成高深宽比的绒面等优点,具有广阔的应用前景。本文总结了不同类型的金属催化剂在制绒过程中的腐蚀机理及其形成的绒面结构,深入分析和讨论了具有代表性的银、铜的单一及复合催化腐蚀过程及绒面结构和电池片性能。最后对金刚线切割多晶硅片表面的金属催化化学腐蚀法存在的问题进行了分析,并展望了未来的研究方向。 展开更多
关键词 金刚线切割 多晶硅 金属催化化学腐蚀 制绒 综述
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硅纳米线的制备与热氧化处理
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作者 逯小慈 李常青 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期131-134,140,共5页
采用金属催化化学腐蚀法制备硅纳米线(SiNW),并进行热氧化处理。制备的硅纳米线的线径减小。研究了热氧化处理对硅纳米线线径的影响。利用光电显微镜和扫描电子显微镜(SEM)观察实验结果,刻蚀后形成了长度为100μm、线径为100nm的排列整... 采用金属催化化学腐蚀法制备硅纳米线(SiNW),并进行热氧化处理。制备的硅纳米线的线径减小。研究了热氧化处理对硅纳米线线径的影响。利用光电显微镜和扫描电子显微镜(SEM)观察实验结果,刻蚀后形成了长度为100μm、线径为100nm的排列整齐的硅纳米线。在温度为400℃、时间为20min的热氧化处理后,硅纳米线的线径由100nm减小至50nm。这表明,通过热氧化处理后的硅纳米线具有更小的线径。 展开更多
关键词 金属催化化学腐蚀 硅纳米线 热氧化处理
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多晶硅片表面金属催化化学腐蚀法制绒研究现状
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作者 钟峥 《中文科技期刊数据库(引文版)工程技术》 2021年第7期332-332,共1页
在多晶硅太阳能电池的生产过程中,金刚石线切割技术具有切割速度快、精度高、原材料损耗少等优点。金刚石线切割在硅表面形成的损伤层较浅,与传统的酸蚀工艺不相匹配。金属催化化学刻蚀具有操作简单、结构可控、易于形成高深宽比绒面革... 在多晶硅太阳能电池的生产过程中,金刚石线切割技术具有切割速度快、精度高、原材料损耗少等优点。金刚石线切割在硅表面形成的损伤层较浅,与传统的酸蚀工艺不相匹配。金属催化化学刻蚀具有操作简单、结构可控、易于形成高深宽比绒面革等优点,具有广阔的应用前景。综述了不同类型金属催化剂在制绒加工过程中的腐蚀机理和织构结构。对银、铜的单一和复合催化腐蚀过程、织构结构和电池性能进行了分析和讨论。最后,分析了金属催化化学腐蚀在硅片表面存在的问题,并对今后的研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 金刚线切割 多晶硅 金属催化化学腐蚀 制绒 综述
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