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阱宽对GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As量子阱红外探测器光谱响应的影响 被引量：4
1
作者 胡小英 刘卫国 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期419-423,共5页
采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长了两种不同结构参数的GaAs/Al0.3Ga0.7As红外量子阱材料,利用傅里叶光谱仪,分别对阱宽为4.5与5.0nm的样品进行77K液氮温度下光谱响应测试及室温光致发光(PL)光谱测试,样品的峰值响应波长分别为8... 采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长了两种不同结构参数的GaAs/Al0.3Ga0.7As红外量子阱材料,利用傅里叶光谱仪,分别对阱宽为4.5与5.0nm的样品进行77K液氮温度下光谱响应测试及室温光致发光(PL)光谱测试,样品的峰值响应波长分别为8.39、7.69μm,与根据薛定谔方程计算得到的峰值波长8.92、8.05μm的误差分别为6.36%、4.70%。对吸收峰向高能方向发生漂移的现象进行了分析讨论,认为势阱变窄时阱中的应力作用较强是导致峰值波长红移的原因,而与GaAs阱中进行适度Si掺杂无关。PL实验结果与理论计算相符合,表明增加阱宽是量子阱带间跃迁能量升高的原因。据此可实现对量子阱能级的微调,从而满足对不同波长探测的需要。 展开更多
关键词 量子阱红外探测器(qwip) 阱宽 光谱响应 光致发光(PL)光谱
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Al组分对GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱红外探测器峰值响应波长的修饰 被引量：3
2
作者 胡小英 刘卫国 +1 位作者 周顺 陈智利 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期649-654,共6页
为了确定量子阱红外探测器(QWIP)峰值响应波长与势垒中Al组分的关系,建立微观结构表征与宏观特性的关系,设计不同组分含量的实验样品,对样品进行相应的测试,分析探讨了Al组分与理论峰值波长的关系。利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生... 为了确定量子阱红外探测器(QWIP)峰值响应波长与势垒中Al组分的关系,建立微观结构表征与宏观特性的关系,设计不同组分含量的实验样品,对样品进行相应的测试,分析探讨了Al组分与理论峰值波长的关系。利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长GaAs/AlxGa1-xAs量子阱材料,分别制备出势垒中Al组分为0.23、0.32的1#、2#样品。用傅里叶光谱仪分别对其进行77K液氮温度下响应光谱测试及室温光致荧光(PL)测试。响应光谱结果显示,1#、2#样品峰值响应波长分别为8.36、7.58μm,与由薛定谔方程计算得到的峰值波长9.672、7.928μm的误差分别为15.6%、4.6%。利用高分辩透射扫描电镜(HRTEM)对样品进行分析发现,GaAs与AlGaAs晶格的不匹配及量子阱材料生长过程精度控制不够是造成1#样品误差较大的主要原因,说明势垒中Al组分x减小致使量子阱中的子带间距离逐渐缩小,导致峰值响应波长红移。PL实验结果与理论计算相符合,说明改变势垒中Al组分x可实现QWIP峰值波长的微调。 展开更多
关键词 量子阱红外探测器(qwip) MOCVD AL组分 峰值响应波长
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Al0.15Ga0.85As／GaAs与In0.15Ga0.85As／GaAs甚长波QWIPs响应率的仿真对比
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作者 雷玮 郭方敏 陆卫 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期214-216,共3页
对In0.15Ga0.85As／GaAs和Al0.15Ga0.85As／GaAs两种甚长波段量子阱红外探测器（QwIP）响应率进行计算。采用物理模型与等效电路模型，结合Crosslight和Spice等软件详细表征了这两种QWIPs的吸收系数、暗电流、响应率、量子效率等物理特... 对In0.15Ga0.85As／GaAs和Al0.15Ga0.85As／GaAs两种甚长波段量子阱红外探测器（QwIP）响应率进行计算。采用物理模型与等效电路模型，结合Crosslight和Spice等软件详细表征了这两种QWIPs的吸收系数、暗电流、响应率、量子效率等物理特性。结果表明随外加偏压的升高QWIP的响应率增加，T=40K时，In0.15Ga0.85As／GaAs QwIP的响应率明显比Al0.15Ga0.85As／GaAs QWIP高出2倍以上，通过对量子效率的对比，使仿真结果得到验证。 展开更多
关键词 量子阱红外探测器(qwip) A1GaAs/GaAs INGAAS/GAAS 吸收系数 响应率
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GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的量子阱参数设计
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作者 张世伟 齐利芳 +1 位作者 赵永林 李宁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第7期521-524,530,共5页
量子阱参数如势阱宽度、势垒高度和阱中的掺杂浓度决定了阱中的能级分布及光学吸收,它和量子阱红外探测器(QWIP)的响应波长、暗电流、响应率、探测率等特性参数密切相关。为了使设计的QWIP达到预期的各种性能指标,对其各参量进行了精心... 量子阱参数如势阱宽度、势垒高度和阱中的掺杂浓度决定了阱中的能级分布及光学吸收,它和量子阱红外探测器(QWIP)的响应波长、暗电流、响应率、探测率等特性参数密切相关。为了使设计的QWIP达到预期的各种性能指标,对其各参量进行了精心设计。运用量子阱的第一激发态与势垒的高度接近时产生共振效应,进行了量子阱的优化设计,得出垒高和阱宽的关系。另外,根据器件光谱响应的要求,利用传输矩阵法计算出相应的量子阱参数。此设计方法在GaAs/AlGaAs长波-长波双色QWIP中得到了较好的验证。 展开更多
关键词 量子阱红外探测器(qwip) 暗电流 光谱响应 探测率 双色
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多量子阱红外探测器耦合光栅的新型制备工艺 被引量：2
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作者 孙伟业 邓军 +1 位作者 何磊磊 杜欣钊 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第1期66-72,共7页
基于微米球刻蚀技术设计了一种制备多量子阱红外探测器(QWIP)表面二维光栅的新型工艺,通过改变微米球的直径可以为不同探测波长的QWIP制备表面二维光栅,有效降低了制备成本和技术难度。采用GaAs衬底作为实验片制作光栅、聚苯乙烯(PS)材... 基于微米球刻蚀技术设计了一种制备多量子阱红外探测器(QWIP)表面二维光栅的新型工艺,通过改变微米球的直径可以为不同探测波长的QWIP制备表面二维光栅,有效降低了制备成本和技术难度。采用GaAs衬底作为实验片制作光栅、聚苯乙烯(PS)材质小球作为表面掩膜,对小球的单层排布、PS小球刻蚀和光栅的刻蚀等工艺进行了深入的实验研究,并得出了最优的工艺参数。制备出了具有良好均匀性和一致性的二维光栅结构。通过傅里叶光谱仪测得表面光栅的耦合波长为6~9μm。最后研究了不同工艺条件对耦合结果的影响,证实当光栅直径为PS球直径的0.74倍时获得的耦合效果最优。 展开更多
关键词 二维光栅 微米球刻蚀 量子阱 反应离子刻蚀(RIE) 多量子阱红外探测器(qwip)
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低噪声GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器 被引量：1
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作者 邓军 王斌 +2 位作者 韩军 李建军 沈光地 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1018-1020,共3页
提出了一种新结构的多量子阱红外探测器(QWIP)。在常规多量子阱结构的基础上加入P型欧姆接触层,实现以小的隧道电流代替原有的大的补偿电流,从而减小器件的暗电流实现低噪声器件。对器件暗电流的理论计算与实验曲线符合的很好。制备了... 提出了一种新结构的多量子阱红外探测器(QWIP)。在常规多量子阱结构的基础上加入P型欧姆接触层,实现以小的隧道电流代替原有的大的补偿电流,从而减小器件的暗电流实现低噪声器件。对器件暗电流的理论计算与实验曲线符合的很好。制备了新结构器件,其噪声只是同结构的常规QWIP的1/3。 展开更多
关键词 多量子阱红外探测器(qwip) 隧道 补偿电流
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