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GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器
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作者 曲轶 高欣 +3 位作者 张宝顺 薄报学 张兴德 石家纬 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第12期1072-1074,共3页
分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长法生长出 Ga Al As/Ga As梯度折射率分别限制单量子阱材料 ( GRIN- SCH- SQW)。利用该材料制作出的列阵半导体激光器输出功率达到 10 W(室温 ,连续 ) ,峰值波长为 80 6～ 80
关键词 分子束外延 量子阱列阵 半导体激光器 GAALAS
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