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可见光通信感知一体化芯片及关键技术 被引量:8
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作者 王永进 尹清溪 +4 位作者 叶子琪 傅康 王浩 苏宇龙 高绪敏 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第8期2725-2729,共5页
通信感知一体化是6G关键技术之一。氮化镓量子阱二极管的发射光谱和光探测谱存在重叠区,量子阱二极管光探测器能够吸收具有相同量子阱结构的光发射器件发出的短波长光子,生成光电流。该文基于该物理现象,研制同质集成光发射光接收器件... 通信感知一体化是6G关键技术之一。氮化镓量子阱二极管的发射光谱和光探测谱存在重叠区,量子阱二极管光探测器能够吸收具有相同量子阱结构的光发射器件发出的短波长光子,生成光电流。该文基于该物理现象,研制同质集成光发射光接收器件的氮化镓光电子芯片,由于单个量子阱二极管芯片器件自身发光干扰导致感知外界光信号弱,但是收发分离芯片又存在效率低、紧凑性弱、鲁棒性差等问题,将具有相同量子阱结构的量子阱二极管器件制备在同一块芯片上,分别作为发光和接收器件,构建自由空间逆向光通信系统,探索可见光通信感知一体化芯片及关键技术。 展开更多
关键词 通信感知一体化 量子二极管 逆向光通信
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可见光无线传能通信一体化芯片
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作者 王浩 高绪敏 +2 位作者 胡泽锋 张晨辰 王永进 《光通信技术》 2023年第1期25-30,共6页
为了解决水下环境中物联网感知终端的能源供给难题,利用氮化镓量子阱二极管的多功能光电特性,采用兼容的制造工艺,在同一块氮化镓芯片上集成能源、照明、通信和感知等器件,在器件之间实现互联,制备出氮化镓能源通信感知一体化芯片,并对... 为了解决水下环境中物联网感知终端的能源供给难题,利用氮化镓量子阱二极管的多功能光电特性,采用兼容的制造工艺,在同一块氮化镓芯片上集成能源、照明、通信和感知等器件,在器件之间实现互联,制备出氮化镓能源通信感知一体化芯片,并对该芯片进行了可见光无线传能和通信实验。实验结果表明:该芯片能够吸收外界的光脉冲信号并产生稳定的信号输出,且信号发射速率能够达到1 Mb/s,具有中继通信的潜力;在水下环境中该芯片也能实现能源的采集与信号通信。 展开更多
关键词 量子二极管 通信感知一体化 中继光通信 能源自供给 生物可穿戴设备
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On-chip optical interconnect using visible light
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作者 Wei CAI Bing-cheng ZHU +5 位作者 Xu-min GAO Yong-chao YANG Jia-lei YUAN Gui-xia ZHU Yong-jin WANG Peter GRUNBERG 《Frontiers of Information Technology & Electronic Engineering》 SCIE EI CSCD 2017年第9期1288-1294,共7页
We propose and fabricate a monolithic optical interconnect on a GaN-on-silicon platform using a wafer-level technique. Because the InGaN/GaN mukiple-quantum-well diodes (MQWDs) can achieve light emission and detecti... We propose and fabricate a monolithic optical interconnect on a GaN-on-silicon platform using a wafer-level technique. Because the InGaN/GaN mukiple-quantum-well diodes (MQWDs) can achieve light emission and detection simultaneously, the emitter and collector sharing identical MQW structure are produced using the same process. Suspended waveguides interconnect the emitter with the collector to form in-plane light coupling. Monolithic optical interconnect chip integrates the emitter, waveguide, base, and collector into a multi-component system with a common base. Output states superposition and 1 × 2 in-piane light communication are experimentally demonstrated. The proposed monolithic optical interconnect opens a promising way toward the diverse applications from in-plane visible light communication to light-induced imaging, and optical sensing. artificial synaptic devices, intelligent display, on-chip 展开更多
关键词 Homogeneous integration Multiple-quantum-well diode Visible light interconnection Coexistence oflight emission and photodetection
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室温准连续多量子阱二极管激光器调谐特性(英文) 被引量:3
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作者 杜振辉 翟雅琼 +1 位作者 胡波 齐汝宾 《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2010年第2期126-131,共6页
为了将应变补偿多量子阱(SC-MQW)激光器用于调谐激光吸收光谱(TDLAS)技术进行气体分子检测,研究了SC-MQW激光器在室温、准连续工作模式下的调谐特性.从半导体激光器的速率方程出发,分析了SC-MQW激光器输出波长与温度和注入电流的关系;... 为了将应变补偿多量子阱(SC-MQW)激光器用于调谐激光吸收光谱(TDLAS)技术进行气体分子检测,研究了SC-MQW激光器在室温、准连续工作模式下的调谐特性.从半导体激光器的速率方程出发,分析了SC-MQW激光器输出波长与温度和注入电流的关系;使用傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)测量了激光器分别在不同电流、温度条件下的调谐特性,得到SC-MQW激光器在允许工作电流范围内的调谐范围接近20nm,电流调谐率约为0.03nm/mA;温度调谐率约为0.25nm/℃;电流和温度联合调谐的波长覆盖范围达50nm.结果表明,该激光器在带状吸收谱的挥发性有机物气体检测方面有很好的应用前景. 展开更多
关键词 可调谐二极管激光器 调谐特性 准连续波 量子二极管激光器
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微环发光二极管通信探测一体化研究
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作者 蒋燕 谢明远 +1 位作者 高绪敏 王永进 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第21期33-40,共8页
面向6G无线通信感知一体化技术,提出、制造并表征了基于GaN微环形状的多量子阱(MQW)二极管。基于二极管发光光谱和响应光谱重叠的物理现象,微环发光二极管(MR-LED)具有多功能性,可以同时发光探测,实现通信探测一体化。作为一个发光源,MR... 面向6G无线通信感知一体化技术,提出、制造并表征了基于GaN微环形状的多量子阱(MQW)二极管。基于二极管发光光谱和响应光谱重叠的物理现象,微环发光二极管(MR-LED)具有多功能性,可以同时发光探测,实现通信探测一体化。作为一个发光源,MR-LED能实现片外150 Mbit/s开关键控调制方式的数据传输。同时通过MATLAB软件处理,MR-LED能够实现光无线图像数据传输。作为接收端,无论MR-LED是否在发光状态,MR-LED在不同的偏置电压下都能检测自由空间光信号。MR-LED用于通信探测一体化,可实现空间全双工通信,促进微型高速可见光通信系统的发展。 展开更多
关键词 光通信 多层量子二极管 微环发光二极管 同时发光探测
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975 nm量子阱激光二极管的质子位移损伤
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作者 刘翠翠 井红旗 +2 位作者 林楠 郭刚 马骁宇 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第11期257-264,共8页
针对典型卫星轨道辐射环境下激光二极管(LD)的可靠性评估问题,对自研的975 nm GaAs基量子阱(QW)LD开展了10 MeV质子、3×10^(8)~3×10^(11)cm^(-2)注量的地面模拟辐照实验。结合蒙特卡罗软件仿真模拟和数学分析方法,全面研究了... 针对典型卫星轨道辐射环境下激光二极管(LD)的可靠性评估问题,对自研的975 nm GaAs基量子阱(QW)LD开展了10 MeV质子、3×10^(8)~3×10^(11)cm^(-2)注量的地面模拟辐照实验。结合蒙特卡罗软件仿真模拟和数学分析方法,全面研究了器件位移损伤退化规律,以及不同注量、不同辐照缺陷对器件功率特性、电压特性和波长特性等关键参数的影响。结果显示,质子辐照会引入非辐射复合中心等缺陷并破坏界面结构,导致载流子浓度降低、光电限制能力下降,宏观上体现为器件阈值电流增加、输出功率下降、波长红移和单色性受损。同时,3×10^(10)cm^(-2)以上注量的10 MeV质子等效位移损伤剂量辐照会对975 nm QW LD性能产生较大影响。 展开更多
关键词 量子光学 量子激光二极管 质子 位移损伤效应 性能评估
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InGaAsP多量子阱激光二极管及其组件的γ辐射效应 被引量:10
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作者 黄绍艳 刘敏波 +3 位作者 王祖军 唐本奇 肖志刚 张勇 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1024-1028,共5页
本工作进行多量子阱激光二极管及其组件的γ辐照实验研究,总剂量(以Si计)达5.5×104Gy。结果表明:多量子阱激光二极管抗γ射线辐照能力很强,在实验总剂量下,裸管形式的多量子阱激光二极管的P-I特性I、-V特性及中心波长基本未变化。... 本工作进行多量子阱激光二极管及其组件的γ辐照实验研究,总剂量(以Si计)达5.5×104Gy。结果表明:多量子阱激光二极管抗γ射线辐照能力很强,在实验总剂量下,裸管形式的多量子阱激光二极管的P-I特性I、-V特性及中心波长基本未变化。而多量子阱激光二极管组件因包含光学窗口、耦合透镜及光纤等附属光学元件,这些附属元件受γ辐照后光学性能下降,最终导致激光二极管组件输出光功率随总剂量增大而下降,停止辐照后,不需加偏置,在室温下即能发生退火,使得斜率效率逐渐回升。 展开更多
关键词 量子激光二极管 Γ射线 辐射效应
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InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管老化过程中的光谱特性 被引量:1
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作者 代爽 于彤军 +2 位作者 李兴斌 袁刚成 路慧敏 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期327-330,共4页
系统地研究了小注入电流(<4mA)下InGaN/GaN多量子阱结构蓝光发光二极管的发光光谱特性在老化过程中的变化。对比老化前后的电致发光(EL)光谱,发现在注入电流1mA下的峰值波长(peak wavelength)和半高宽(FWHM)随老化时间增加而减小,变... 系统地研究了小注入电流(<4mA)下InGaN/GaN多量子阱结构蓝光发光二极管的发光光谱特性在老化过程中的变化。对比老化前后的电致发光(EL)光谱,发现在注入电流1mA下的峰值波长(peak wavelength)和半高宽(FWHM)随老化时间增加而减小,变化过程分两个阶段:前期(<100h)减小速度较快,而后逐渐变缓,呈现出与LEDs的发光光功率一致的变化规律,说明LEDs的等效极化电场在老化过程中减弱,这一变化和量子阱内缺陷的增加有明确的关系。通过电学特性测量发现同一结电压(Vj=1.8V)下的结电容Cj和由交流小信号I—V方法计算得到的注入电流1mA下的结电压Vj随老化时间增加而增大,明确了在同等小注入电流下量子阱内的载流子浓度随老化过程增加。分析表明在老化过程中InGaN/GaN多量子阱结构蓝光发光二极管量子阱内的缺陷及其束缚的载流子数量增加,形成了增强的极化电场屏蔽效应,减弱的等效极化电场导致了量子阱的能带倾斜变小,带边辐射复合能量增大,能态密度增多,对应的发光过程的峰值波长变短(蓝移),半高宽变窄。 展开更多
关键词 INGAN GaN多量子蓝光发光二极管 老化 电致发光谱 极化电场
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GaAs/InGaAs量子点-量子阱光电二极管的光存储特性读出
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作者 肖云钞 郭方敏 《红外技术》 CSCD 北大核心 2011年第5期281-283,共3页
通过对特殊设计的GaAs/InGaAs量子点-量子阱光电二极管的I-V和C-V特性测试,验证了器件的光子存储特性,在器件的读出设计中引入了特殊设计的带倒空信号的基于电容反馈互导放大器和相关双采样(CTIA-CDS)型读出电路。在633 nm辐照下,分别... 通过对特殊设计的GaAs/InGaAs量子点-量子阱光电二极管的I-V和C-V特性测试,验证了器件的光子存储特性,在器件的读出设计中引入了特殊设计的带倒空信号的基于电容反馈互导放大器和相关双采样(CTIA-CDS)型读出电路。在633 nm辐照下,分别改变照度和积分时间进行了非倒空和倒空测试的对比研究,并计算给出了对应的存储电荷变化量,进一步证明了光电器件的光子存储特性。 展开更多
关键词 GAAS/INGAAS 量子点-量子光电二极管 光子存储 CTIA读出电路 倒空信号
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基于聚焦离子束技术的可见光光子调控
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作者 蔡玮 邢远 +3 位作者 施政 袁佳磊 贾志宏 王永进 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期252-256,共5页
采用晶圆级工艺,制备了一种单片集成光源和直波导的硅基氮化镓光电集成器件,结合聚焦离子束技术,使用Ga离子束在直波导上刻蚀形成了一个布拉格反射镜(DBR),并对器件的光子调控功能进行研究.特殊的InGa N波导结构使得器件在制备过程中不... 采用晶圆级工艺,制备了一种单片集成光源和直波导的硅基氮化镓光电集成器件,结合聚焦离子束技术,使用Ga离子束在直波导上刻蚀形成了一个布拉格反射镜(DBR),并对器件的光子调控功能进行研究.特殊的InGa N波导结构使得器件在制备过程中不再需要复杂的硅移除和晶片背面减薄工艺,硅衬底可以保持完整.实验结果表明,作为光源的多量子阱发光二极管(MQW-LED)具有良好的电流-电压特性. MQW-LED开启后部分光子耦合进直波导,被限制在波导内向前传输,在DBR处发生全反射并部分衍射到自由空间中.由器件的电致发光光谱可知,制备在波导上的DBR对波导内传输的光子进行了有效调控. 展开更多
关键词 硅基氮化镓 量子发光二极管 波导 布拉格反射镜
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