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三个新的稳定硅表面及其家族领地
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作者 李文杰 姜金龙 +2 位作者 周立 赵汝光 杨威生 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期2567-2574,共8页
为了对稳定硅表面进行广泛的搜索 ,利用低能电子衍射 (LEED)研究了 1 3个散布在极射投影三角内各处的高指数硅表面 :Si(1 0　 4　 1 3 ) ,(6　 2　 7) ,(8　 4　 1 1 ) ,(4　 1　 1 0 ) ,(2　 1　 5 ) ,(5　 1　 1 0 ) ,(5　 2　 1 0 ) ... 为了对稳定硅表面进行广泛的搜索 ,利用低能电子衍射 (LEED)研究了 1 3个散布在极射投影三角内各处的高指数硅表面 :Si(1 0　 4　 1 3 ) ,(6　 2　 7) ,(8　 4　 1 1 ) ,(4　 1　 1 0 ) ,(2　 1　 5 ) ,(5　 1　 1 0 ) ,(5　 2　 1 0 ) ,(5　 1　5 ) ,(5　 1　 6 ) ,(4　 0　 5 ) ,(1 2　 4　 1 9) ,(1 2　 3　 1 4 )和 (1 2　 3　 1 6 ) .结果发现这些清洁的硅表面都不稳定 ,因为在被充分退火后 ,它们会彻底小面化成为分属一个或几个稳定表面的小面 .提出了一套行之有效的方法 ,使小面化表面的复杂LEED图得以可靠地标定 ,进而确定了全部出现的稳定表面的指数 .除已知的Si(1 5　 3　 2 3 )外 ,还发现三个新的稳定表面 ,即Si(2 0　 4　 2 3 ) ,(3　 1　 4 )和 (3　 1　 7) . 展开更多
关键词 高指数表面 硅 铟 小面化 量子点 量子线生长 稳定表面 低能电子衍射
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