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半导体材料研究的新进展 被引量：19
1
作者 王占国 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期8-12,14,共6页
首先对作为现代信息社会的核心和基础的半导体材料在国民经济建设、社会可持续发展以及国家安全中的战略地位和作用进行了分析,进而介绍几种重要半导体材料如,硅材料、GaAs和InP单晶材料、半导体超晶格和量子阱材料、一维量子线、零维... 首先对作为现代信息社会的核心和基础的半导体材料在国民经济建设、社会可持续发展以及国家安全中的战略地位和作用进行了分析,进而介绍几种重要半导体材料如,硅材料、GaAs和InP单晶材料、半导体超晶格和量子阱材料、一维量子线、零维量子点半导体微结构材料、宽带隙半导体材料、光学微腔和光子晶体材料、量子比特构造和量子计算机用材料等目前达到的水平和器件应用概况及其发展趋势作了概述。最后,提出了发展我国半导体材料的建议。本文未涉及II-VI族宽禁带与II-VI族窄禁带红外半导体材料、高效太阳电池材料Cu(In,Ga)Se2、CuIn(Se,S)等以及发展迅速的有机半导体材料等。 展开更多
关键词 半导体材料 量子线 量子点材料 光子晶体 现状 硅材料 砷化钾 磷化铟
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多孔硅及其应用研究展望 被引量：6
2
作者 王清涛 李清山 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 2001年第4期301-304,317,共5页
介绍了多孔硅的形成机制、光致发光机制 。
关键词 多孔硅 量子线 量子限制效应 形成机制 光致发光机制 Beale耗尽模型 扩散限制模型
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柱形量子线中极化子的电子与LO声子之间相互作用能 被引量：14
3
作者 丁朝华 肖景林 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期501-504,共4页
采用变分法,研究了柱形量子线中在考虑电子与LO声子相互作用的情况下,极化子在基态时系统的能量以及电子 LO声子之间的相互作用能。数值计算结果表明:随着柱形量子线截面半径的减小,基态能量和电子 LO声子相互作用能的绝对值都增大。
关键词 量子线 极化子 变分法 基态能量 低维半导体材料 电子-LO声子耦合 相互作用能
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低维半导体材料研究进展 被引量：7
4
作者 程宪章 张忱 《半导体杂志》 2000年第3期44-49,55,共7页
综述了低维半导体材料的最新发展动态和发展趋势。
关键词 低维半导体材料 量子点 量子线 量子阱
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量子线、量子点和它们的激光器 被引量：5
5
作者 夏建白 《物理》 CAS 1998年第3期141-145,共5页
介绍了半导体量子线、量子点的自组织生长法和掩膜表面选择局部生长法，讨论了量子线、量子点激光器的优点以及遇到的问题，指出了大小均匀性是实现量子线、量子点激光器的主要障碍．
关键词 半导体 量子线 量子点 激光器 自组织生长 掩膜
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半导体纳米结构的可控生长 被引量：10
6
作者 王占国 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期208-217,共10页
应用MBE技术和SK生长模式 ,通过对研究材料体系的应力分布设计 ,生长动力学研究和生长工艺优化 ,实现了In(Ga)As/GaAs,InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InAl(Ga)As/InP无缺陷量子点 (线 )的尺寸、形状、密度和分布有序性的可控生长 ,这对进一... 应用MBE技术和SK生长模式 ,通过对研究材料体系的应力分布设计 ,生长动力学研究和生长工艺优化 ,实现了In(Ga)As/GaAs,InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InAl(Ga)As/InP无缺陷量子点 (线 )的尺寸、形状、密度和分布有序性的可控生长 ,这对进一步的器件应用特别重要。讨论了半导体纳米结构的空间有序性分布物理起因和退火的机制。 展开更多
关键词 半导体 纳米材料 可控生长 量子点 量子线
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低维半导体材料应变分布 被引量：6
7
作者 周旺民 王崇愚 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期4308-4313,共6页
在各向同性弹性理论的假设下 ,探讨了理想简单化的二维、一维与零维半导体材料量子阱、量子线与量子点的应力和应变分布规律 ,并讨论了它们应力、应变与应变能密度分布之间的差异 .结果有助于定性理解更复杂形状结构的低维半导体材料的... 在各向同性弹性理论的假设下 ,探讨了理想简单化的二维、一维与零维半导体材料量子阱、量子线与量子点的应力和应变分布规律 ,并讨论了它们应力、应变与应变能密度分布之间的差异 .结果有助于定性理解更复杂形状结构的低维半导体材料的应力。 展开更多
关键词 应变能密度 一维 量子线 半导体材料 量子阱 量子点 各向同性 二维 假设 形状
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抛物量子线中强耦合极化子的有效质量 被引量：11
8
作者 丁朝华 赵翠兰 肖景林 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期240-243,共4页
采用改进的线性组合算符法、Lagrange乘子和变分法,在考虑电子与LO声子相互作用情况下,计算了抛物量子线中强耦合磁极化子的有效质量m 和光学声子平均数N。通过数值计算,讨论了约束强度ω0和磁场B对m 和N的影响。计算结果表明:m 和N都随... 采用改进的线性组合算符法、Lagrange乘子和变分法,在考虑电子与LO声子相互作用情况下,计算了抛物量子线中强耦合磁极化子的有效质量m 和光学声子平均数N。通过数值计算,讨论了约束强度ω0和磁场B对m 和N的影响。计算结果表明:m 和N都随ω0和B的增加而增大。 展开更多
关键词 有效质量 强耦合 磁极化子 量子线 光学声子平均数 线性组合算符 变分法 电子 相互作用
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磁场对量子线中束缚极化子激发态性质的影响 被引量：10
9
作者 丁朝华 苏莉 何锐 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期748-752,共5页
采用Huybrenchts线性组合算符和Lee-Low-Pines(LLP)变换方法,研究了磁场和库仑场对抛物量子线中强耦合极化子激发态性质的影响,推导出了抛物量子线中强耦合束缚磁极化子的第一内部激发态能量、激发能量和振动频率。数值计算结果表明:抛... 采用Huybrenchts线性组合算符和Lee-Low-Pines(LLP)变换方法,研究了磁场和库仑场对抛物量子线中强耦合极化子激发态性质的影响,推导出了抛物量子线中强耦合束缚磁极化子的第一内部激发态能量、激发能量和振动频率。数值计算结果表明:抛物量子线中强耦合束缚磁极化子的第一内部激发态能量和激发能量及振动频率均随约束强度、回旋频率的增加而增大;第一内部激发态能量随库仑束缚势的增加而减少,激发能量和振动频率随库仑束缚势的增加而增强。 展开更多
关键词 光电子学 量子线 线性组合算符 束缚磁极化子 激发态
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GaAs抛物量子线中弱耦合极化子的磁场效应 被引量：10
10
作者 丁朝华 赵翠兰 肖景林 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期629-633,共5页
应用变分法和改进的线性组合算符法,研究了磁场对抛物量子线中弱耦合极化子振动频率和相互作用能的影响.给出了GaAs抛物量子线中弱耦合极化子的振动频率和相互作用能与磁场和约束强度的依赖关系.对GaAs晶体作了数值计算,结果显示:极化... 应用变分法和改进的线性组合算符法,研究了磁场对抛物量子线中弱耦合极化子振动频率和相互作用能的影响.给出了GaAs抛物量子线中弱耦合极化子的振动频率和相互作用能与磁场和约束强度的依赖关系.对GaAs晶体作了数值计算,结果显示:极化子振动频率和相互作用能都随约束强度和外磁场的增加而增大. 展开更多
关键词 量子线 磁极化子 振动频率 相互作用能
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半导体量子点和量子线材料及其制备技术 被引量：6
11
作者 张臣 《微细加工技术》 2001年第1期74-78,共5页
综述了半导体量子点和量子线材料的最新发展动态及其制备技术。
关键词 自组织生长 量子点 量子线
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纳米电子学 被引量：7
12
作者 薛增泉 《现代科学仪器》 1998年第1期8-12,16,共6页
评述了纳米电子学的理论和应用意义、研究领域和最新进展。
关键词 纳米电子学 量子线 量子点 单电子晶体管
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抛物量子线中极化子的激发态性质(英文) 被引量：9
13
作者 丁朝华 赵翠兰 肖景林 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期149-154,共6页
研究抛物型量子线中极化子激发态的性质。采用线性组合算符法和Pekar变分法,导出了抛物量子线中强耦合和弱耦合两种情况下极化子的基态能量、第一内部激发能量、激发能和振动频率随量子线的约束强度的变化关系。数值计算结果表明:抛物... 研究抛物型量子线中极化子激发态的性质。采用线性组合算符法和Pekar变分法,导出了抛物量子线中强耦合和弱耦合两种情况下极化子的基态能量、第一内部激发能量、激发能和振动频率随量子线的约束强度的变化关系。数值计算结果表明:抛物型量子线中极化子的基态能量、第一内部激发能量、激发能和振动频率都随量子线约束强度的增强而增大,体现了量子线受限强度越大,相应的极化子的能量也越大。 展开更多
关键词 量子线 极化子 基态能量 第一内部激发能量 激发能
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表面光学声子对柱形量子线中三次谐波振荡的影响(英文) 被引量：8
14
作者 郭康贤 《光子学报》 EI CAS CSCD 1998年第5期391-395,共5页
本文利用密度矩阵方法研究了表面光学声子对柱形量子线中三次谐波振荡的影响，并且导出了三次谐波振荡的表达式．然后，以ＧａＡｓ柱形量子线为例作了数值计算．研究表明，当柱形量子线的横向半径ｄ非常小时，电子和表面光学声子之间的... 本文利用密度矩阵方法研究了表面光学声子对柱形量子线中三次谐波振荡的影响，并且导出了三次谐波振荡的表达式．然后，以ＧａＡｓ柱形量子线为例作了数值计算．研究表明，当柱形量子线的横向半径ｄ非常小时，电子和表面光学声子之间的耦合强度就非常大，表面光学声子对三次谐波振荡的影响就更强． 展开更多
关键词 表面光学声子 三次谐波 柱形 量子线 量子光学
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现代光电子的发展现状、特征和趋势 被引量：5
15
作者 康志龙 辛国锋 +1 位作者 陈国鹰 谢红云 《河北工业大学学报》 CAS 2005年第5期1-7,共7页
系统地介绍了光电子基础理论研究、光电子器件的特征、应用现状以及发展趋势.详细地介绍了几种半导体激光器、Si基光电器件与光电集成芯片的发展现状和趋势.
关键词 光电子器件 半导体激光器 量子阱 量子线 量子点
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柱形量子线中的磁极化子性质 被引量：8
16
作者 花修坤 顾世洧 彭飞 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期720-722,共3页
采用变分法，研究了柱形量子线中磁极化子在基态和激发态的系统能量，电子－表面声子相互作用能以及回旋共振频率．选用抛物型束缚势，在精确求解未微扰电子的波动方程的基础上，给出了系统的试探波函数．数值计算结果表明，随着量子线... 采用变分法，研究了柱形量子线中磁极化子在基态和激发态的系统能量，电子－表面声子相互作用能以及回旋共振频率．选用抛物型束缚势，在精确求解未微扰电子的波动方程的基础上，给出了系统的试探波函数．数值计算结果表明，随着量子线半径的增大，基态和激发态的电子－表面声子相互作用能都相应减小，回旋共振频率也随之减小． 展开更多
关键词 量子线 磁极化子 极性晶体 电子-声子作用
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半导体中的自旋弛豫——从体材料到量子阱、量子线、量子点 被引量：5
17
作者 王建伟 李树深 夏建白 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2006年第2期228-249,共22页
本文对半导体中的自旋弛豫过程给出一个简要的回顾,介绍了半导体材料从体材料到量子阱、量子线、量子点不同维数的结构中各种自旋弛豫过程,主要关注了自旋去相位和相干控制。对于不同材料中的各种弛豫机制,关注的重点在于如何能够在实... 本文对半导体中的自旋弛豫过程给出一个简要的回顾,介绍了半导体材料从体材料到量子阱、量子线、量子点不同维数的结构中各种自旋弛豫过程,主要关注了自旋去相位和相干控制。对于不同材料中的各种弛豫机制,关注的重点在于如何能够在实验上以一种可以控制的方式来改变可调参数从而达到控制自旋弛豫过程。这些参数主要有电场、磁场、温度、应变、有效g因子等等。本文的组织上,首先介绍研究前景,第1部分简要介绍了自旋弛豫的四种机制。第2部分按照维数的不同将半导体中自旋弛豫分为3个部分:体材料、量子阱、量子线、量子点,在每一部分中又基本上按照电子、空穴、激子的顺序进行了简要的总结:对于不同的载流子,考虑了自旋弛豫对可调参数的依赖关系。这些结果要么试图解释了已有的实验结果,要么从理论上给出预言从而给实验指明了方向,为室温下可以使用的自旋电子学器件设计提供了依据,为固态量子计算和量子信息处理铺平了道路。最后简单地给出展望。 展开更多
关键词 自旋弛豫 半导体 体材料 量子阱 量子线 量子点
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新奇半导体低维结构的自组织生长 被引量：3
18
作者 牛智川 黄社松 +5 位作者 龚政 方志丹 倪海桥 孙宝权 李树深 夏建白 《物理》 CAS 北大核心 2006年第8期654-658,共5页
文章介绍了自组织生长半导体量子线、量子点和量子环的进展,同时介绍了这些低维半导体材料在光电子和通信等领域应用情况.此外,对这些材料的一些测试方法也进行了介绍.
关键词 自组织 量子线 量子点 量子环
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硫化镉量子线的组装与研究 被引量：5
19
作者 马国华 彭同江 刘琨 《郴州师范高等专科学校学报》 2003年第2期51-53,共3页
本文报道了利用化学气相沉积法和液相的方法在蛇纹石石棉的孔道中组装硫化镉量子线的最新研究结果.化学气相沉积法是将四水硝酸镉放在球型玻璃管中,在微负压下,在150℃左右的硫化氢和空气的气氛中反应;液相法是先在石棉管道中填入Cd2+离... 本文报道了利用化学气相沉积法和液相的方法在蛇纹石石棉的孔道中组装硫化镉量子线的最新研究结果.化学气相沉积法是将四水硝酸镉放在球型玻璃管中,在微负压下,在150℃左右的硫化氢和空气的气氛中反应;液相法是先在石棉管道中填入Cd2+离子,再在H2S气氛中反应.结果,透射电镜研究发现,在蛇纹石石棉管道中组装了硫化镉量子线. 展开更多
关键词 硫化镉 量子线 组装 化学气相沉积法 一维纳米线 蛇纹石 纳米材料
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纳米硅量子线的发现与研究 被引量：4
20
作者 俞大鹏 《物理》 CAS 1998年第4期193-195,共3页
一维纳米材料是当今介观物理学研究的前沿领域．文章报道了一种利用脉冲激光成功地制备纯度高、直径分布均匀的纳米硅量子线（ＳｉＮＷｓ）的方法，介绍了纳米量子线的形貌、显微结构、生长机理和物理性能研究的最新结果．纳米硅量子线... 一维纳米材料是当今介观物理学研究的前沿领域．文章报道了一种利用脉冲激光成功地制备纯度高、直径分布均匀的纳米硅量子线（ＳｉＮＷｓ）的方法，介绍了纳米量子线的形貌、显微结构、生长机理和物理性能研究的最新结果．纳米硅量子线的发现具有重要的科学意义和潜在的应用前景． 展开更多
关键词 一维 硅纳米线 介观物理 纳米器件 量子线
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