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酞菁铜固态薄膜的红外光谱 被引量:22
1
作者 张引 陈文启 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期73-76,共4页
利用红外透射光谱,偏振透射光谱、掠角反射光谱研究了三-2,4-二特戊基苯氧基8-喹啉氧基酞菁铜LB膜和蒸镀膜的结构。确认在LB膜中,(1)取代基的碳链是以六方晶系或假六方晶系方式堆积的;(2)用偏振红外可以区别苯环上... 利用红外透射光谱,偏振透射光谱、掠角反射光谱研究了三-2,4-二特戊基苯氧基8-喹啉氧基酞菁铜LB膜和蒸镀膜的结构。确认在LB膜中,(1)取代基的碳链是以六方晶系或假六方晶系方式堆积的;(2)用偏振红外可以区别苯环上的两个CH2的伸缩振动带。在蒸镀膜中分子基本呈现无序状态。 展开更多
关键词 酞菁 LB膜 蒸镀膜 红外光谱
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酞菁铜的性能和应用研究进展 被引量:12
2
作者 何智兵 黄勇刚 +3 位作者 张溪文 赵高凌 杜丕一 韩高荣 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第10期51-55,共5页
酞菁铜是一种重要的多功能高分子材料,其良好的光电性能,正越来越引起人们广泛的研究。介绍了酞菁铜的研究发展历史,简述了酞菁铜的结构及能级特征。详细介绍了酞菁铜的耐高温性、导电性、光电导性、光伏效应、气敏性、热电效应、电致... 酞菁铜是一种重要的多功能高分子材料,其良好的光电性能,正越来越引起人们广泛的研究。介绍了酞菁铜的研究发展历史,简述了酞菁铜的结构及能级特征。详细介绍了酞菁铜的耐高温性、导电性、光电导性、光伏效应、气敏性、热电效应、电致发光性、光存贮性和催化学性等性质及其应用。在此基础上展望了酞菁铜的应用前景。 展开更多
关键词 酞菁 光电导 气敏性 电致发光 染料 应用
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酞菁铜非共振反饱和吸收的稳态特性 被引量:7
3
作者 李淳飞 王惠 +2 位作者 杨淼 张雷 王玉晓 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第3期219-223,共5页
酞菁铜溶液在波长532nm调Q激光作用下,实验获得反饱和吸收特性.在稳态条件下,用速率方程理论推得分别描述薄样品和厚样品的反饱和吸收特性的两个解析式,理论分析与实验结果一致.
关键词 酞菁 反饱和吸收 吸收 稳态
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4-(2-甲氧基乙氧基)-三-4-(2,4-二特戊基苯氧基)酞菁铜的合成及其LB膜特性研究 被引量:4
4
作者 林观阳 林琳 +5 位作者 陈文启 李亚君 庞小敏 蒋大鹏 吕安德 华玉林 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 1992年第1期69-71,共3页
LB膜的特性在很大程度上决定于成膜分子的结构。铜酞菁衍生物具有大π键电子共轭体系,有明显的光电特性,成膜性好,很适于作LB膜气敏材料。我们在前期工作的基础上,为探明气敏特性与化合物结构间的关系,设计并合成了标题化合物,并对其LB... LB膜的特性在很大程度上决定于成膜分子的结构。铜酞菁衍生物具有大π键电子共轭体系,有明显的光电特性,成膜性好,很适于作LB膜气敏材料。我们在前期工作的基础上,为探明气敏特性与化合物结构间的关系,设计并合成了标题化合物,并对其LB膜的气敏特性进行了研究。 展开更多
关键词 LB膜 合成 酞菁 非对称取代
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我国酞菁铜的生产现状及发展 被引量:4
5
作者 王洪 《染料工业》 2001年第1期7-9,11,共4页
综述了我国酞菁酮的生产现状及发展。
关键词 酞菁 中间体 颜料 染料 合成 固相法 溶剂法 生产能力
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酞菁铜与Q-CdS超微粒子界面的光致电荷转移研究 被引量:3
6
作者 王宝辉 王德军 +2 位作者 曹云伟 张杰 李铁津 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1996年第2期177-180,共4页
The photovoltaic features and photo-induced interfacial charge transfer of CuPc-modified Q-CdS films were investigated by surface photovoltage spectra and optical absorption spectra. The results show that the interfac... The photovoltaic features and photo-induced interfacial charge transfer of CuPc-modified Q-CdS films were investigated by surface photovoltage spectra and optical absorption spectra. The results show that the interfacial chaxge transfer and photosensitization between cuPc and Q-cds occur under inuAnnation. Based on the observations,the generation and processes of the charge transfer are proposed and discussed. 展开更多
关键词 酞菁 超微粒子 光电压 光致电荷转移 硫化镉
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单层结构ε-CuPc光导体的静电照相特性──ε-CuPc的浓度的影响 被引量:2
7
作者 蒲嘉陵 张伟民 付一良 《感光科学与光化学》 CSCD 1995年第1期68-73,共6页
本研究将ε-酞菁铜(ε-CuPc)按不同浓度分散在一种聚酯树脂(Vylon200)中,并布在铝板基上构成光导体。测试结果表明,这种光导体可用作正充电或负充电光导体,但在相同的有效充电电位下,即,在V-V_T(其中V_... 本研究将ε-酞菁铜(ε-CuPc)按不同浓度分散在一种聚酯树脂(Vylon200)中,并布在铝板基上构成光导体。测试结果表明,这种光导体可用作正充电或负充电光导体,但在相同的有效充电电位下,即,在V-V_T(其中V_T为临界充电电位)相同的条件下,负充电的表面饱和电压高于正充电的表面饱和电压。当ε-CuPc的质量分数超过40%时,光导体的暗衰减速度过快;当ε-CuPc的质量分数低于20%时,暗衰减速度虽然得到控制,但光衰减速度太低,而且残留电位大幅度增高。ε-CuPc的质量分数在30~40%被认为是适当的。 展开更多
关键词 有机光导体 酞菁 光导体 静电照相性
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三-(2,4-二特戊基苯氧基)-(对羧基苯氧基)酞菁铜拉曼光谱
8
作者 周宇清 王岩 +5 位作者 陈文启 席时权 赵永年 崔启良 李冬妹 邹广田 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1992年第4期2471-2473,共3页
观测了三-(2,4-二特戊基苯氧基)-(对羧基苯氧基)酞菁铜的共振与非共振拉曼光谱,比较二者的差异对某些振动谱带的归属进行了修正。
关键词 酞菁化合物 散射谱 酞菁 振动谱
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酞菁铜与四氰代二甲基苯醌电荷转移反应的测定
9
作者 丁旵明 赵晖 +2 位作者 张引 王丽颖 席时权 《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第8期981-984,共4页
用红外光谱、紫外可见光谱、循环伏安法等研究了三.(2,4-二特戊基苯氧基)-8-喹淋氧基酞菁铜(简称酞菁铜)和2-十八烷基-7,7,8,8-四氰二甲基苯醌(简称C18-TCNQ)在Lang-muir-Blodgett... 用红外光谱、紫外可见光谱、循环伏安法等研究了三.(2,4-二特戊基苯氧基)-8-喹淋氧基酞菁铜(简称酞菁铜)和2-十八烷基-7,7,8,8-四氰二甲基苯醌(简称C18-TCNQ)在Lang-muir-Blodgett(LB)膜中的电荷转移。实验结果表明,在交替和混合LB膜中,酞菁铜和C18-TC-NQ分子之间均发生了电荷转移,其中酞菁铜为给体分子,TCNQ为受体分子。在混合LB膜中,电荷转移程度较大。电导率测量表明荷移反应使LB膜的电导率较纯酞菁铜LB膜提高了3个数量级。 展开更多
关键词 酞菁 四氰二甲基苯醌 电荷转移 TCNQ LB膜
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酞菁铜衍生物LB膜的结构研究
10
作者 赵晓光 周恩乐 +3 位作者 金尚德 关景文 王新平 沈琪 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 1992年第1期76-78,共3页
酞菁铜衍生物作为LB膜材料具有良好的热稳定性,与衬底的附着力强,有丰富的光电特性,并对NH_3有较高的气敏特性,本文应用透射电子显微镜研究了2种新型酞菁铜衍生物LB膜成膜过程的结构变化。
关键词 LB膜 分子结构 酞菁
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酞菁铜薄膜的折射率及吸收特性 被引量:1
11
作者 陈启婴 顾冬红 干福熹 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第12期1717-1720,共4页
通过真空镀膜法在单晶硅片上制备了酞菁铜(CuPc)薄膜,在波长扫描和入射角可变全自动椭圆偏振光谱仪上研究了CuPc薄膜的椭偏光谱并分析了其电子结构。
关键词 酞菁 薄膜 椭偏光谱 单晶体 折射率 吸收特性
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成膜条件对酞菁铜单分子膜的影响
12
作者 丁明 张引 +1 位作者 陈文启 席时权 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 1996年第5期441-445,共5页
研究了两种酞菁铜化合物单分子膜的成膜条件,发现其成膜性与铺展量、滑障速度、扩展溶剂、包埋等因素有关,通过优化以上条件。
关键词 酞菁 LB膜 成膜条件 π-A曲线
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酞菁酮(CuPc)光敏性研究
13
作者 韩桂林 《复印》 1998年第2期15-17,共3页
关键词 酞菁 光敏性 染料
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新型高分子材料──CuPc
14
作者 熊力 王金成 《气象水文海洋仪器》 1999年第2期11-15,共5页
介绍一种新型的高分子材料CuPc,并对其结构及合成进行了研究,根据其性能测试结果,探讨了其在气湿敏测量领域应用的可能性。
关键词 酞菁 高分子 铝合物 气湿敏测量
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tap CuPc LB薄膜气敏特性研究
15
作者 蒋大鹏 陈文启 《薄膜科学与技术》 1990年第4期54-59,共6页
关键词 LB薄膜 酞菁 气敏特性
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双核磺化酞菁铜(Ⅱ)催化氧化α-萘酚 被引量:6
16
作者 孙强 邓桂胜 +2 位作者 姚小华 苏永成 张振权 《有机化学》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1996年第1期83-87,共5页
本文研究了以乙醇为溶剂,CaCl_2为助催化剂,双核磺化酞菁铜(Ⅱ)催化氧化α-萘酚制备α-萘醌的各种因素。提出了可能的反应机理。
关键词 双核磺化酞菁 萘酚 催化氧化 萘醌 反应机理
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聚四氨基酞菁铜微型传感器及其在一氧化氮测定中的应用 被引量:8
17
作者 屠惠萍 曹旭妮 +2 位作者 鲜跃仲 毛兰群 金利通 《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期631-635,共5页
利用电化学聚合的方法制备了聚四氨基酞菁酮[Cu(TAPc)]微型传感器,并探讨了微型传感器对一氧化氮(NO)的电化学响应.结果表明,电化学聚合Cu(TAPc)微型传感器对NO具有良好的催化氧化作用.示差脉冲伏安法(DPV)和示差脉冲安培法(DPA)的结果... 利用电化学聚合的方法制备了聚四氨基酞菁酮[Cu(TAPc)]微型传感器,并探讨了微型传感器对一氧化氮(NO)的电化学响应.结果表明,电化学聚合Cu(TAPc)微型传感器对NO具有良好的催化氧化作用.示差脉冲伏安法(DPV)和示差脉冲安培法(DPA)的结果表明,该传感器对NO的响应具有较低的检测限和较高的灵敏度.NO的浓度在1.20×10^(-8)~1.00×10^(-6)mol/L范围内与传感器的电流响应呈线性关系,相关系数为0.9998;检出限为6.00×10^(-9)mol/L.生物体内常见共存物质如抗坏血酸、儿茶酚胺类神经递质及其代谢产物、NO的降解产物NO_2^-等不干扰NO的测定.所研制的微型传感器可以满足NO的活体分析的要求. 展开更多
关键词 一氧化氮 四氨基酞菁 微型传感器 传感器 测定
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酞菁铜掺杂碘的能带结构和导电机理的研究 被引量:1
18
作者 高延敏 邢宇 +1 位作者 尹永一 乔庆东 《石油化工高等学校学报》 EI CAS 1999年第1期40-42,共3页
用EHMACC方法计算了酞菁铜本征态和碘掺杂态的能带结构。为验证模型的合理性,用载流子迁移Frhlich-Sewel公式,对理论电导率和实测电导率进行了比较。结果表明:理论电导率和实测电导率基本吻合,支持了所提出的模... 用EHMACC方法计算了酞菁铜本征态和碘掺杂态的能带结构。为验证模型的合理性,用载流子迁移Frhlich-Sewel公式,对理论电导率和实测电导率进行了比较。结果表明:理论电导率和实测电导率基本吻合,支持了所提出的模型的合理性。初步探讨了碘计量掺杂和非计量掺杂时对电导率的影响。计量掺杂碘时,电子和空穴的浓度相同,迁移率影响导电性;非计量掺杂碘时,空穴浓度大于电子浓度,载流子浓度和迁移率同时影响导电率。载流子在迁移过程中,既包括能带机理,又包括跳越机理。 展开更多
关键词 酞菁 能带结构 导电机理 配合物
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八羧基酞菁铜的合成研究 被引量:1
19
作者 唐志辉 赵宗煌 +2 位作者 丁肖华 涂云 未本美 《化学工程师》 CAS 2010年第6期8-9,共2页
以均苯四甲酸酐、氯化铜、尿素为原料,钼酸铵为催化剂合成了八羧酰胺基酞菁铜,再用NaOH水解得到八羧基酞菁铜。考查了原料摩尔比、催化剂的量、水解温度、水解时间等条件对反应的影响,确定了反应的最佳条件。在最佳工艺条件下八羧基酞... 以均苯四甲酸酐、氯化铜、尿素为原料,钼酸铵为催化剂合成了八羧酰胺基酞菁铜,再用NaOH水解得到八羧基酞菁铜。考查了原料摩尔比、催化剂的量、水解温度、水解时间等条件对反应的影响,确定了反应的最佳条件。在最佳工艺条件下八羧基酞菁铜的总收率为35%,经红外光谱表征与目标化合物的结构一致。 展开更多
关键词 八羧酸酞菁 八羧酰胺基酞菁 合成
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四磺酸酞菁铜-DDAB表面活性剂薄膜电极对卤代乙酸的电化学催化 被引量:1
20
作者 刘海燕 胡乃非 曾泳淮 《分析测试学报》 CAS CSCD 1997年第4期9-12,共4页
四磺酸酞菁铜阴离子(CuPcTS4-)在水溶液中可借助离子交换进入阳离子表面活性剂双十二烷基二甲基溴化铵(DDAB)薄膜电极,从而形成CuPcTS4-DDAB薄膜电极,循环伏安实验表明,在KBr溶液中,该薄膜电极有一... 四磺酸酞菁铜阴离子(CuPcTS4-)在水溶液中可借助离子交换进入阳离子表面活性剂双十二烷基二甲基溴化铵(DDAB)薄膜电极,从而形成CuPcTS4-DDAB薄膜电极,循环伏安实验表明,在KBr溶液中,该薄膜电极有一对良好的还原氧化峰,阴阳极峰电位分别为-078V和-065V(vsSCE)探讨了该薄膜电极的电化学行为,特别是其对各种卤代乙酸的电化学催化,对其机理进行了推测。 展开更多
关键词 四磺酸酞菁 薄膜电极 DDAB 卤代乙酸 催化
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