TI公司的UCC23511-Q1是光兼容单路隔离用于IGBT,MOSFET和Si C MOSFET的栅极驱动器,源电流1.5A,沉电流2A,增强隔离指标为5.7-k VRMS.33V高工作电压允许采用双极电源来有效地驱动IGBT和Si C功率FET.UCC23511-Q1能驱动高边和低边功率FET....TI公司的UCC23511-Q1是光兼容单路隔离用于IGBT,MOSFET和Si C MOSFET的栅极驱动器,源电流1.5A,沉电流2A,增强隔离指标为5.7-k VRMS.33V高工作电压允许采用双极电源来有效地驱动IGBT和Si C功率FET.UCC23511-Q1能驱动高边和低边功率FET.引脚对引脚替代光隔离栅极驱动器,12V VCC UVLO,轨到轨输出,最大传输时延为105ns,部件间延时失配最大为25ns,脉宽失真最大为35ns,共模瞬态免疫度(CMTI)大于150-k V/μs,隔离阻挡层寿命大于50年.工作结温为–40C到+150C.5.7-k VRMS隔离1分钟per UL 1577.主要用在EV的牵引逆变器,车载充电器和DC充电站,HVAC,加热器和工业马达控制驱动.本文介绍了UCC23511-Q1主要特性,功能框图和驱动IGBT的应用电路,评估模块UCC23513EVM-014主要特性,建立图和配置图,电路图,材料清单和PCB设计图.展开更多
