基于BSIMSOI模型研究了深亚微米级部分耗尽型绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(PD SOI MOSFET)器件的自加热效应、体接触效应及浮体效应,并提出了PD SOI MOSFET的建模方法及相应的模型参数提取方法。根据上述方法对西安微电子技...基于BSIMSOI模型研究了深亚微米级部分耗尽型绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(PD SOI MOSFET)器件的自加热效应、体接触效应及浮体效应,并提出了PD SOI MOSFET的建模方法及相应的模型参数提取方法。根据上述方法对西安微电子技术研究所0.35μm工艺条件下的PD SOI器件进行了建模和验证,结果显示所建立的模型与测试数据吻合,表明本文所提方法的准确性及有效性。展开更多
航天器中芯片工作时钟频率的不断提高使得单粒子翻转(single-event-upset,SEU)效应对时序逻辑的影响更加显著。目前已经提出的辐射加固锁存器存在面积和延时较大、功耗较高且抗单粒子翻转能力有限的问题。针对这些问题,提出了一款基于13...航天器中芯片工作时钟频率的不断提高使得单粒子翻转(single-event-upset,SEU)效应对时序逻辑的影响更加显著。目前已经提出的辐射加固锁存器存在面积和延时较大、功耗较高且抗单粒子翻转能力有限的问题。针对这些问题,提出了一款基于130 nm部分耗尽绝缘体上硅(partially-depleted silicon on insulator,PD-SOI)工艺的高速单粒子辐射自恢复锁存器。在对电路设计进行介绍的基础上,与其他已经报道的电路进行了对比,并利用节点翻转分析和仿真波形验证了该锁存器具有抗单粒子翻转自恢复的功能。对比结果表明,与其他的抗单粒子翻转自恢复锁存器相比,在牺牲部分功耗的代价下,大幅减小了锁存器的面积和延时。本方案所提出的辐射加固锁存器的综合开销指标APDP较其他辐射加固锁存器平均节省了71.14%,适用于辐射环境下的对速度和可靠性有较高要求的电路,为国产宇航高可靠自研芯片提供了选择。展开更多
文摘基于BSIMSOI模型研究了深亚微米级部分耗尽型绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(PD SOI MOSFET)器件的自加热效应、体接触效应及浮体效应,并提出了PD SOI MOSFET的建模方法及相应的模型参数提取方法。根据上述方法对西安微电子技术研究所0.35μm工艺条件下的PD SOI器件进行了建模和验证,结果显示所建立的模型与测试数据吻合,表明本文所提方法的准确性及有效性。
文摘航天器中芯片工作时钟频率的不断提高使得单粒子翻转(single-event-upset,SEU)效应对时序逻辑的影响更加显著。目前已经提出的辐射加固锁存器存在面积和延时较大、功耗较高且抗单粒子翻转能力有限的问题。针对这些问题,提出了一款基于130 nm部分耗尽绝缘体上硅(partially-depleted silicon on insulator,PD-SOI)工艺的高速单粒子辐射自恢复锁存器。在对电路设计进行介绍的基础上,与其他已经报道的电路进行了对比,并利用节点翻转分析和仿真波形验证了该锁存器具有抗单粒子翻转自恢复的功能。对比结果表明,与其他的抗单粒子翻转自恢复锁存器相比,在牺牲部分功耗的代价下,大幅减小了锁存器的面积和延时。本方案所提出的辐射加固锁存器的综合开销指标APDP较其他辐射加固锁存器平均节省了71.14%,适用于辐射环境下的对速度和可靠性有较高要求的电路,为国产宇航高可靠自研芯片提供了选择。
