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Wi-Fi 7技术及其矿井应用 被引量：1
1
作者 姜玉峰 《中国矿业》 北大核心 2024年第4期152-157,共6页
随着矿山智能化建设的持续推进,井下网络的部署规模和应用场景在不断扩展,对无线通信的速率、时延、可靠性等提出了更高的要求。Wi-Fi 7是下一代的无线通信技术,对应于最新的IEEE 802.11be协议标准,能够为井下网络建设提供全新的无线通... 随着矿山智能化建设的持续推进,井下网络的部署规模和应用场景在不断扩展,对无线通信的速率、时延、可靠性等提出了更高的要求。Wi-Fi 7是下一代的无线通信技术,对应于最新的IEEE 802.11be协议标准,能够为井下网络建设提供全新的无线通信解决方案。面向应用部署,本文从速率增强、低时延保障、干扰抑制方面分析了Wi-Fi 7的技术特性及效果。通过采用更大带宽、更高阶调制以及多用户MIMO等策略,Wi-Fi 7能够实现速率的显著增强,达到30 Gbps的目标;通过引入多AP联合传输、多链路操作等机制,Wi-Fi 7能够形成可靠的低时延保障,达到低于5 ms的目标;通过利用前导码打孔、协同OFDMA、空间重用等技术,Wi-Fi 7能够建立强大的干扰抑制能力,满足复杂环境的使用需求。针对矿山智能化建设,提出了以矿井PON+Wi-Fi 7为代表的网络架构,以及数字孪生工作面、装备远程控制等应用,同时分析了Wi-Fi 7与50G PON融合、与5G/5G-Advanced共存、与各类Wi-Fi协同的发展前景。可以预见,Wi-Fi 7大规模商用之后,将成为低成本、高价值的智能矿山信息基础设施。 展开更多
关键词 矿井通信 Wi-Fi 7 速率增强 低时延保障 干扰抑制 智能矿山
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高转换速率恒定跨导轨对轨运算放大器的设计 被引量：5
2
作者 王松林 陈雷 +1 位作者 叶强 张树春 《华中科技大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期80-83,共4页
基于台积电(TSMC)0.6μmCMOS(互补金属氧化物半导体)工艺设计了一款恒定跨导轨对轨输入/输出运算放大器.不同于传统的实现恒定跨导的技术,在电路设计实现上通过一个简单的检测电路,使互补差分对在整个共模输入电压变化范围内交替工作,... 基于台积电(TSMC)0.6μmCMOS(互补金属氧化物半导体)工艺设计了一款恒定跨导轨对轨输入/输出运算放大器.不同于传统的实现恒定跨导的技术,在电路设计实现上通过一个简单的检测电路,使互补差分对在整个共模输入电压变化范围内交替工作,实现了跨导恒定.同时为了得到较高的转换速率,加入了转换速率增强结构,使转换速率高达116V/μs.在Hspice仿真平台下,对运算放大器进行了模拟仿真,同时经投片验证,结果表明该轨对轨运算放大器具有良好的性能,静态功耗小于1.5mW. 展开更多
关键词 运算放大器 互补金属氧化物半导体(CMOS) 恒定跨导 转换速率增强结构 静态功耗
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无片上电容的负载瞬态响应增强型LDO 被引量：2
3
作者 韩旭 张为 +1 位作者 王金川 刘艳艳 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期336-339,共4页
提出了一种无片上电容的低压差线性稳压器(LDO),通过增加转换速率增强电路,对LDO输出电压的变化进行探测,从而对误差放大器偏置电流进行补偿,达到改善负载瞬态响应的目的。该LDO基于0.18μm CMOS工艺设计,输出电压为1.2V,最大负载电流为... 提出了一种无片上电容的低压差线性稳压器(LDO),通过增加转换速率增强电路,对LDO输出电压的变化进行探测,从而对误差放大器偏置电流进行补偿,达到改善负载瞬态响应的目的。该LDO基于0.18μm CMOS工艺设计,输出电压为1.2V,最大负载电流为100mA。仿真和测试结果表明,该LDO的瞬态负载响应改善明显,具有较好的低功耗特性,在保证电路稳定性的前提下,大大减小了芯片的面积。 展开更多
关键词 无片上电容LDO 转换速率增强 低功耗 动态偏置
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窄条宽MOCVD选区生长InP系材料的速率增强因子
4
作者 张瑞英 董杰 +3 位作者 周帆 冯志伟 边静 王圩 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期399-402,共4页
报道了窄条宽选区生长有机金属化学气相沉积 (NSAG- MOCVD)成功生长的 In P系材料 ,并提出在 NSAG-MOCVD生长研究中 ,引入填充因子的必要性 ,给出速率增强因子随填充因子变化的经验公式 ,计算得出速率增强因子随填充因子的变化关系 .与... 报道了窄条宽选区生长有机金属化学气相沉积 (NSAG- MOCVD)成功生长的 In P系材料 ,并提出在 NSAG-MOCVD生长研究中 ,引入填充因子的必要性 ,给出速率增强因子随填充因子变化的经验公式 ,计算得出速率增强因子随填充因子的变化关系 .与实验结果作了比较 ,发现 In P的速率增强因子主要取决于掩膜宽度 ,In Ga As P的速率增强因子不仅与掩膜宽度有关 ,同时也依赖于生长厚度 。 展开更多
关键词 窄条宽选区生长 MOCVD 磷化铟系材料 速率增强因子
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基于速率增强JTIDS波形的干扰检测与擦除方法
5
作者 张彧 吴钊 宋健 《清华大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期821-825,共5页
联合战术信息分发系统(JTIDS)是一种应用广泛的态势感知数据链。为解决速率增强JTIDS波形在部分频带阻塞干扰下性能恶化的问题,该文提出了一种低复杂度的干扰检测与擦除策略。首先对每个脉冲的信噪比(SNR)进行估计,并对脉冲进行粗分类... 联合战术信息分发系统(JTIDS)是一种应用广泛的态势感知数据链。为解决速率增强JTIDS波形在部分频带阻塞干扰下性能恶化的问题,该文提出了一种低复杂度的干扰检测与擦除策略。首先对每个脉冲的信噪比(SNR)进行估计,并对脉冲进行粗分类。接着,估计出整个时隙内普通脉冲的平均SNR。最后,对脉冲进行精细分类,并依据一定的策略给每个脉冲赋予一个擦除因子。仿真表明:该方法能极大减小部分频带阻塞干扰对解调性能的影响,显著降低误码率。该方法复杂度低,易于实现。 展开更多
关键词 速率增强联合战术信息分发系统 干扰检测 擦除因子 信噪比估计
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