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包含SiC/SiO2界面电荷的SiC MOSFET的SPICE模型
被引量：
4
1
作者
周郁明
蒋保国
+2 位作者
刘航志
陈兆权
王兵
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2019年第19期5604-5612,共9页
建立碳化硅(silicon carbide,SiC)金属–氧化物–半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor, MOSFET)的通用模拟电路仿真器(simulation program with integrated circuit emphasis,SPICE)模型。模型采用三...
建立碳化硅(silicon carbide,SiC)金属–氧化物–半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor, MOSFET)的通用模拟电路仿真器(simulation program with integrated circuit emphasis,SPICE)模型。模型采用三段电流表达式分别描述SiC MOSFET工作在截止区、线性区和饱和区,引入SiCMOSFET的漏极和源极之间的泄漏电流及栅极氧化层的泄漏电流,并采用包含SiC/SiO2界面电荷的迁移率模型描述沟道载流子在不同温度范围内的行为表现,建立电–热网络模型模拟SiC MOSFET在开关状态和高电应力下的自热效应。开关电路和短路实验验证了所建立的SiC MOSFET的SPICE模型的准确性。应用所建立的SPICE模型讨论不同密度的SiC/SiO2界面电荷对SiC MOSFET的开关特性及短路失效的影响。结果表明,高密度的界面电荷一方面能够延迟SiCMOSFET的导通并增加通态电阻,导致SiCMOSFET的开关损耗增加,另一方面能够降低SiCMOSFET在短路环境下的饱和电流,并延迟SiC MOSFET的失效。
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关键词
通用
模拟
电路仿真
器
模型
碳化硅金属–氧化物–半导体场效应晶体管
界面电荷
迁移率
泄漏电流
失效
下载PDF
职称材料
基于场路仿真的PCIe电磁干扰分析及优化设计
被引量：
4
2
作者
杨会
宋航
肖夏
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第4期97-103,共7页
采用电磁仿真技术,提前评估PCB的电磁兼容设计是否合理,当对PCB进行电磁兼容测试时,减少其电磁干扰不满足GMW 3097标准的情况出现。首先对PCB进行3D电磁场仿真,再与高速串行计算机扩展总线标准模块内芯片的通用模拟电路仿真模型的电路...
采用电磁仿真技术,提前评估PCB的电磁兼容设计是否合理,当对PCB进行电磁兼容测试时,减少其电磁干扰不满足GMW 3097标准的情况出现。首先对PCB进行3D电磁场仿真,再与高速串行计算机扩展总线标准模块内芯片的通用模拟电路仿真模型的电路仿真动态链接,进行场路协同仿真。实验验证表明,该仿真方法的精度在6 dBμV之内,满足PCB加工工艺的误差和实验测试的不确定度,符合仿真精度要求。通过该仿真方法评估PCB的电磁干扰强度以及优化PCB的设计,将高速串行计算机扩展总线标准模块上的33Ω电阻替换为磁珠后,该PCB在1.6 GHz处的电磁干扰强度降低了13.4 dB。根据CISPR 25标准规定的1-m法进行测试,PCB的电磁干扰变为-3.4 dBμV,低于GMW 3097标准要求,从而验证了该措施的有效性。
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关键词
PCIe模块
共模辐射
电磁干扰
通用
模拟
电路仿真
模型
电磁
仿真
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职称材料
题名
包含SiC/SiO2界面电荷的SiC MOSFET的SPICE模型
被引量：
4
1
作者
周郁明
蒋保国
刘航志
陈兆权
王兵
机构
安徽工业大学电气与信息工程学院
湖南大学电气与信息工程学院
出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2019年第19期5604-5612,共9页
基金
国家自然科学基金项目(11575003)~~
文摘
建立碳化硅(silicon carbide,SiC)金属–氧化物–半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor, MOSFET)的通用模拟电路仿真器(simulation program with integrated circuit emphasis,SPICE)模型。模型采用三段电流表达式分别描述SiC MOSFET工作在截止区、线性区和饱和区,引入SiCMOSFET的漏极和源极之间的泄漏电流及栅极氧化层的泄漏电流,并采用包含SiC/SiO2界面电荷的迁移率模型描述沟道载流子在不同温度范围内的行为表现,建立电–热网络模型模拟SiC MOSFET在开关状态和高电应力下的自热效应。开关电路和短路实验验证了所建立的SiC MOSFET的SPICE模型的准确性。应用所建立的SPICE模型讨论不同密度的SiC/SiO2界面电荷对SiC MOSFET的开关特性及短路失效的影响。结果表明,高密度的界面电荷一方面能够延迟SiCMOSFET的导通并增加通态电阻,导致SiCMOSFET的开关损耗增加,另一方面能够降低SiCMOSFET在短路环境下的饱和电流,并延迟SiC MOSFET的失效。
关键词
通用
模拟
电路仿真
器
模型
碳化硅金属–氧化物–半导体场效应晶体管
界面电荷
迁移率
泄漏电流
失效
Keywords
simulation program with integrated circuit emphasis (SPICE) model
silicon carbide (SiC) metal-oxide- semiconductor field-effect transistor (MOSFET)
interface trapped charge
mobility
leakage current
failure
分类号
TM464 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
基于场路仿真的PCIe电磁干扰分析及优化设计
被引量：
4
2
作者
杨会
宋航
肖夏
机构
天津大学微电子学院成像与传感微电子技术重点实验室
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第4期97-103,共7页
文摘
采用电磁仿真技术,提前评估PCB的电磁兼容设计是否合理,当对PCB进行电磁兼容测试时,减少其电磁干扰不满足GMW 3097标准的情况出现。首先对PCB进行3D电磁场仿真,再与高速串行计算机扩展总线标准模块内芯片的通用模拟电路仿真模型的电路仿真动态链接,进行场路协同仿真。实验验证表明,该仿真方法的精度在6 dBμV之内,满足PCB加工工艺的误差和实验测试的不确定度,符合仿真精度要求。通过该仿真方法评估PCB的电磁干扰强度以及优化PCB的设计,将高速串行计算机扩展总线标准模块上的33Ω电阻替换为磁珠后,该PCB在1.6 GHz处的电磁干扰强度降低了13.4 dB。根据CISPR 25标准规定的1-m法进行测试,PCB的电磁干扰变为-3.4 dBμV,低于GMW 3097标准要求,从而验证了该措施的有效性。
关键词
PCIe模块
共模辐射
电磁干扰
通用
模拟
电路仿真
模型
电磁
仿真
Keywords
PCIe module
common mode radiation
electromagnetic interference
Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis(SPICE) model
electromagnetic simulation
分类号
O441.4 [理学—电磁学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
包含SiC/SiO2界面电荷的SiC MOSFET的SPICE模型
周郁明
蒋保国
刘航志
陈兆权
王兵
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2019
4
下载PDF
职称材料
2
基于场路仿真的PCIe电磁干扰分析及优化设计
杨会
宋航
肖夏
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
4
下载PDF
职称材料
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