特高压晶闸管结终端造型技术 被引量：1

1

作者 高山城 李罛 +3 位作者 吴飞鸟 吴涛 袁渊 何杉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期129-135,共7页

分析了传统晶闸管结终端造型技术的优缺点。基于双负角结终端造型技术,通过径向变掺杂技术和类台面造型技术改进,发展了一种全新的结终端造型技术。该技术不仅使芯片极薄化,而且使结终端造型占用芯片长度极小化,同时使有效导通长度极大... 分析了传统晶闸管结终端造型技术的优缺点。基于双负角结终端造型技术,通过径向变掺杂技术和类台面造型技术改进,发展了一种全新的结终端造型技术。该技术不仅使芯片极薄化,而且使结终端造型占用芯片长度极小化,同时使有效导通长度极大化。制造并测试了三种不同结终端造型技术的样品,测试结果表明,采用该技术的样品在不降低阻断电压(≥8 000 V)前提下,具有更小的漏电流(2.50 m A);在流过相同的通态电流(4 500 A)时,具有更小的通态压降1.782 V;而且反向恢复电荷、dv/dt耐量、di/dt耐量、关断时间等得到全面优化。成功研制了6英寸(1英寸=2.54 cm)电流为4 500 A、阻断电压为8 500 V的特高压晶闸管,其动态特性和参数的一致性满足设计及应用要求。 展开更多

关键词 结终端 变掺杂 类台面 阻断电压 通态电流 通态压降

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中国IGBT功率半导体器件产业观察 被引量：1

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作者 赵洁 《半导体信息》 2012年第2期32-34,共3页

IGBT是功率器件技术演变的最新产品,是未来功率器件的主流发展方向。IGBT器件是一种MOSFET与双极晶体管复合器件。既有功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高的优点,又有功率晶体管的导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。基于技... IGBT是功率器件技术演变的最新产品,是未来功率器件的主流发展方向。IGBT器件是一种MOSFET与双极晶体管复合器件。既有功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高的优点,又有功率晶体管的导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。基于技术和功能上的优势。 展开更多

关键词 功率半导体器件 IGBT 双极晶体管 通态电流 功率晶体管 器件技术 逆变器 智能电网 高压直流 电力电子技术

原文传递

车用雪崩二极管并联中的几个问题

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作者 曹榆 张晓民 +2 位作者 沈兴祖 吕华岗 潘福泉 《变频技术应用》 2013年第3期49-52,共4页

在简明车用雪崩二极管的并联的必然的性同时，从其关联均流的基本问题出发，通过实验对比．给出了正向通态电流的均流条件，以及反向雪崩电流发生时的均流形式。用详实的数据与理论验证，为车用雪崩二极管的选择，建立了基本的依循原则。

关键词 雪崩二极管 通态电流 反向雪崩电流 均流 选配

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车用雪崩二极管并联中的几个问题

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作者 曹榆 张晓民 +2 位作者 沈兴祖 吕华岗 潘福泉 《电源技术应用》 2014年第4期8-11,22,共5页

在阐明车用雪崩二极管的并联必然性同时，从其关联均流的基本问题出发，通过实验对比，给出了正向通态电流的均流条件，以及反向雪崩电流发生时的均流形式。用详实的数据与理论验证，为车用雪崩二极管的选择，建立了基本的依循原则。

关键词 雪崩二极管 通态电流 反向雪崩电流 均流 选配

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一种硅基新结构TG VDC SOI LIGBT

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作者 张海鹏 何健 +3 位作者 白建玲 张强 王颖 王彬 《电子科技》 2018年第11期11-14,共4页

针对传统的槽栅SOI LIGBT无法满足日益发展的智能功率集成电路对耐压性能和大电流处理能力需求的问题,文中提出了一种槽栅纵向双单元SOI LIGBT新结构。该结构在传统槽栅SOI LIGBT的漂移区引入了一个第二埋氧层,将器件隔离成上下两个并联... 针对传统的槽栅SOI LIGBT无法满足日益发展的智能功率集成电路对耐压性能和大电流处理能力需求的问题,文中提出了一种槽栅纵向双单元SOI LIGBT新结构。该结构在传统槽栅SOI LIGBT的漂移区引入了一个第二埋氧层,将器件隔离成上下两个并联的LIGBT单元,利用第二埋氧层的隔离增强器件的电流处理能力,并采用RESURF技术改善器件的正向阻断特性。Silvaco TCAD仿真结果表明,与常规TG SOI LIGBT相比,基于这种结构的通态电流提高了1. 2倍,击穿电压提高了1倍。 展开更多

关键词 槽栅 双单元 智能功率集成电路 通态电流 击穿电压

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双向晶闸管光隔离电路维修资料(下)

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作者 毛成 《家电检修技术（资料版）》 2009年第9期49-51,共3页

关键词 光耦合器 IFT UL 通态电流 双向可控硅 可控硅整流器 最大值 电路参数 隔离电压 输出端电压 ITM UTM 继电器 电子元件

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瑞萨利用氧化物半导体形成p型FET,为应用于CMOS开辟新路

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作者 郑冬冬 《半导体信息》 2013年第1期33-34,共2页

氧化物半导体将以高精细显示器的驱动晶体管为中心实现实用化。由于氧化物半导体具备可在低温下制备、性能高且透明的特点,因此有望广泛应用。不过,氧化物半导体存在难以形成p型晶体管的课题。实际上,作为氧化物半导体的典型代表已经实... 氧化物半导体将以高精细显示器的驱动晶体管为中心实现实用化。由于氧化物半导体具备可在低温下制备、性能高且透明的特点,因此有望广泛应用。不过,氧化物半导体存在难以形成p型晶体管的课题。实际上,作为氧化物半导体的典型代表已经实用化的In-Ga-Zn-O晶体管全都是n型。因此。 展开更多

关键词 氧化物半导体 FET 多层布线 漏极 通态电流 电源接口 半导体器件 逆变器 掩模 器件尺寸

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提高晶闸管器件对di/dt的耐受能力的途径 被引量：2

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作者 颜廷刚 鲁广斌 任伟忠 《信息技术》 2002年第9期67-68,共2页

介绍了晶闸管器件的通态电流上升率di/dt参数及其损坏晶闸管器件的机理 ,并进一步介绍了提高晶闸管器件的通态di/dt耐量的设计和工艺方法 ,及应用过程中限制晶闸管阳极电路的电流上升率 。

关键词 耐受能力 晶闸管 DI/DT 通态电流上升率 抑制方法

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脉冲功率开关RSD的高dI/dt特性研究

9

作者 梁琳 余岳辉 +1 位作者 颜家圣 周郁明 《华中科技大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期1-4,共4页

基于等离子体双极漂移模型,得到了超高速大功率半导体开关反向开关晶体管(RSD)的dI/dt耐量解析表达式,分析了RSD的主放电回路模型,在此基础上讨论了影响RSD的dI/dt特性的因素,dI/dt随预充电荷总量的增加、通过p基区的电子扩散时间和p基... 基于等离子体双极漂移模型,得到了超高速大功率半导体开关反向开关晶体管(RSD)的dI/dt耐量解析表达式,分析了RSD的主放电回路模型,在此基础上讨论了影响RSD的dI/dt特性的因素,dI/dt随预充电荷总量的增加、通过p基区的电子扩散时间和p基区电子寿命的缩短而增大,随主放电回路电压的上升和电感的减小而增大.RSD的dI/dt耐量可达1×105A.μs-1,远高于普通晶闸管,可应用于短脉冲大电流领域. 展开更多

关键词 通态电流上升率 反向开关晶体管 短脉冲 开关

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世界最大容量8kV/3.6kA光控晶闸管

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作者 K.Sato 黄慧 《大功率变流技术》 1997年第3期54-55,共2页

为了适应高压直流输电和反并系统中电力变流器的需要,三菱电子公司开发了152.4mm硅片8 kV/3.6 kA光控晶闸管(LTT)。这种新设计的器件比以前101.6 mmLTT功率控制容量增加了1倍,同时缓和器件容量增大而出现各种问题。

关键词 光控晶闸管 最大容量 折衷关系 高压直流输电 功率控制系统 电力变流器 通态电流临界上升率 断态电压临界上升率 特性参数 局部寿命控制

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瑞萨为氧化物半导体应用于CMOS电路开辟道路

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作者 宏海 《半导体信息》 2013年第3期18-18,共1页

氧化物半导体的应用领域不仅局限于显示器驱动晶体管,现在还提出了在玻璃基板和柔性基板上集成使用氧化物半导体的透明运算电路等独特应用。不过,氧化物半导体存在难以实现CMOS电路的缺点,因为很难形成p型晶体管,以前推出的In-Ga-Zn-O... 氧化物半导体的应用领域不仅局限于显示器驱动晶体管,现在还提出了在玻璃基板和柔性基板上集成使用氧化物半导体的透明运算电路等独特应用。不过,氧化物半导体存在难以实现CMOS电路的缺点,因为很难形成p型晶体管,以前推出的In-Ga-Zn-O晶体管全是n型。 展开更多

关键词 氧化物半导体 CMOS电路 玻璃基板 多层布线 漏极 应用领域 通态电流 电源接口 芯片制造 掩模

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中国首次拥有完全自主的IGBT“中国芯”

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作者 江安庆 《半导体信息》 2013年第5期14-14,共1页

我国自主研发的高压大功率3300 V/50AIGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片及由此芯片封装的大功率1200 A/3300VIGBT模块,近日通过专家鉴定。中国自此有了完全自主的IGBT"中国芯"。由中国北车设计开发的3300 V/50AIGBT芯片,是国内首... 我国自主研发的高压大功率3300 V/50AIGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片及由此芯片封装的大功率1200 A/3300VIGBT模块,近日通过专家鉴定。中国自此有了完全自主的IGBT"中国芯"。由中国北车设计开发的3300 V/50AIGBT芯片,是国内首件自主设计制造的高压IGBT芯片,迈开了国产IGBT功率"芯脏"替代进口的步伐。IGBT作为新一代功率半导体器件,具有驱动容易、控制简单、开关频率高、 展开更多

关键词 中国芯 IGBT 功率半导体器件 自主设计制造 家电产业 轨道交通装备 通态电流 功率变换 用电效率

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避免MOS管在测试时受EOS损坏的方法 被引量：2

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作者 陈菊华 《电子与封装》 2007年第8期17-20,共4页

由于MOS管是浅结系列产品,极有可能在测试时遭到静电击穿或过压过流而损坏。文中主要介绍MOS管在测试过程中,会造成实际测试时器件加上了允许的最大电压、电流或功率而导致器件损坏的情况。例如,在测试过程中电源连接不良,测试片与器件... 由于MOS管是浅结系列产品,极有可能在测试时遭到静电击穿或过压过流而损坏。文中主要介绍MOS管在测试过程中,会造成实际测试时器件加上了允许的最大电压、电流或功率而导致器件损坏的情况。例如,在测试过程中电源连接不良,测试片与器件接触不良,管脚接错,在测试程序中未设置正确的电压和电流钳位或DUT板损坏等。然后,针对此类现象的发生,提出了在测试过程中应采取的相应措施,从而有效地保证产品质量。 展开更多

关键词 金属氧化物半导体场效应晶体管 超压电 跨导 零栅压漏极电流 栅极-源极反向泄漏电流 通态漏源电压 通态漏源电流

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