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避免MOS管在测试时受EOS损坏的方法
被引量：
2
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作者
陈菊华
《电子与封装》
2007年第8期17-20,共4页
由于MOS管是浅结系列产品,极有可能在测试时遭到静电击穿或过压过流而损坏。文中主要介绍MOS管在测试过程中,会造成实际测试时器件加上了允许的最大电压、电流或功率而导致器件损坏的情况。例如,在测试过程中电源连接不良,测试片与器件...
由于MOS管是浅结系列产品,极有可能在测试时遭到静电击穿或过压过流而损坏。文中主要介绍MOS管在测试过程中,会造成实际测试时器件加上了允许的最大电压、电流或功率而导致器件损坏的情况。例如,在测试过程中电源连接不良,测试片与器件接触不良,管脚接错,在测试程序中未设置正确的电压和电流钳位或DUT板损坏等。然后,针对此类现象的发生,提出了在测试过程中应采取的相应措施,从而有效地保证产品质量。
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关键词
金属氧化物半导体场效应晶体管
超压电
跨导
零栅压
漏
极电流
栅极-
源
极反向泄
漏
电流
通态
漏
源
电压
通态
漏
源
电流
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职称材料
基于通态漏源电压的SiC MOSFET结温估计方法
被引量：
3
2
作者
信金蕾
杜明星
王颖丽
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2020年第10期17-20,共4页
以通态漏源电压为热敏感电参数(TSEP)来估计碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)模块的结温。首先,将SiC MOSFET模块的通态漏源电阻分为芯片通态漏源电阻和封装电路电阻两部分。当漏极电流在导通电路中流过时,相应产生芯...
以通态漏源电压为热敏感电参数(TSEP)来估计碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)模块的结温。首先,将SiC MOSFET模块的通态漏源电阻分为芯片通态漏源电阻和封装电路电阻两部分。当漏极电流在导通电路中流过时,相应产生芯片通态漏源电压降和封装电路电压降,从而得到SiC MOSFET模块的通态漏源电压降的测量及计算方法。其次,分析SiC MOSFET模块的芯片通态漏源电阻和封装电路电阻的温度特性,并得到整个模块通态漏源电阻的温度特性。最后,提取SiC MOSFET模块的通态漏源电阻、芯片通态漏源电阻和封装电路电阻,利用芯片通态漏源电压降和封装电路电压降的温度特性关系得到SiC MOSFET模块通态漏源电压解析模型,该方法可以实现实时监测结温的目的。理论和实验结果证明了该方法的可行性。
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关键词
金属氧化物半导体场效应晶体管
结温
通态
漏
源
电压
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职称材料
题名
避免MOS管在测试时受EOS损坏的方法
被引量：
2
1
作者
陈菊华
机构
长电科技股份有限公司
出处
《电子与封装》
2007年第8期17-20,共4页
文摘
由于MOS管是浅结系列产品,极有可能在测试时遭到静电击穿或过压过流而损坏。文中主要介绍MOS管在测试过程中,会造成实际测试时器件加上了允许的最大电压、电流或功率而导致器件损坏的情况。例如,在测试过程中电源连接不良,测试片与器件接触不良,管脚接错,在测试程序中未设置正确的电压和电流钳位或DUT板损坏等。然后,针对此类现象的发生,提出了在测试过程中应采取的相应措施,从而有效地保证产品质量。
关键词
金属氧化物半导体场效应晶体管
超压电
跨导
零栅压
漏
极电流
栅极-
源
极反向泄
漏
电流
通态
漏
源
电压
通态
漏
源
电流
Keywords
MOSFET
EOS
GMP
IDSS
IGSS
VDSON
IDON
分类号
TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
基于通态漏源电压的SiC MOSFET结温估计方法
被引量：
3
2
作者
信金蕾
杜明星
王颖丽
机构
天津理工大学
天津渤海职业技术学院
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2020年第10期17-20,共4页
基金
国家重点研发计划(2017YFB0102500)
天津市教委科研计划(2018KJ162)。
文摘
以通态漏源电压为热敏感电参数(TSEP)来估计碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)模块的结温。首先,将SiC MOSFET模块的通态漏源电阻分为芯片通态漏源电阻和封装电路电阻两部分。当漏极电流在导通电路中流过时,相应产生芯片通态漏源电压降和封装电路电压降,从而得到SiC MOSFET模块的通态漏源电压降的测量及计算方法。其次,分析SiC MOSFET模块的芯片通态漏源电阻和封装电路电阻的温度特性,并得到整个模块通态漏源电阻的温度特性。最后,提取SiC MOSFET模块的通态漏源电阻、芯片通态漏源电阻和封装电路电阻,利用芯片通态漏源电压降和封装电路电压降的温度特性关系得到SiC MOSFET模块通态漏源电压解析模型,该方法可以实现实时监测结温的目的。理论和实验结果证明了该方法的可行性。
关键词
金属氧化物半导体场效应晶体管
结温
通态
漏
源
电压
Keywords
metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
junction temperature
on-state drain-source voltage
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
避免MOS管在测试时受EOS损坏的方法
陈菊华
《电子与封装》
2007
2
下载PDF
职称材料
2
基于通态漏源电压的SiC MOSFET结温估计方法
信金蕾
杜明星
王颖丽
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2020
3
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职称材料
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