p型含铜透明导电材料的新进展 被引量：3

1

作者 吴历斌 江莞 黄富强 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期7-14,共8页

基于p型透明导体在平面显示、透明二极管和太阳能发电等领域的广泛应用前景,一些含铜的透明导体材料因具有优异的性能而备受人们关注．本文综述了p型含铜透明导体的研究现状．重点介绍含铜的氧化物和氧硫化合物的本征及其掺杂研究进展,... 基于p型透明导体在平面显示、透明二极管和太阳能发电等领域的广泛应用前景,一些含铜的透明导体材料因具有优异的性能而备受人们关注．本文综述了p型含铜透明导体的研究现状．重点介绍含铜的氧化物和氧硫化合物的本征及其掺杂研究进展,从结构化学的角度论述了此类化合物p型导电的机理及共性．研究结果表明,含[Cu2S2]导电层的层状氧硫化合物是颇具潜力的p型透明导体候选材料． 展开更多

关键词 P型 透明导体 层状结构

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Ag纳米网络结构的光学特性 被引量：1

2

作者 符彬啸 王莉莉 +2 位作者 张旭 薛琦 刘玉怀 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2022年第17期289-294,共6页

由局域表面等离子共振(LSPR)形成的周期性Ag纳米网络结构在深紫外到近红外波段的高透光透明导体中具有潜在应用,但纳米网络结构透射特性、导电特性及形态的关系仍有待进一步研究。首先,用有限元分析法从理论上分析了Ag纳米颗粒形态对LSP... 由局域表面等离子共振(LSPR)形成的周期性Ag纳米网络结构在深紫外到近红外波段的高透光透明导体中具有潜在应用,但纳米网络结构透射特性、导电特性及形态的关系仍有待进一步研究。首先,用有限元分析法从理论上分析了Ag纳米颗粒形态对LSPR特性的影响。然后,研究了沉积的Ag覆盖率对周期性纳米网络结构光透射特性的影响。最后,通过建立等效电阻模型,研究分析了Ag纳米网络结构的电阻率和透射率。结果表明,在沉积一定厚度的Ag纳米颗粒时可以获得具有较高透光性以及较小薄膜电阻的Ag纳米网络结构。 展开更多

关键词 材料 Ag纳米颗粒阵列 Ag纳米网络结构 透明导体 表面等离子共振

原文传递

面向太阳能应用的加强透明导电氧化物

3

作者 Joop van Deelen Paul Poodt Mirjam Theelen Henk Steijvers Hans W inands Henk Rendering Gilbere Mannie Arjan Hovestad 《建筑玻璃与工业玻璃》 2011年第7期26-28,12,共4页

在太阳能行业，镀膜玻璃的附加值最为一目了然。薄膜太阳能电池需要一个具有最大透明度和导电性的透明导电层。此外，这个透明导电层在大面积加工时必须符合成本效益。与商用TCO相比，荷兰应用科学研究院（TNO）采用工业移动带常压CVD... 在太阳能行业，镀膜玻璃的附加值最为一目了然。薄膜太阳能电池需要一个具有最大透明度和导电性的透明导电层。此外，这个透明导电层在大面积加工时必须符合成本效益。与商用TCO相比，荷兰应用科学研究院（TNO）采用工业移动带常压CVD法生产的透明导电氧化物（TCO）比目前市售的TCO具有更佳性能。此外，本文介绍了通过添加金属轨进一步提高TCO性能的策略。二者相结合，使其性能超过了当前市场上任何一种单一材料的透明导电层。模型试验以及玻璃和箔片实验都证实了这一点。金属轨的尺寸减小．使之适用于需要均匀性和更高透光性的应用。 展开更多

关键词 太阳能 薄膜光伏 透明导体 透明导电氧化物(TCO) 化学气相沉积(CVD)

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p型Cu/Q(Q=S,Se,Te)透明导体的设计、制备及性能研究

4

作者 吴历斌 黄富强 江莞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期427-432,共6页

利用结构功能区思想的导电功能区和透光功能区,提出了层状p型Cu/Q透明导体的设计模型.LaCuOTe和Sr3Cu2Sc2O5S2因结构层[Cu2Te2]和[Cu2S2]对应导电功能区、[La2O2]和[Sr3Sc2O5]对应透光功能区,符合模型设计思想,是兼具高导电性和高透光... 利用结构功能区思想的导电功能区和透光功能区,提出了层状p型Cu/Q透明导体的设计模型.LaCuOTe和Sr3Cu2Sc2O5S2因结构层[Cu2Te2]和[Cu2S2]对应导电功能区、[La2O2]和[Sr3Sc2O5]对应透光功能区,符合模型设计思想,是兼具高导电性和高透光性的透明导体,光谱和电导等验证了模型设计p型透明导体的可行性和正确性.从功能区角度,改变LaCuOS中导电功能层([Cu2S2]→[Cu2Te2])可显著提高材料导电性(10-3S/cm→100S/cm);替换LaCuOTe中透光功能层([La2O2]→[Sr3Sc2O5])能可控改善材料透光性(2.3eV→3.1eV). 展开更多

关键词 p型Cu/Q 透明导体 导电率 层状结构 结构功能区

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银-铜纳米线的研究和应用进展

5

作者 李耀 樊正阳 +3 位作者 原禧敏 杨宏伟 李郁秀 王川 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2020年第4期81-87,共7页

银-铜纳米线由于其优良的抗氧化性、机械柔韧性、低廉的成本以及与氧化铟锡相媲美的光电性能,具有广阔的应用前景。基于对30多篇国内外文献的分析,综述了液相还原法、种子介导法、模板法、水热法等制备银-铜纳米线的方法,并探讨了银-铜... 银-铜纳米线由于其优良的抗氧化性、机械柔韧性、低廉的成本以及与氧化铟锡相媲美的光电性能,具有广阔的应用前景。基于对30多篇国内外文献的分析,综述了液相还原法、种子介导法、模板法、水热法等制备银-铜纳米线的方法,并探讨了银-铜纳米线在透明导体、复合材料、传感器及催化剂等方面应用。最后,对银-铜纳米线的可控合成及其工业化应用提出了展望。 展开更多

关键词 银-铜纳米线 制备方法 应用 透明导体

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ITO透明半导体膜的研究 被引量：2

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作者 林钰 辛荣生 贾晓林 《河南教育学院学报（自然科学版）》 2003年第1期28-29,共2页

采用直流磁控溅射ITO陶瓷靶的高温低氧工艺,在玻璃衬底上成功地镀制了ITO透明半导体膜,其可见光透过率达80％以上,电阻率降到3×10^(-4)(?)cm以下。

关键词 ITO透明半导体膜 铟锡氧化物 ITO陶瓷 直流磁控贱射 高温低氧工艺 光透过率 电阻率

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基于增益透明SOA的OOK-8PSK调制格式转换研究 被引量：3

7

作者 杨昭怡 张琦 王拥军 《软件》 2013年第12期218-223,共6页

本文提出了一种基于级联型增益透明SOA的码型转换系统,通过三个级联增益透明SOA的相位调制作用实现OOK-8PSK的码型转换,避免了交叉增益调制与四波混频效应。本文从理论上建立了OOK-8PSK码型转换系统,并对该系统进行数值仿真,讨论了信号... 本文提出了一种基于级联型增益透明SOA的码型转换系统,通过三个级联增益透明SOA的相位调制作用实现OOK-8PSK的码型转换,避免了交叉增益调制与四波混频效应。本文从理论上建立了OOK-8PSK码型转换系统,并对该系统进行数值仿真,讨论了信号光功率、辅助光功率对码型转换性能的影响,最后对产生的8PSK码型信号进行判决,精确解调出码型转换前的OOK信号,验证了系统的可行性。 展开更多

关键词 增益透明半导体光放大器 码型转换

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钛镓掺杂氧化锌透明半导体薄膜的光电性能研究 被引量：2

8

作者 顾锦华 万鑫 +2 位作者 龙浩 陈首部 钟志有 《中南民族大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2022年第6期676-681,共6页

以玻璃作为衬底,采用射频磁控溅射技术,制备了钛镓掺杂氧化锌(TiGaZnO)透明半导体薄膜,通过紫外-可见分光光度计和霍耳效应测试系统表征,研究了沉积气压对样品光学和电学性能的影响。结果表明:所有薄膜样品在可见光波段都具有良好的透光... 以玻璃作为衬底,采用射频磁控溅射技术,制备了钛镓掺杂氧化锌(TiGaZnO)透明半导体薄膜,通过紫外-可见分光光度计和霍耳效应测试系统表征,研究了沉积气压对样品光学和电学性能的影响。结果表明:所有薄膜样品在可见光波段都具有良好的透光性,其可见光平均透射率均高于81.0%。同时沉积气压对薄膜光学和电学性能也具有明显的影响,当沉积气压为0.4 Pa时,TiGaZnO薄膜具有相对高的品质因数(4.034×10^(3)Ω^(-1)·cm^(-1))和低的电阻率(1.685×10^(-3)Ω·cm),其光电综合性能较好。 展开更多

关键词 磁控溅射技术 透明半导体 光电性能

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掺钛GZO透明半导体薄膜的光学性质研究 被引量：1

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作者 钟志有 陆轴 龙路 《中南民族大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2015年第3期64-71,共8页

以钛掺杂氧化锌镓(GZO)陶瓷靶作为溅射源材料,采用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了掺钛GZO(GZO:Ti)透明半导体薄膜,利用光谱拟合方法计算了GZO:Ti薄膜的折射度、消光系数和厚度等光学参数,研究了氩气压强对GZO:Ti薄膜光学性质的影响... 以钛掺杂氧化锌镓(GZO)陶瓷靶作为溅射源材料,采用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了掺钛GZO(GZO:Ti)透明半导体薄膜,利用光谱拟合方法计算了GZO:Ti薄膜的折射度、消光系数和厚度等光学参数,研究了氩气压强对GZO:Ti薄膜光学性质的影响.结果表明:拟合光谱曲线与实验测量光谱曲线一致,薄膜的光学性质与氩气压强密切相关,GZO:Ti薄膜折射率随波长增大而逐渐减小,表现出正常的色散性质.另外还采用包络法计算了GZO:Ti薄膜的折射率和厚度,两种方法所获得的结果是基本相符的. 展开更多

关键词 掺杂氧化锌 透明半导体薄膜 光学常数

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新产品 新工艺 新趋势

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作者 宋冬泉 《北京电子》 2003年第5期38-39,共2页

关键词 透明半导体 γ射线望远镜 DLP 数字光处理 电脑录音 电子救生员 数字身份证

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磁控溅射制备镁镓共掺氧化锌透明半导体薄膜及其性能研究

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作者 康淮 陆轴 +1 位作者 钟志有 龙浩 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期1938-1942,共5页

以MgO∶Ga_2O_3∶ZnO(2%∶2%∶96%,质量分数)陶瓷靶作为溅射源,采用磁控溅射技术在石英玻璃衬底上制备了镁镓共掺氧化锌(MGZO)透明半导体薄膜。采用XRD、SEM、霍尔效应仪和分光光度计对MGZO薄膜进行测试表征,研究了溅射压强对MGZO薄膜... 以MgO∶Ga_2O_3∶ZnO(2%∶2%∶96%,质量分数)陶瓷靶作为溅射源,采用磁控溅射技术在石英玻璃衬底上制备了镁镓共掺氧化锌(MGZO)透明半导体薄膜。采用XRD、SEM、霍尔效应仪和分光光度计对MGZO薄膜进行测试表征,研究了溅射压强对MGZO薄膜晶体结构、电学性质和光学性能的影响。结果表明:所有MGZO薄膜均为六角纤锌矿结构并具有(002)择优取向生长特性,溅射压强对薄膜晶体结构和光电性能有明显影响,但几乎不影响其直接光学能隙(3.41~3.44eV)。当溅射压强为3.5Pa时,MGZO薄膜的结晶质量最好、张应力最小(8.29×10-2 GPa)、电阻率最低(1.62×10-3Ω·cm)、可见光区平均透过率最高(87.8%)、品质因数最大(4.76×103Ω^(-1)·cm^(-1)),具有最好的光电综合性能。 展开更多

关键词 氧化锌 透明半导体薄膜 掺杂 磁控溅射 光电性能

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一种基于锡锑氧化物的透明PN结及整流特性(英文)

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作者 季振国 周荣福 +2 位作者 毛启楠 霍丽娟 曹虹 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1259-1262,共4页

利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜(TAO).根据霍尔效应测试结果,当Sn/Sb原子比处于0.22～0.33范围内时,TAO薄膜是p型导电的,在此范围之外,TAO薄膜是n型导电的.光学带隙测量结果表明,不同Sn/Sb比的TAO薄膜的禁带宽度基本相同... 利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜(TAO).根据霍尔效应测试结果,当Sn/Sb原子比处于0.22～0.33范围内时,TAO薄膜是p型导电的,在此范围之外,TAO薄膜是n型导电的.光学带隙测量结果表明,不同Sn/Sb比的TAO薄膜的禁带宽度基本相同(～3.9eV).构造了一个全透明的PN结,其中n区为Sn/Sb原子比为0.5的TAO薄膜,p区为Sn/Sb原子比为0.33的TAO薄膜.n区TAO的电极用铟锡氧化物(ITO),p区TAO的电极用Cu薄膜.实验结果表明,由于两种导电类型的TAO薄膜具有相同的禁带宽度,上述透明PN结构具有典型的准同质PN结的整流特性. 展开更多

关键词 透明半导体薄膜 锡锑氧化物 PN结

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稀土铜硫化合物TbCuS2的合成和晶体结构

13

作者 吴历斌 刘敏玲 +1 位作者 黄富强 陈立东 《化工中间体》 2005年第9期60-60,共1页

简介：在光伏工业中，高透明高电导的P型材料的发现将产生诸多应用，比如透明二极管＼透明半导体、p-n杂结、功能化窗口等。近来，一些含铜化合物作为P型透明导体的研究探索引起了人们的广泛关注。由于铜硫化合物或铜氧硫化合物是潜在... 简介：在光伏工业中，高透明高电导的P型材料的发现将产生诸多应用，比如透明二极管＼透明半导体、p-n杂结、功能化窗口等。近来，一些含铜化合物作为P型透明导体的研究探索引起了人们的广泛关注。由于铜硫化合物或铜氧硫化合物是潜在的良好P型透明导体，因此这方面的研究具有非常现实的意义。至今己经发现和合成出的三元稀土铜硫化合物主要为LnCuS2（Ln=稀土元素和Y），其晶系和晶胞参数在文献上已有报道。 展开更多

关键词 稀土铜硫化合物 TbCuS2 合成方法 晶体结构 P型透明导体 晶系 晶胞参数

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日本开发出透明半导体陶瓷

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《陶瓷科学与艺术》 CAS 2003年第1期55-55,共1页

关键词 透明半导体陶瓷 氧化铝 氧化钙 氢负离子

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透明半导体陶瓷

15

作者 杨晓婵 《现代材料动态》 2003年第3期7-7,共1页

关键词 氧化钙 氧化铝 性能 透明半导体陶瓷

原文传递

日本开发出透明半导体陶瓷

16

《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2003年第3期95-95,共1页

关键词 日本 开发 透明半导体陶瓷 日本东工大应用陶瓷研究所

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