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掺钛GZO透明半导体薄膜的光学性质研究 被引量：1
1
作者 钟志有 陆轴 龙路 《中南民族大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2015年第3期64-71,共8页
以钛掺杂氧化锌镓(GZO)陶瓷靶作为溅射源材料,采用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了掺钛GZO(GZO:Ti)透明半导体薄膜,利用光谱拟合方法计算了GZO:Ti薄膜的折射度、消光系数和厚度等光学参数,研究了氩气压强对GZO:Ti薄膜光学性质的影响... 以钛掺杂氧化锌镓(GZO)陶瓷靶作为溅射源材料,采用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了掺钛GZO(GZO:Ti)透明半导体薄膜,利用光谱拟合方法计算了GZO:Ti薄膜的折射度、消光系数和厚度等光学参数,研究了氩气压强对GZO:Ti薄膜光学性质的影响.结果表明:拟合光谱曲线与实验测量光谱曲线一致,薄膜的光学性质与氩气压强密切相关,GZO:Ti薄膜折射率随波长增大而逐渐减小,表现出正常的色散性质.另外还采用包络法计算了GZO:Ti薄膜的折射率和厚度,两种方法所获得的结果是基本相符的. 展开更多
关键词 掺杂氧化锌 透明半导体薄膜 光学常数
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一种基于锡锑氧化物的透明PN结及整流特性(英文)
2
作者 季振国 周荣福 +2 位作者 毛启楠 霍丽娟 曹虹 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1259-1262,共4页
利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜(TAO).根据霍尔效应测试结果,当Sn/Sb原子比处于0.22～0.33范围内时,TAO薄膜是p型导电的,在此范围之外,TAO薄膜是n型导电的.光学带隙测量结果表明,不同Sn/Sb比的TAO薄膜的禁带宽度基本相同... 利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜(TAO).根据霍尔效应测试结果,当Sn/Sb原子比处于0.22～0.33范围内时,TAO薄膜是p型导电的,在此范围之外,TAO薄膜是n型导电的.光学带隙测量结果表明,不同Sn/Sb比的TAO薄膜的禁带宽度基本相同(～3.9eV).构造了一个全透明的PN结,其中n区为Sn/Sb原子比为0.5的TAO薄膜,p区为Sn/Sb原子比为0.33的TAO薄膜.n区TAO的电极用铟锡氧化物(ITO),p区TAO的电极用Cu薄膜.实验结果表明,由于两种导电类型的TAO薄膜具有相同的禁带宽度,上述透明PN结构具有典型的准同质PN结的整流特性. 展开更多
关键词 透明半导体薄膜 锡锑氧化物 PN结
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磁控溅射制备镁镓共掺氧化锌透明半导体薄膜及其性能研究
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作者 康淮 陆轴 +1 位作者 钟志有 龙浩 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期1938-1942,共5页
以MgO∶Ga_2O_3∶ZnO(2%∶2%∶96%,质量分数)陶瓷靶作为溅射源,采用磁控溅射技术在石英玻璃衬底上制备了镁镓共掺氧化锌(MGZO)透明半导体薄膜。采用XRD、SEM、霍尔效应仪和分光光度计对MGZO薄膜进行测试表征,研究了溅射压强对MGZO薄膜... 以MgO∶Ga_2O_3∶ZnO(2%∶2%∶96%,质量分数)陶瓷靶作为溅射源,采用磁控溅射技术在石英玻璃衬底上制备了镁镓共掺氧化锌(MGZO)透明半导体薄膜。采用XRD、SEM、霍尔效应仪和分光光度计对MGZO薄膜进行测试表征,研究了溅射压强对MGZO薄膜晶体结构、电学性质和光学性能的影响。结果表明:所有MGZO薄膜均为六角纤锌矿结构并具有(002)择优取向生长特性,溅射压强对薄膜晶体结构和光电性能有明显影响,但几乎不影响其直接光学能隙(3.41~3.44eV)。当溅射压强为3.5Pa时,MGZO薄膜的结晶质量最好、张应力最小(8.29×10-2 GPa)、电阻率最低(1.62×10-3Ω·cm)、可见光区平均透过率最高(87.8%)、品质因数最大(4.76×103Ω^(-1)·cm^(-1)),具有最好的光电综合性能。 展开更多
关键词 氧化锌 透明半导体薄膜 掺杂 磁控溅射 光电性能
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溶胶-凝胶法制备氧化锡基薄膜及薄膜晶体管的研究进展 被引量：6
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作者 刘贤哲 张旭 +7 位作者 陶洪 黄健朗 黄江夏 陈艺涛 袁炜健 姚日晖 宁洪龙 ‡彭俊彪 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第22期242-257,共16页
透明导电氧化物(transparent conductive oxides, TCOs)薄膜和透明氧化物半导体(transparent oxide semiconductors, TOSs)薄膜具有高透明度和良好的导电率等特点,广泛应用于太阳能电池、平板显示、智能窗以及透明柔性电子器件等领域.... 透明导电氧化物(transparent conductive oxides, TCOs)薄膜和透明氧化物半导体(transparent oxide semiconductors, TOSs)薄膜具有高透明度和良好的导电率等特点,广泛应用于太阳能电池、平板显示、智能窗以及透明柔性电子器件等领域.大多数TCOs和TSOs薄膜主要是以氧化铟、氧化锌和氧化锡三种材料为基础衍生来的,其中,氧化铟薄膜中In元素有毒、含量稀少且价格昂贵,会造成环境污染;氧化锌薄膜对酸或碱刻蚀液敏感,薄膜图形化困难;氧化锡薄膜不仅无毒、无污染、价格低廉,还具有良好的电学性能和化学稳定性,具有巨大的发展潜力.目前,薄膜的制备主要依赖于真空镀膜技术.此类技术的缺点在于设备结构复杂且价格昂贵、能耗高、工艺复杂、生产成本高等.相比传统真空镀膜技术,溶胶-凝胶法具有工艺简单、成本低等优点,受到了人们的广泛关注.本文从TCOs和TSOs薄膜的发展现状和发展趋势出发,先介绍了氧化锡薄膜的结构特性、导电机制、元素掺杂理论以及载流子散射机理,然后介绍了溶胶-凝胶法原理和制备方法,接着介绍了近些年来溶胶-凝胶法制备氧化锡基薄膜在n型透明导电薄膜、薄膜晶体管以及p型半导体薄膜中的应用和发展,最后总结了当前存在的问题以及今后研究的方向. 展开更多
关键词 氧化锡 溶胶-凝胶法 透明导电氧化物薄膜 透明氧化物半导体薄膜 薄膜晶体管 p型半导体薄膜
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