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GaAs基VCSEL干法刻蚀技术研究综述 被引量:1
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作者 范昊轩 张文博 +1 位作者 李沐泽 郝永芹 《红外》 CAS 2023年第2期24-34,共11页
GaAs基垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL)自1977年问世以来,凭借阈值电流较低、光束质量很高、可集成到二维阵列、易单模激射等优势被广泛应用于各个领域,但是其尺寸过小而在制造中难以精确控制精度、... GaAs基垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL)自1977年问世以来,凭借阈值电流较低、光束质量很高、可集成到二维阵列、易单模激射等优势被广泛应用于各个领域,但是其尺寸过小而在制造中难以精确控制精度、等离子体刻蚀时易对掩膜和侧壁造成形貌损伤、刻蚀过程中生成副产物过多等问题,影响了应用范围和提高了制造难度。如何保持高刻蚀速率并尽可能地减小刻蚀损伤成为了目前的研究热点问题。分析了GaAs基VCSEL干法刻蚀技术的研究现状与技术难点,并展望了未来的发展趋势。 展开更多
关键词 GAAS 垂直腔面发射激光器 干法刻蚀 选择性刻蚀 刻蚀损伤
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环栅晶体管制备中SiGe选择性刻蚀技术综述
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作者 刘恩序 李俊杰 +5 位作者 刘阳 杨超然 周娜 李俊峰 罗军 王文武 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期14-20,共7页
环栅(Gate-all-around,GAA)晶体管是3 nm以下节点替代现有鳍式晶体管(FinFET)最有竞争力的器件结构,能有效改善器件尺寸不断微缩带来的短沟道效应。与FinFET相比,GAA器件制备的工艺流程中内侧墙制备和沟道释放是新引入的工艺模块,均需要... 环栅(Gate-all-around,GAA)晶体管是3 nm以下节点替代现有鳍式晶体管(FinFET)最有竞争力的器件结构,能有效改善器件尺寸不断微缩带来的短沟道效应。与FinFET相比,GAA器件制备的工艺流程中内侧墙制备和沟道释放是新引入的工艺模块,均需要SiGe选择性刻蚀技术。工艺要求SiGe作为牺牲层被选择性刻蚀去除,且尽可能减少对Si沟道的损伤。本文对环栅晶体管制备工艺中所需的SiGe选择性刻蚀技术进行了综述,主要分析了器件结构的发展趋势及SiGe选择性刻蚀的应用,并分类综述了常规SiGe选择性刻蚀方法以及新型选择性刻蚀技术的发展历程,分析了各种技术的优点和不足。最后对SiGe选择性刻蚀技术面临的挑战进行了分析,并对其未来可能的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 锗硅 选择性刻蚀 环栅 内侧墙 沟道释放 纳米线 纳米片
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Carbon monoxide oxidation on copper manganese oxides prepared by selective etching with ammonia 被引量:5
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作者 石磊 胡臻浩 +1 位作者 邓高明 李文翠 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期1920-1927,共8页
A series of copper manganese oxides were prepared using a selective etching technique with various amounts of ammonia added during the co-precipitation process. The effect of the ammonia etching on the structure and c... A series of copper manganese oxides were prepared using a selective etching technique with various amounts of ammonia added during the co-precipitation process. The effect of the ammonia etching on the structure and catalytic properties of the copper manganese oxides was investigated using elemental analysis, nitrogen physisorption, X-ray powder diffraction, scanning and transmission electron microscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, H2 temperature-programmed reduc- tion, and Oz temperature-programmed desorption combined with catalytic oxidation of CO. It was found that ammonia can selectively remove copper species from the copper manganese oxides, which correspondingly generates more defects in these oxides. An oxygen spillover from the man- ganese to the copper species was observed by H2 temperature-programmed desorption, indicating that ammonia etching enhanced the mobility of lattice oxygen species in these oxides. The Oz tem- perature-programmed desorption measurements further revealed that ammonia etching improved the ability of these oxides to release lattice oxygen. The improvement in redox properties of the copper manganese oxides following ammonia etching was associated with enhanced catalytic performance for CO oxidation. 展开更多
关键词 Copper manganese oxide Selective etchingRedox property CO oxidation Co-precipitation
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化学气相沉积法制备石墨烯的转移技术研究进展 被引量:3
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作者 陈天山 宋文轩 +1 位作者 胡天娇 李义和 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2022年第9期266-269,共4页
化学气相沉积法能够大面积合成石墨烯,但将生长的石墨烯转移到应用基底上是十分重要的问题。传统转移方法能够将石墨烯转移到特定的基底上,但不可避免有裂缝、残胶和褶皱等不足,综述了石墨烯薄膜的转移和直接在绝缘基底表面生长的方法,... 化学气相沉积法能够大面积合成石墨烯,但将生长的石墨烯转移到应用基底上是十分重要的问题。传统转移方法能够将石墨烯转移到特定的基底上,但不可避免有裂缝、残胶和褶皱等不足,综述了石墨烯薄膜的转移和直接在绝缘基底表面生长的方法,并介绍了选择性刻蚀石墨烯生长基底或制造石墨烯纳米孔的新方法和应用前景。 展开更多
关键词 石墨烯 转移方法 选择性刻蚀
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(100)与(111)晶面硅基金属整片键合后选择性去衬底技术
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作者 杜佳怡 聂君扬 +5 位作者 孙捷 林畅 吴大磊 杨天溪 黄忠航 严群 《光电子技术》 CAS 2023年第1期1-6,共6页
采用硅基金属整片键合后选择性去衬底技术,通过热压键合技术将(100)晶面硅与(111)晶面硅高温键合,利用聚二甲基硅氧烷保护(100)晶面硅衬底,再粗化(111)晶面硅衬底加快其刻蚀速率,后通过湿法选择性刻蚀去除(111)晶面硅衬底。此技术在不... 采用硅基金属整片键合后选择性去衬底技术,通过热压键合技术将(100)晶面硅与(111)晶面硅高温键合,利用聚二甲基硅氧烷保护(100)晶面硅衬底,再粗化(111)晶面硅衬底加快其刻蚀速率,后通过湿法选择性刻蚀去除(111)晶面硅衬底。此技术在不损伤硅基驱动芯片的前提下实现了选择性去除硅基氮化镓外延衬底,是一种材料混合集成的新技术,有望应用于自对准硅基Micro-LED微显示器件制程和光电子器件集成领域。 展开更多
关键词 硅基微米级发光二极管 巨量转移 硅基互补金属氧化物半导体 热压键合 选择性刻蚀
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感应耦合等离子体选择性刻蚀GaN/AlGaN 被引量:1
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作者 王冲 冯倩 +1 位作者 郝跃 杨燕 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期520-523,共4页
采用Cl2/Ar作为刻蚀气体,研究了在感应耦合等离子体干法刻蚀GaN、Al0.27Ga0.73N材料中工艺参数对刻蚀速率及选择比的影响.GaN与Al0.27Ga0.73N之间的刻蚀选择比随自偏压的增大而减小,随感应耦合等离子体功率的增大变化不大.在Cl2/Ar为3:... 采用Cl2/Ar作为刻蚀气体,研究了在感应耦合等离子体干法刻蚀GaN、Al0.27Ga0.73N材料中工艺参数对刻蚀速率及选择比的影响.GaN与Al0.27Ga0.73N之间的刻蚀选择比随自偏压的增大而减小,随感应耦合等离子体功率的增大变化不大.在Cl2/Ar为3:1的刻蚀气体中加入10%的O2对GaN刻蚀速率影响不大,却使Al0.27Ga0.73N刻蚀速率明显下降,从而提高了GaN与Al0.27Ga0.73N之间的刻蚀选择比.对比了采用不同自偏压刻蚀的Al0.27Ga0.73N材料肖特基的特性,发现反向漏电流随自偏压的增大而增大. 展开更多
关键词 感应耦合等离子体 刻蚀速率 选择性刻蚀 选择 刻蚀损伤
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高纯度纳米碳管的低温合成 被引量:3
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作者 王升高 汪建华 +2 位作者 王传新 马志斌 满卫东 《武汉化工学院学报》 2003年第4期54-56,共3页
以甲醇为碳源,在负载于CaO上的Co催化剂的催化作用下,利用微波等离子体化学气相沉积法低温合成了较高纯度的纳米碳管.经分析认为,等离子体中因甲醇裂解产生的氧离子及含氧基团对无定形碳具有很强的选择性刻蚀能力,为低温合成纳米碳管时... 以甲醇为碳源,在负载于CaO上的Co催化剂的催化作用下,利用微波等离子体化学气相沉积法低温合成了较高纯度的纳米碳管.经分析认为,等离子体中因甲醇裂解产生的氧离子及含氧基团对无定形碳具有很强的选择性刻蚀能力,为低温合成纳米碳管时提高其纯度创造了条件. 展开更多
关键词 纳米碳管 微波等离子体化学气相沉积法 甲醇 选择性刻蚀 低温
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p-GaN在不同掩膜和刻蚀气体中的ICP刻蚀 被引量:1
8
作者 钱茹 程新红 +4 位作者 郑理 沈玲燕 张栋梁 顾子悦 俞跃辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期449-455,共7页
p-GaN栅沟槽侧壁与AlGaN表面特性直接影响栅注入(GIT)型AlGaN/GaN HEMT器件的输出特性及击穿特性。对比研究了两种刻蚀气体(SF6/BCl3和Cl2/N2/O2)及不同的刻蚀掩膜层(SiO2,Si3N4和光刻胶)对AlGaN上p-GaN的选择性刻蚀结果,利用原... p-GaN栅沟槽侧壁与AlGaN表面特性直接影响栅注入(GIT)型AlGaN/GaN HEMT器件的输出特性及击穿特性。对比研究了两种刻蚀气体(SF6/BCl3和Cl2/N2/O2)及不同的刻蚀掩膜层(SiO2,Si3N4和光刻胶)对AlGaN上p-GaN的选择性刻蚀结果,利用原子力显微镜(AFM)对刻蚀沟槽的表面形貌进行表征,并通过I-V测试其电学性能。结果显示,以Cl2/N2/O2为刻蚀气体,且体积流量为18,10和2 cm^3/min时,p-GaN刻蚀速率稳定且与AlGaN的刻蚀选择比较高(约30),并且可使p-GaN刻蚀自动停止在AlGaN界面处。此外,以Si3N4作为刻蚀掩膜,可以获得表面光滑、无微沟槽且侧壁垂直度较好的沟槽结构。采用上述刻蚀工艺制备的GIT结构器件的漏端关态电流相比肖特基栅降低约2个量级,阈值电压约为0.61 V,峰值跨导为36 m S/mm。 展开更多
关键词 GAN 选择性刻蚀 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 ALGAN/GAN HEMT 刻蚀形貌
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宏量制备层状Ti3C2及其超级电容的性能 被引量:2
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作者 杨占鑫 吴琼 +5 位作者 任奕桥 屈凯凯 张哲豪 仲为礼 范广宁 齐国超 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第11期861-867,共7页
将钛粉、铝粉、石墨粉和少量锡粉混合,用原位烧结技术宏量制备高纯度前驱体材料Ti3AlC2,再以浓氢氟酸为刻蚀剂进行选择性刻蚀,改变刻蚀时间宏量制备出层间距可调节的层状剥离Ti3C2。使用X射线衍射和场发射扫描电子显微镜分别表征了Ti3A... 将钛粉、铝粉、石墨粉和少量锡粉混合,用原位烧结技术宏量制备高纯度前驱体材料Ti3AlC2,再以浓氢氟酸为刻蚀剂进行选择性刻蚀,改变刻蚀时间宏量制备出层间距可调节的层状剥离Ti3C2。使用X射线衍射和场发射扫描电子显微镜分别表征了Ti3AlC2和Ti3C2的结构和层间距微观形貌,并对用Ti3C2制成的电极进行了电化学性能测试分析。结果表明,相比其它在相同条件下制备的电极其比容量大幅度提高,且具有良好的超级电容性能。 展开更多
关键词 材料合成与加工工艺 TI3ALC2 Ti3C2 选择性刻蚀 比容量
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MXenes的制备、结构调控及电化学储能应用 被引量:1
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作者 管可可 雷文 +2 位作者 童钊明 刘海鹏 张海军 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2022年第3期665-682,共18页
MXenes因其独特的二维层状结构、较高的比表面积、优异的导电性、良好的表面亲水性和化学稳定性,受到国内外研究者的广泛关注。近年来,研究者普遍采用含氟刻蚀剂(HF与LiF-HCl等)选择性刻蚀MAX相中的A位元素,制备带有丰富表面基团的多层M... MXenes因其独特的二维层状结构、较高的比表面积、优异的导电性、良好的表面亲水性和化学稳定性,受到国内外研究者的广泛关注。近年来,研究者普遍采用含氟刻蚀剂(HF与LiF-HCl等)选择性刻蚀MAX相中的A位元素,制备带有丰富表面基团的多层MXenes材料。由于含氟刻蚀剂的污染问题,当前采用更为绿色环保的无氟刻蚀剂(NaOH与ZnCl_(2)等)刻蚀MAX相的研究报道越来越多。MXenes的性能与其结构密切相关,不同制备方法对MXenes的层间距和表面基团的影响很大,进而也影响其性能。基于此,本文总结对比了文献中MXenes的制备方法,概述了MXenes层间距和表面基团的调控方法,同时介绍了MXenes在电化学储能方面的应用,最后对今后MXenes研究所面临的挑战和发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 MAX相 选择性刻蚀 MXenes 结构调控 电化学储能
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基于自模板法构筑空心结构材料及其电化学应用 被引量:2
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作者 孙勇刚 曹安民 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第34期3607-3622,共16页
基于自模板法构筑空心结构材料,可以摆脱对常规模板法的依赖,具有合成步骤简单、重现性高、生产成本低、结构可控性好以及易于大规模制备的优点,目前引起了研究者的广泛关注.本文从颗粒内部结构调控的角度出发,主要围绕热处理诱导实心... 基于自模板法构筑空心结构材料,可以摆脱对常规模板法的依赖,具有合成步骤简单、重现性高、生产成本低、结构可控性好以及易于大规模制备的优点,目前引起了研究者的广泛关注.本文从颗粒内部结构调控的角度出发,主要围绕热处理诱导实心颗粒的自发空心化、选择性刻蚀具有内外结构差异的实心颗粒这两种构筑空心结构的方法进行概述,介绍了不同类型材料的自模板构筑方法及结构控制机制,结合其在钠离子及钾离子电池中的应用,探讨了空心结构材料在电化学储能领域的应用潜力,并进一步展望了自模板法构筑空心结构的前景和发展趋势. 展开更多
关键词 空心结构 自模板法 热诱导空心化 选择性刻蚀 钠离子电池 钾离子电池
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SiO_2/SiNx:H选择性刻蚀改善光诱导化学镀/电镀多晶硅太阳能电池过镀现象 被引量:2
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作者 李涛 周春兰 +11 位作者 宋洋 张磊 惠俊 杨海峰 郜志华 段野 李友忠 励旭东 许颖 赵雷 刘振刚 王文静 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第7期848-852,共5页
自对准的光诱导化学镀/电镀技术以其栅线宽度小、工艺快捷高效等优点,成为制备选择性发射极太阳能电池的理想选择.然而,该技术的前序需要HF溶液有效去除重掺杂区表面SiO2的同时,避免在SiNx:H掩模上刻蚀出微孔而露出衬底的硅,否则金属镍... 自对准的光诱导化学镀/电镀技术以其栅线宽度小、工艺快捷高效等优点,成为制备选择性发射极太阳能电池的理想选择.然而,该技术的前序需要HF溶液有效去除重掺杂区表面SiO2的同时,避免在SiNx:H掩模上刻蚀出微孔而露出衬底的硅,否则金属镍和银会在光诱导化学镀/电镀工艺中沉积在微孔中,导致过镀现象.这就要求预处理溶液对SiO2/SiNx:H有很高的选择性刻蚀.本工作根据实验结果分析了产生过镀现象的原因,研究了进行SiO2/SiNx:H选择性刻蚀的可行性.依据HF刻蚀SiO2和SiNx:H的机理,通过调节HF缓释溶液的pH值,改善了多晶硅太阳能电池的过镀现象. 展开更多
关键词 过镀 选择性刻蚀 光诱导化学镀/电镀 多晶硅太阳能电池
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基于Si_3N_4探针的单晶硅表面小线宽结构的摩擦诱导纳米加工 被引量:1
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作者 姚洋洋 陈磊 +1 位作者 郭剑 钱林茂 《上海大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期669-679,共11页
针对传统纳米加工方法存在的操作复杂和成本昂贵等问题,提出采用以表面自然氧化层作为掩膜,结合Si3N4探针扫描和KOH溶液后续选择性刻蚀的摩擦诱导纳米加工方法.基于针尖半径对加工线宽影响的规律,实现了单晶硅表面较小线宽沟槽结构的加... 针对传统纳米加工方法存在的操作复杂和成本昂贵等问题,提出采用以表面自然氧化层作为掩膜,结合Si3N4探针扫描和KOH溶液后续选择性刻蚀的摩擦诱导纳米加工方法.基于针尖半径对加工线宽影响的规律,实现了单晶硅表面较小线宽沟槽结构的加工.在此基础上,通过研究沟槽深度随刻蚀时间的变化规律,确定了最佳的刻蚀加工时间,并详细研究了载荷以及针尖扫描次数对表面沟槽结构加工的影响规律.该方法无需专门制备掩膜,操作简单,有望应用于加工功能表面织构、表面微阀、微反应器及单电子器件等,为纳米结构的加工提供了新途径. 展开更多
关键词 摩擦诱导纳米加工 选择性刻蚀 氮化硅探针 单晶硅
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电化学选择性刻蚀Cu/Ni牺牲层技术的研究 被引量:1
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作者 李永海 丁桂甫 +1 位作者 张永华 曹莹 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2005年第4期86-88,共3页
牺牲层腐蚀技术结合MEMS技术是制作三维可动微机构的一个重要加工手段。采用电位控制的电化学释放牺牲层技术,对2种不同刻蚀液下的Cu/Ni叠层结构分别进行了电化学腐蚀,并测量了其伏安特性,结果表明:电位控制的电化学腐蚀能很好地进行有... 牺牲层腐蚀技术结合MEMS技术是制作三维可动微机构的一个重要加工手段。采用电位控制的电化学释放牺牲层技术,对2种不同刻蚀液下的Cu/Ni叠层结构分别进行了电化学腐蚀,并测量了其伏安特性,结果表明:电位控制的电化学腐蚀能很好地进行有选择性刻蚀Cu/Ni牺牲层。 展开更多
关键词 电化学腐蚀 选择性刻蚀 牺牲层技术 电位控制
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路易斯酸熔融盐刻蚀:一种制备MXene材料的普适方法 被引量:1
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作者 成会明 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第18期1794-1796,共3页
MXene,即二维过渡金属碳化物/氮化物/碳氮化物,是通过选择性刻蚀三元层状结构(P63/mmc)Mn+1AXn相前驱体中的A层原子所得到的新型二维材料,其中M代表过渡金属元素(钛、钒、铌等),A主要是第Ⅲ~Ⅳ主族元素(铝、硅等),X是碳和/或氮.
关键词 过渡金属碳化物 过渡金属元素 路易斯酸 二维材料 选择性刻蚀 熔融盐 碳氮化物 层状结构
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尺寸比例可调的Au-Ni双金属纳米颗粒的制备 被引量:1
16
作者 韩天昊 梁福鑫 杨振忠 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期1921-1926,共6页
本文采用贵金属诱导还原法制备了一种Ni端尺寸可调的Au-Ni双金属纳米颗粒.该反应以十八胺为还原剂,硝酸镍和氯金酸为反应物,反应中Au3+首先被还原成Au0,随着温度上升,Ni2+从Au0获得电子而被还原成Ni0,十八胺持续提供电子,得到了雪人状的... 本文采用贵金属诱导还原法制备了一种Ni端尺寸可调的Au-Ni双金属纳米颗粒.该反应以十八胺为还原剂,硝酸镍和氯金酸为反应物,反应中Au3+首先被还原成Au0,随着温度上升,Ni2+从Au0获得电子而被还原成Ni0,十八胺持续提供电子,得到了雪人状的Au-Ni双金属纳米颗粒.采用I2/KI水溶液和0.5%(质量分数)盐酸分别对Au端和Ni端进行择性蚀刻,通过调节蚀刻时间,连续调控两端尺寸,可以达到完全刻蚀,最终制备了一种两端尺寸比例连续可调的Au-Ni双金属纳米颗粒.蚀刻后得到的新鲜表面为进一步功能复合提供了反应场所. 展开更多
关键词 双金属纳米颗粒 反应时间 选择性刻蚀 结构调控
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埃洛石纳米管结构改性后用于Pebax基质中强化气体分离 被引量:1
17
作者 孙延勇 朱伟芳 +1 位作者 缑敏敏 郭瑞丽 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期6174-6179,共6页
基于埃洛石纳米管(HNTs)内外层结构化学性质不同,使用硫酸(H_(2)SO_(4))、盐酸(HCl)对埃洛石进行选择性刻蚀,得到了两种纳米多孔埃洛石,即S-HNTs和H-HNTs。将这两种纳米多孔埃洛石引入Pebax MH 1657(Pebax)基质中制备混合基质膜(MMMs)。... 基于埃洛石纳米管(HNTs)内外层结构化学性质不同,使用硫酸(H_(2)SO_(4))、盐酸(HCl)对埃洛石进行选择性刻蚀,得到了两种纳米多孔埃洛石,即S-HNTs和H-HNTs。将这两种纳米多孔埃洛石引入Pebax MH 1657(Pebax)基质中制备混合基质膜(MMMs)。纯CO_(2)、CH_(4)气体渗透结果表明,在S-HNTs和H-HNTs填充量分别为6%(质量分数)和8%(质量分数)时,Pebax-S-HNTs MMMs和Pebax-H-HNTs MMMs性能达到最优,与纯Pebax膜相比,CO_(2)渗透系数分别增加了97.8%和125.3%,CO_(2)/CH_(4)的理想分离因子分别增加了69.7%和40.0%。气体分离性能的改善主要是由于HNTs的刻蚀扩孔成功以及微/介孔分级多孔结构的存在。这是因为,首先,对HNTs内[AlO 6]八面体进行选择性刻蚀导致管腔尺寸增加,提高了气体渗透;其次,微/介孔分级多孔结构的存在为气体扩散提供了多种传递路径,曲折路径的存在促进了气体选择性的提高。 展开更多
关键词 埃洛石(HNTs) 聚醚嵌段聚酰胺共聚物(Pebax) 选择性刻蚀 混合基质膜 二氧化碳分离
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Ni纳米管阵列的选择性刻蚀法制备及磁性质
18
作者 王清涛 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期124-126,共3页
采用基于氧化铝模板的电化学共沉积方法合成了Ni/Cu纳米电缆有序阵列,通过电化学选择刻蚀纳米电缆的铜核,制备了多晶Ni纳米管有序阵列。Ni纳米管有序阵列表现出明显的单轴磁各向异性,易磁化轴沿着纳米管方向。这种具有磁各向异性的有序... 采用基于氧化铝模板的电化学共沉积方法合成了Ni/Cu纳米电缆有序阵列,通过电化学选择刻蚀纳米电缆的铜核,制备了多晶Ni纳米管有序阵列。Ni纳米管有序阵列表现出明显的单轴磁各向异性,易磁化轴沿着纳米管方向。这种具有磁各向异性的有序阵列在高密度垂直磁记录材料中具有潜在的应用前景。 展开更多
关键词 纳米管 有序阵列 选择性刻蚀
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选择性刻蚀碳化硅制备金刚石的研究
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作者 王正鑫 卢文壮 +3 位作者 黄群超 王晗 胥军 左敦稳 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1537-1542,共6页
在高温下Cl2+H2体系可促使SiC转化为金刚石。论文从热力学角度分析了Cl2选择性刻蚀SiC制备金刚石时,Cl2和H2对sp2、sp3杂化形式的C-C键的作用机制,从理论上推导了SiC转化为金刚石的气源中Cl2、H2比例范围。建立了SiC结构向金刚石结构转... 在高温下Cl2+H2体系可促使SiC转化为金刚石。论文从热力学角度分析了Cl2选择性刻蚀SiC制备金刚石时,Cl2和H2对sp2、sp3杂化形式的C-C键的作用机制,从理论上推导了SiC转化为金刚石的气源中Cl2、H2比例范围。建立了SiC结构向金刚石结构转变时形成金刚石团簇的理论模型,根据该模型解释了SCDD膜的增厚机制。 展开更多
关键词 金刚石 碳化硅 氯气 热力学 选择性刻蚀
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Cl_2/Ar/BCl_3感应耦合等离子体GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N的非选择性刻蚀 被引量:6
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作者 韩彦军 薛松 +5 位作者 吴桐 吴震 郭文平 罗毅 郝智彪 孙长征 《中国科学(E辑)》 CSCD 北大核心 2004年第3期345-352,共8页
利用Cl_2/Ar/BCl_3感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对GaN与Al_(0.28)Ga_(0.72)N材料之间的非选择性刻蚀和刻蚀以后GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N异质结的表面物理特性进行了研究。实验表明,优化等离子体中BCl_3的含量(20%~60%),提高ICP功... 利用Cl_2/Ar/BCl_3感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对GaN与Al_(0.28)Ga_(0.72)N材料之间的非选择性刻蚀和刻蚀以后GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N异质结的表面物理特性进行了研究。实验表明,优化等离子体中BCl_3的含量(20%~60%),提高ICP功率和直流偏压,降低反应室压强有利于获得非选择性刻蚀.而GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N异质结刻蚀后的表面形貌与等离子体中的化学组分、反应室压强有密切的关系。在Cl_2/Ar(4:1)中加入20%BCl_3可以在较高的刻蚀速率条件下获得GaN和Al_(0.28)Ga_(0.72)N之间的非选择性刻蚀,并将GaN/Al_(0.28)Ga_(0.720N异质结刻蚀后的表面均方根粗糙度由10.622 nm降低至0.495 nm,优于未刻蚀的GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N异质结的表面,AES分析表明,在刻蚀过程中从AlGaN的表面有效除去氧对获得非选择性刻蚀和光滑的刻蚀表面是至关重要的。 展开更多
关键词 ALGAN ICP C12/Ar/BCl3 选择性刻蚀 感应耦合等离子体 半导体材料 III-V族氮化物
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