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题名AlGaN/GaNHFET逆压电效应抑制技术
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作者
戴伟
王丽
张志国
高学邦
吴洪江
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
总装科技信息研究中心
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期183-187,共5页
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文摘
基于非对称晶体的逆压电效应(IPPE),通过自洽求解一维Poisson-Schrdinger方程,模拟了AlGaN/GaN HFET在外电场作用下沟道中2DEG浓度的变化,建立了电流崩塌效应的逆压电效应数值仿真模型。理论模拟显示:逆压电效应是引起电流崩塌效应的一个因素。根据GaN欧姆接触的机理,提出采用源漏凹槽的结构减小电场的垂直分量,抑制逆压电效应,减小饱和电流的变化。设计了不同结构的源漏凹槽结构器件,并进行工艺流片验证,得到优化的器件结构,器件的电流崩塌量从15.7%减小到8.9%,验证了理论仿真结果。
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关键词
AlGaN
GaN
HFET
薛定谔方程
逆压电效应(ippe)
源漏凹槽
电流崩塌
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Keywords
AlGaN/GaN HFET
Poisson-Schrodinger equation
inverse piezoelectronic polarization effect （ippe） j recessed source and drain j current collapse
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分类号
TN304.26
[电子电信—物理电子学]
TN325.3
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