一种近红外探测器的光谱响应率测量 被引量：4

1

作者 王骥 郑小兵 +1 位作者 张磊 林志强 《应用光学》 CAS CSCD 2007年第3期313-316,共4页

对近红外辐射功率光谱绝对响应率的定标技术进行了研究。设计了一种制冷扩展波长型的InGaAs探测器,为了使其能够作为功率传递的标准探测器工作在(1.2-2.5)μm波长范围,对探测器的光谱响应率进行了测量。首先在1 260 nm波长下进行绝对功... 对近红外辐射功率光谱绝对响应率的定标技术进行了研究。设计了一种制冷扩展波长型的InGaAs探测器,为了使其能够作为功率传递的标准探测器工作在(1.2-2.5)μm波长范围,对探测器的光谱响应率进行了测量。首先在1 260 nm波长下进行绝对功率传递的标定试验,然后用基于红外单色仪的光谱比较系统(SCF)测量了探测器的相对光谱响应率。结合2个步骤的数据,最终可以得到探测器的绝对光谱响应率。 展开更多

关键词 光谱响应率 近红外探测器 探测器定标

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表面等离激元增强硅基近红外光电导探测器 被引量：3

2

作者 唐恝 李家祥 +1 位作者 陈沁 文龙 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第11期309-316,共8页

近年来,表面等离激元(SP)增强的金属纳米结构中热载流子产生、传输和收集得到了广泛而深入的研究。其中,利用电子隧穿和热发射效应实现的全新光电转换机制,结合平面化制作和CMOS兼容集成等,有望成为硅基红外光电探测的备选方案。目前这... 近年来,表面等离激元(SP)增强的金属纳米结构中热载流子产生、传输和收集得到了广泛而深入的研究。其中,利用电子隧穿和热发射效应实现的全新光电转换机制,结合平面化制作和CMOS兼容集成等,有望成为硅基红外光电探测的备选方案。目前这类探测器主要为金属-半导体肖特基结的光伏型器件,其光电响应较弱。为此,报道了一种基于金属-硅复合无序纳米结构的光电导器件,得益于无序表面等离激元局域热点效应和多叉指金属-半导体-金属(MSM)结构的显著光电导增益,实验获得了硅亚带隙的宽带强光电响应。该热载流子介导的多叉指MSM器件在1310 nm波长处的光电流响应度高达2.50 A/W。 展开更多

关键词 探测器 近红外探测器 光电导探测器 等离激元 光电导增益

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HgInTe晶体的生长及其性能研究 被引量：3

3

作者 王领航 董阳春 介万奇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期870-871,875,共3页

利用垂直Bridgman法生长了HginTe单晶体，并采用X射线衍射分析、FT—IR光谱分析对晶体的形态结构及红外透过性能进行了检测，结果表明所生长的晶体是高质量的单相完整单晶体，其在400～4000cm^-1范围内的红外透过性能较好，达到50％～5... 利用垂直Bridgman法生长了HginTe单晶体，并采用X射线衍射分析、FT—IR光谱分析对晶体的形态结构及红外透过性能进行了检测，结果表明所生长的晶体是高质量的单相完整单晶体，其在400～4000cm^-1范围内的红外透过性能较好，达到50％～55％，晶体对红外光的吸收主要为晶格吸收和自由载流子吸收引起的。 展开更多

关键词 HgInTe 晶体生长 垂直布里奇曼法 光电 半导体材料 近红外探测器

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碲铟汞晶体的生长及其电学特性 被引量：2

4

作者 王领航 董阳春 介万奇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期1069-1071,共3页

利用垂直Bridgman法成功生长了Hg3-3xIn2xTe3(MIT)(x=0.5)单晶体,并用XRD,RO-XRD及霍尔测量对晶体的结晶质量及电学性能进行了研究.结果表明,所生长的晶体为单相的高质量单晶体;切割晶面为(311)面,位于θ=23.86°,晶面偏离角Φ=2.9&... 利用垂直Bridgman法成功生长了Hg3-3xIn2xTe3(MIT)(x=0.5)单晶体,并用XRD,RO-XRD及霍尔测量对晶体的结晶质量及电学性能进行了研究.结果表明,所生长的晶体为单相的高质量单晶体;切割晶面为(311)面,位于θ=23.86°,晶面偏离角Φ=2.9°,取向分散度FWHM=0.3°;晶体的导电类型为n型,电阻率为4.79×102Ω.cm,载流子浓度为2.83×1013cm-3,载流子迁移率为4.6×102cm2/(V.s).晶体的费米能级位于禁带中线以上8meV处,载流子浓度的计算值和实验测量值基本符合. 展开更多

关键词 Hg3-3xIn2xTe3 晶体生长 垂直布里奇曼法 光电半导体材料 近红外探测器

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光探测器与光学系统、光学跟踪

5

《电子科技文摘》 2006年第4期29-30,共2页

关键词 光探测器 光学系统 近红外探测器 热释电红外探测器

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碲铟汞晶体的生长研究 被引量：1

6

作者 王领航 董阳春 介万奇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期253-255,共3页

以高纯Hg、In、Te单质为原料,在摇摆合料炉中成功地合成了HgInTe多晶原料,并且利用该多晶原料,在特殊设计的坩埚中,成功地生长了HgInTe单晶体。X射线衍射分析证明,所生长的HgInTe晶体为缺陷闪锌矿结构,晶格常数a=0.6293nm,是一种高质量... 以高纯Hg、In、Te单质为原料,在摇摆合料炉中成功地合成了HgInTe多晶原料,并且利用该多晶原料,在特殊设计的坩埚中,成功地生长了HgInTe单晶体。X射线衍射分析证明,所生长的HgInTe晶体为缺陷闪锌矿结构,晶格常数a=0.6293nm,是一种高质量的完整单晶体。 展开更多

关键词 HgInTe 晶体生长 垂直布里奇曼法 光电半导体材料 近红外探测器

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新型近红外光电探测材料碲铟汞的研究

7

作者 王领航 张继军 +1 位作者 介万奇 董阳春 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期387-389,共3页

研究了一种新型近红外光电探测材料碲铟汞（MIT）晶体，利用垂直Bridgman法成功生长了MIT单晶，并采用X-ray衍射分析、UV-NIR-IR光谱分析及Hall测试对晶体的形态结构及光电性能进行了检测。结果表明：MIT晶体为缺陷闪锌矿结构，其在中... 研究了一种新型近红外光电探测材料碲铟汞（MIT）晶体，利用垂直Bridgman法成功生长了MIT单晶，并采用X-ray衍射分析、UV-NIR-IR光谱分析及Hall测试对晶体的形态结构及光电性能进行了检测。结果表明：MIT晶体为缺陷闪锌矿结构，其在中远红外波段透过性能较好（ 〉50％），并且随着波长的增大，透过增强．MIT晶体为n型半导体，室温电阻率为4．79×10^2Ω．cm，载流子迁移率为4．6×10^2cm^2．V^-1．s^-1，载流子浓度为2．83×10^13cm^-3。较低的载流子浓度，有利于降低探测器的噪声及提高探测器的能量分辨率。 展开更多

关键词 碲铟汞 晶体生长 垂直布里奇曼法 光电半导体材料 近红外探测器

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天文学用光学和红外探测器

8

作者 高国龙 《红外》 CAS 2006年第1期47-48,共2页

一、红外探测器 1．由James Webb空间望远镜近红外探测器研制计划启动的4000×4000元HgCdTe天文相机（Donaid N．B．Hall等）

关键词 近红外探测器 天文学 光学 HGCDTE JAMES 空间望远镜 研制计划

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红外材料、器件及应用

9

作者 高国龙 《红外》 CAS 2008年第7期47-48,共2页

一、红外材料／器件及其应用 1．非致冷微测辐射热计TECless操作的新型体系结构（F．Simoens等） 2．基于先进红外探测器的新概念系统的研究与发展（Quanxin Ding等） 3．256×1元InGaAs短波近红外探测器线列（Xue Li等）

关键词 红外材料 应用 器件 近红外探测器 微测辐射热计 INGAAS 研究与发展 体系结构

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红外探测器相对光谱响应率的测试

10

作者 杨计军 《纺织基础科学学报》 1993年第3期276-278,共3页

给出了测试红外探测器相对光谱响应率的试验方法;分析了影响测试准确度的因素;提出了提高测试准确度的相应措施,对试验结果进行了误差分析.

关键词 近红外探测器 光谱响应 误差

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近红外探测器、摄像机

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作者 木股雅章 江涛 《红外》 CAS 2000年第3期15-19,共5页

可见光区域用固体摄像器(FPD)从八十年代初开始实用化,现在大部分可见摄像机都已实现固体化。红外区域,采用PtSi肖特基势垒(敏感波长3μm～5μm)固体摄像器(FPD)的摄像机于1987年开始商品化,并推动了热成像的固体化。

关键词 近红外探测器 摄像机 FPD

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基于纳米金属阵列天线的石墨烯/硅近红外探测器

12

作者 张逸飞 刘媛 +3 位作者 梅家栋 王军转 王肖沐 施毅 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期201-208,共8页

金属纳米颗粒低聚体不仅具有等离激元共振效应实现光场亚波长范围内的局域化和增强,还可以通过泄漏光场相互干涉实现法诺共振和连续态中的束缚态,从而使得电磁场更强的局域和增强.本文采用金纳米低聚体超构表面作为石墨烯/硅近红外探测... 金属纳米颗粒低聚体不仅具有等离激元共振效应实现光场亚波长范围内的局域化和增强,还可以通过泄漏光场相互干涉实现法诺共振和连续态中的束缚态,从而使得电磁场更强的局域和增强.本文采用金纳米低聚体超构表面作为石墨烯/硅近红外探测器的天线,实现了光响应度2倍的增强;通过调节纳米金属低聚体间夹角,发现当该夹角为40°时,光电流达到最大值,对应法诺共振最大的透射率,此时天线不仅汇聚光场能量还定向发射给探测器;当该夹角为20°时,光电流出现一个低谷,此时能量局域于低聚体内,金属损耗减弱了等离激元增强效果.该工作通过时域有限差分法仿真和实验相结合研究了低聚体超构表面光电耦合效率的动态过程,为提高光电探测效率提供了一种重要的途径. 展开更多

关键词 纳米天线 等离激元 硅近红外探测器 石墨烯

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近红外InGaAs探测器台面结构对器件性能的影响 被引量：2

13

作者 朱耀明 李永富 +4 位作者 唐恒敬 汪洋 李淘 李雪 龚海梅 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期169-173,共5页

采用湿法腐蚀方式在PIN型InP/In0.53Ga0.47As/InP材料上制备了不同台面结构的正照射In0.53Ga0.47As探测器,通过比较不同结构器件的性能,如暗电流、信号、噪声,研究了器件性能跟器件结构之间的关系,并分析影响器件性能的因素。研究结果表... 采用湿法腐蚀方式在PIN型InP/In0.53Ga0.47As/InP材料上制备了不同台面结构的正照射In0.53Ga0.47As探测器,通过比较不同结构器件的性能,如暗电流、信号、噪声,研究了器件性能跟器件结构之间的关系,并分析影响器件性能的因素。研究结果表明,探测器的暗电流、噪声与台面面积是成线性关系的,而信号与台面面积则不是线性关系。探测器的台面可分为光敏区和光敏区外部分,光敏区外部分对暗电流、噪声的贡献与光敏区是一致的,但对信号的贡献这两部分则是不一致的,这主要是由于衬底反射和器件之间的沟道光生载流子的侧向扩散所造成的。 展开更多

关键词 近红外InGaAs探测器 台面结构 器件性能

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近红外探测器

14

《光机电信息》 2001年第4期55-55,共1页

关键词 近红外探测器 Opto Diode公司 研制 GaAlAs探测器 光学滤波器

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欧洲太空总署水星探测计划获得探测器合同支持

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作者 马沂(编译) 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2006年第8期70-70,共1页

欧洲太空总署（ESA）签署一份开发用于可见红外成像光谱仪（VNIMS）的新型近红外探测器的合同，这种探测装置将用于执行水星探测任务的BepiColombo探测器上。

关键词 近红外探测器 探测计划 合同 水星 太空 欧洲 红外成像光谱仪 探测任务 探测装置

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基于等离子体增强上转换发光的窄带1550 nm光探测

16

作者 周博明 覃子晟 +7 位作者 王姝欢 杨棕媛 江苇瑶 赵赫然 曹鹏 鲍民杰 程惠宁 季亚楠 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期139-148,共10页

近红外光(NIR)探测技术在军事、通信和工业应用中发挥着重要的作用,巨大的市场需求带动了NIR光电探测器(PDs)研究的快速发展。具有双光子或多光子泵浦特性的稀土掺杂上转换纳米颗粒(UCNPs)可以将NIR光子转换为可见光子或紫外光子,并被... 近红外光(NIR)探测技术在军事、通信和工业应用中发挥着重要的作用,巨大的市场需求带动了NIR光电探测器(PDs)研究的快速发展。具有双光子或多光子泵浦特性的稀土掺杂上转换纳米颗粒(UCNPs)可以将NIR光子转换为可见光子或紫外光子,并被禁带宽度更宽的半导体吸收,进而制备出性能优异的上转换PDs。然而,NIR窄带上转换PDs的实现仍然面临一些困难,例如稀土离子荧光量子效率低、需要高泵浦阈值才能实现可探测的上转换发光。在此,我们利用NaYF4∶4%Er UCNPs与钙钛矿半导体层相结合,实现了1550 nm的窄带上转换PDs。通过使用具有局域表面等离子体共振效应的银纳米棒层(Ag NRs)增强了UCNPs的上转换发光,从而降低了上转换PDs的泵浦阈值。基于Ag NRs/NaYF4∶4%Er UCNPs/MAPbI3复合结构的PDs的最佳响应度(R)和探测率(D*)分别约为48.5 mA/W和5.7×10^(8) Jones。与纯UNCP/MAPbI3 PDs相比,R和D*均提高了一个数量级。我们成功地构建了一种简单的策略来制造出稳定的近红外窄带PDs。 展开更多

关键词 上转换发光 局域表面等离子体共振 局域场调制 窄带近红外光电探测器

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基于窄带系DPP类聚合物的高性能近红外有机光探测器件 被引量：1

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作者 秦铭聪 李清源 +9 位作者 张帆 匡俊华 刘凯 刘彦伟 朱明亮 赵志远 潘志超 边洋爽 郭云龙 刘云圻 《高分子学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2022年第4期405-413,共9页

采用窄带隙给体材料DPPDTT和富勒烯衍生物受体PCBM共混作为活性层,制备了具有高激子分离和电荷传输效率的近红外有机光探测器件,并进一步采用窄带隙受体Y6代替PCBM制备一种“双窄带隙吸收”的异质结结构,在近红外区域的吸收叠加有效地... 采用窄带隙给体材料DPPDTT和富勒烯衍生物受体PCBM共混作为活性层,制备了具有高激子分离和电荷传输效率的近红外有机光探测器件,并进一步采用窄带隙受体Y6代替PCBM制备一种“双窄带隙吸收”的异质结结构,在近红外区域的吸收叠加有效地增强了器件光响应能力.最后,通过采用厚活性层、插入阻挡层以及制备倒置结构等方法,将器件的暗电流进一步降低1个数量级.在850 nm,0.53μW·cm^(−2)的近红外光照射下,比探测率提升至8.28×10^(11)Jones.同时,随着测量频率的提升,器件响应的速度和强度几乎没有发生变化,在120帧/秒的条件下仍表现出很好的循环稳定性.研究结果表明该类器件在光电通信、近红外成像以及医疗生理检测等方向具有良好的应用前景. 展开更多

关键词 窄带系DPP类聚合物 高性能 二极管 近红外有机光探测器

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