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题名限制特高压开关设备雷电冲击过冲的试验回路开发
被引量：9
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作者
钟磊
申萌
李华良
李强
李博
郝宇亮
张小勇
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机构
西安高压电器研究院有限责任公司
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出处
《高压电器》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第10期20-24,30,共6页
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文摘
随着特高压开关类产品的普及,雷电冲击试验中过冲偏大的问题,已成为国内外试验技术人员所关注的热点问题。虽然最新的IEC 60060-1:2010及GB/T 16927—2011标准放宽了对过冲的要求和限制,但是通过近几年特高压开关类产品的雷电冲击试验来看,过冲仍难以控制在10%以内。笔者通过建模仿真,设计开发了参数合理的过冲阻尼装置,并将其应用于雷电冲击试验回路中,有效地抑制了过冲,使得过冲从22%降至5%左右,满足了标准的要求,对实际试验具有一定指导意义。
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关键词
特高压开关设备
雷电冲击试验
过冲抑制
阻尼装置
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Keywords
UHV switchgear
lightning impulse test
overshoot inhibiting
damping device
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分类号
TM564
[电气工程—电器]
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题名应用于SAR ADC的低压瞬态强化LDO
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作者
林首全
陈磊
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机构
上海电力大学电子与信息工程学院
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出处
《电子设计工程》
2024年第17期83-87,共5页
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文摘
为提升采样频率为2 MHz的12 bits ADC的性能,在TSMC40 nm工艺中设计了一种用于提供基准电压的瞬态强化低压差稳压器(LDO)。误差放大器采用附加动态偏置的折叠共源共栅放大器结构,用于在大负载时加大带宽,提升增益。瞬态强化电路,使用微分器加推挽放大器的组合向功率管栅极提供快速抽灌电流,同时兼具频率补偿功能,节省补偿电容面积。再附加一个比较器控制的电流镜电路,直接调控输出电压的过冲值。加快瞬态期间大信号恢复过程。该LDO基于TSMC40 nm工艺,结果表明,在50 pF负载电容,1.1 V电源电压下,该LDO可以稳定驱动0到25 mA的负载,瞬态输出电压峰峰值在60 mV以内,整体功耗112μA。
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关键词
快速响应LDO
瞬态增强
动态偏置
过冲抑制
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Keywords
fast response LDO
transient enhancement
dynamic bias
overshoot suppression
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分类号
TN792
[电子电信—电路与系统]
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题名用软件方法提高定量包装秤精度和速度
被引量：4
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作者
崔英欣
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机构
上海大和衡器有限公司
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出处
《衡器》
2010年第6期12-17,共6页
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文摘
定量包装秤是机、电一体化的产物。所采用的控制系统和机械结构都直接影响其计量精度和包装速度。控制系统包括硬件和软件两部分,本文主要探讨在不增加硬件成本的情况下,通过软件控制的方法,来提高定量包装秤的精度和速度。
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关键词
定量包装秤
计量精度
包装速度
软件控制
数字滤波
过冲抑制
充填控制
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Keywords
quantitative packaging scale
measuring precision
packaging speed
software control
digital filtering
overshoot control
silting control
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分类号
TH715.16
[机械工程—测试计量技术及仪器]
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题名开关电源输出过冲抑制设计
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作者
郑洲
周芳
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机构
北方通用电子集团有限公司微电子部
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出处
《集成电路通讯》
2014年第2期17-19,共3页
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文摘
针对开关电源中常规反馈环电路造成的输出电压过冲问题，采用一种正激式反馈电路的改进方法，可以有效抑制输出过冲。通过给基准电压源（TLV431）提供一个预设电压，使之能够提前开始调节电压，然后逐渐将这个信号减弱直至零，完全避免了过冲。该电路完善了基于稳压器TLV431和光电耦合器构成的低压输出开关电源反馈电路，在增加少量器件的基础上，使电源输出特性得到很大改善，具有很高的实用性。
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关键词
开关电源
TLV431
过冲抑制
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分类号
TN86
[电子电信—信息与通信工程]
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题名一种动态自偏置的低功耗无片外电容LDO
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作者
王梓淇
黄少卿
肖培磊
雷晓
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机构
中国电子科技集团第五十八研究所
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出处
《现代电子技术》
2023年第11期175-180,共6页
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文摘
基于0.13μm工艺设计的低功耗无片外电容LDO,文中采用动态自偏置技术使电路根据负载变化,提供不同的偏置电流,实现两级和三级结构下相互转化。电路采用Cascode Miller补偿,实现高稳定性。输出端加入过冲抑制电路,优化瞬态响应。仿真得到压差电压为57 mV;在-55~125℃范围内,温漂系数为27 ppm/℃;在电源电压1.2~3.3 V和负载100 nA~50 mA的变化范围内,线性调整率为0.452 mV/V,负载调整率为0.074 mV/mA。满载50 mA和电源电压1.2 V时,电源抑制比-53 dB@100 kHz,环路相位裕度大于60°。负载100 nA时静态电流2.5μA。负载瞬态响应结果展示过冲电压小于50 mV,建立时间约420 ns。此电路可调节性强,作为低功耗芯片,有着优秀的稳定性,适用于便携式产品。
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关键词
低功耗LDO
过冲抑制电路
动态自偏置
瞬态响应
压差电压
结构转换
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Keywords
low power LDO
overshoot suppression circuit
dynamic self⁃biasing
transient response
dropout voltage
structure transformation
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分类号
TN402-34
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名铝箔退火炉温控参数PID的整定
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作者
王建南
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机构
渤海铝业有限公司
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出处
《铝加工》
CAS
1999年第3期51-53,共3页
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文摘
论述铝箔退火炉的炉温控制器的PID参数和过冲抑制参数的整定方法,并且提出了实现炉温高精度控制的最优整定实例.
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关键词
铝箔退火炉
PID参数
过冲抑制参数
最优整定
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分类号
TG155.1
[金属学及工艺—热处理]
TG155.92
[金属学及工艺—金属学]
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