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静电驱动阶梯型微悬臂梁吸合电压分析 被引量：2
1
作者 朱军华 苏伟 +2 位作者 刘人怀 宋芳芳 黄钦文 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第8期217-222,共6页
针对静电驱动微机电系统(Micro-electro-mechanical system,MEMS)器件中常见的阶梯型微悬臂梁结构,提出一种吸合电压的计算方法。基于欧拉梁理论和修正的偶应力理论,运用能量法推导出吸合电压理论模型。采用试函数与待定系数的积来表示... 针对静电驱动微机电系统(Micro-electro-mechanical system,MEMS)器件中常见的阶梯型微悬臂梁结构,提出一种吸合电压的计算方法。基于欧拉梁理论和修正的偶应力理论,运用能量法推导出吸合电压理论模型。采用试函数与待定系数的积来表示微悬臂梁位移,利用泰勒展开来简化求解过程。通过与有限元结果对比来验证模型的正确有效性,讨论试函数的选取以及泰勒展开阶数的确定,并与传统质量弹簧模型方法进行对比,最后研究其吸合特性。结果表明,泰勒展开阶数取8时截断误差可以忽略,试函数选择阶梯型微悬臂梁位移函数,理论模型预测误差小于5%,预测结果明显优于传统方法。吸合电压随宽度比增加而单调递增,随长度比增加出现先减小后增加的变化现象,可为低驱动电压MEMS器件设计提供参考。该理论模型中考虑了边缘场效应、尺度效应的影响,可应用于微纳米尺度的微悬臂梁的吸合电压预测。 展开更多
关键词 阶梯型悬臂梁 尺度效应 边缘场效应 偶应力理论 吸合电压
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MOEMS光栅平动式光调制器的吸合电压分析与实验 被引量：1
2
作者 张智海 黄尚廉 +2 位作者 张洁 金珠 王宁 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期1368-1372,共5页
通过研究提出了一种新颖的利用微光机电系统技术(MOEMS)制造的光栅平动式光调制器GMLM,它可以利用衍射原理对光进行动态调制,其设计适宜形成二维光调制器阵列。针对GMLM,分析并给出了其准静态下的吸合电压计算公式。考虑到MEMS器件的尺... 通过研究提出了一种新颖的利用微光机电系统技术(MOEMS)制造的光栅平动式光调制器GMLM,它可以利用衍射原理对光进行动态调制,其设计适宜形成二维光调制器阵列。针对GMLM,分析并给出了其准静态下的吸合电压计算公式。考虑到MEMS器件的尺寸效应,对电容的边缘场效应影响不能忽略。文中对GMLM器件的边缘场效应影响因子进行了公式推导,并针对GMLM修正了传统的平行板执行器吸合电压计算公式。实验结果证明,修正后的理论公式可以较好地预测GMLM的吸合电压值,与实际测量值的误差为4.3%。 展开更多
关键词 光栅平动式光调制器 微光机电系统 吸合电压 边缘场效应
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微显示器件中的边缘场效应及其改善方法 被引量：1
3
作者 刘绍锦 凌志华 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期625-629,共5页
边缘场效应在微显示中的影响是比较显著的,它会使图像质量下降。为了进一步研究这一现象,建立了液晶模型。通过对液晶模型的数值计算,模拟出几种常用显示模式下的边缘场效应,分析了不同模式下边缘场效应产生机理及其影响因素。通过采用... 边缘场效应在微显示中的影响是比较显著的,它会使图像质量下降。为了进一步研究这一现象,建立了液晶模型。通过对液晶模型的数值计算,模拟出几种常用显示模式下的边缘场效应,分析了不同模式下边缘场效应产生机理及其影响因素。通过采用混合排列模式,使得像素电极液晶分子变化平缓,减小了因为电极较小而引起的边缘电场的影响,提高了显示对比度和均匀性,改善了显示效果。 展开更多
关键词 微显示 边缘场效应 混合排列模式
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电容式RFMEMS开关膜片边缘场效应的表征
4
作者 李君儒 高杨 +2 位作者 何婉婧 蔡洵 黄振华 《太赫兹科学与电子信息学报》 2015年第2期342-346,共5页
计及电容式RF MEMS开关膜片上电场分布的边缘场效应后,很难建立高保真的开关自驱动失效阈值功率解析模型。因此,采用膜片承受射频信号功率的面积(ARF)和膜片与传输线的正对面积(A)的比值构建优值(Fo M),以表征膜片上电场分布的边缘场效... 计及电容式RF MEMS开关膜片上电场分布的边缘场效应后,很难建立高保真的开关自驱动失效阈值功率解析模型。因此,采用膜片承受射频信号功率的面积(ARF)和膜片与传输线的正对面积(A)的比值构建优值(Fo M),以表征膜片上电场分布的边缘场效应强弱。利用HFSS软件建立了开关自驱动失效的三维电磁模型;以一种常见的开关构型为案例,仿真得到了多种射频信号功率(Pin)和开关气隙高度(g0)条件下膜片边缘电场分布,并与优值计算结果进行了对比验证,初步证明了采用优值ARF/A表征膜片上电场分布的边缘场效应强度的可行性。 展开更多
关键词 射频微电子机械系统 电容式开关 射频功率容量 自驱动 边缘场效应
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基于边缘电场效应和PCB技术水含量测量仪设计 被引量：4
5
作者 刘恒 熊丰 +1 位作者 徐佳棋 阮玮琪 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2018年第1期25-30,共6页
鉴于市场应用的油中水含量检测方法和仪器的不足,设计了一种基于边缘电场效应和PCB技术的水含量测量仪。仪器由检测探头、探头电容检测电路、嵌入式处理器、外置SRAM、SD卡存储器、RS485通信模块、触摸屏、键盘、电源模块等组成。检测... 鉴于市场应用的油中水含量检测方法和仪器的不足,设计了一种基于边缘电场效应和PCB技术的水含量测量仪。仪器由检测探头、探头电容检测电路、嵌入式处理器、外置SRAM、SD卡存储器、RS485通信模块、触摸屏、键盘、电源模块等组成。检测探头利用电容极板的边缘电场效应,并通过PCB技术制造;探头电容检测采用精度高达28位的电容检测芯片和侧贴SMA屏蔽头以提高抗干扰性能;主控采用嵌入式处理器STM32F407ZGT6,运行μCOSIII多任务操作系统;外置SRAM和SD卡提供运行和存储空间;触摸屏和键盘为用户提供交互体验。实验测试:大豆油中水含量在0%~80%范围内,检测误差小于3%,灵敏度为3.3 pF/%。 展开更多
关键词 电容检测探头 边缘电场效应 PCB技术 嵌入式操作系统
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有限尺寸平行电极的边缘电场效应 被引量：1
6
作者 任海霞 刘立人 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期102-106,共5页
电场分布是影响集成电光器件特性的主要因素。本文研究了有限尺寸平行电极的电场分布,得到了其电荷分布密度、电容、电场强度的数学解析式,并分析了边缘电场效应,在此基础上得到了在集成电光器件中相邻光通道互不干扰所需的平行电极对... 电场分布是影响集成电光器件特性的主要因素。本文研究了有限尺寸平行电极的电场分布,得到了其电荷分布密度、电容、电场强度的数学解析式,并分析了边缘电场效应,在此基础上得到了在集成电光器件中相邻光通道互不干扰所需的平行电极对的间隔距离。最后以单晶1×4光开关为例给出了当电极板长度为5mm、宽度为2mm、电极板间距为2mm时,离开电极板边缘3mm处的电场强度就已经降到电极板中心处的5%左右,引起的信道串扰约为0.25%,可忽略不计。 展开更多
关键词 信息光学 1×N电光开关 边缘电场效应 有限尺寸平行电极 电场分布
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定、转子齿极结构对双凸极永磁电机转矩脉动的影响
7
作者 孙健 王爱元 +1 位作者 王涛 金永星 《电机技术》 2019年第3期32-36,共5页
由于双凸极永磁电机的定、转子呈特殊双凸极结构,当电机在运行时会导致定、转子齿重合之前产生边缘磁场效应,使得电机呈现强非线性和高度耦合性,从而导致电机产生转矩脉动。针对传统电机结构对电机转矩的影响,提出采用增大转子极弧宽度... 由于双凸极永磁电机的定、转子呈特殊双凸极结构,当电机在运行时会导致定、转子齿重合之前产生边缘磁场效应,使得电机呈现强非线性和高度耦合性,从而导致电机产生转矩脉动。针对传统电机结构对电机转矩的影响,提出采用增大转子极弧宽度和改变定子齿极面的方法来减小双凸极永磁电机的转矩脉动。以一台1.1kW-3850r/min-12/8极双凸极永磁电机为例,通过Maxwell建立2D模型进行有限元分析,结果表明上述方法在保证电机平均转矩不降低的情况下,能有效降低电机的转矩脉动。 展开更多
关键词 双凸极结构 双凸极永磁电机 转矩脉动 边缘磁场效应
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基于Matlab的AIFF MVA液晶显示模拟及分析
8
作者 郭浩 许军 《复旦学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期511-515,520,共6页
用Matlab软件模拟了AIFF MVA模式液晶显示器光学透过率的电极尺寸效应.首先模拟了盒内电场分布,然后由盒内电场分布计算模拟液晶盒透过率,并在此基础上分析了像素电极尺寸大小和间隔尺寸大小对液晶盒透过率的影响.将软件模拟和实际实验... 用Matlab软件模拟了AIFF MVA模式液晶显示器光学透过率的电极尺寸效应.首先模拟了盒内电场分布,然后由盒内电场分布计算模拟液晶盒透过率,并在此基础上分析了像素电极尺寸大小和间隔尺寸大小对液晶盒透过率的影响.将软件模拟和实际实验相对照,验证计算机软件模拟的可靠性.结合软件模拟的结果提出了AIFF MVA模式下像素电极尺寸与间隔尺寸的优化设计方案,以提高AIFF MVA模式液晶显示的工作性能. 展开更多
关键词 液晶 边缘电场效应 多畴垂直取向 电极图形 MATLAB模拟
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采用LOCOS隔离的部分耗尽SOI器件的窄沟道效应
9
作者 宋文斌 许高博 +1 位作者 郭天雷 韩郑生 《电子器件》 CAS 2007年第5期1535-1538,共4页
制备了不同沟宽的采用LOCOS隔离的PDSOI器件,通过实验数据分析器件的窄沟道效应.结果显示,1.2μmSOI器件的窄沟道效应跟体硅相似,主要是由边缘电场效应和"鸟嘴"效应引起的;0.8μmSOI器件的阈值电压随着沟道变窄而减小,出现反... 制备了不同沟宽的采用LOCOS隔离的PDSOI器件,通过实验数据分析器件的窄沟道效应.结果显示,1.2μmSOI器件的窄沟道效应跟体硅相似,主要是由边缘电场效应和"鸟嘴"效应引起的;0.8μmSOI器件的阈值电压随着沟道变窄而减小,出现反向窄沟道效应.我们认为,主要是由于杂质的重新分布降低了沟道边缘的杂质浓度所引起的. 展开更多
关键词 部分耗SOI 鸟嘴效应 边缘电场效应 反向窄沟道效应 杂质重新分布
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AIFF MVA模式下像素尺寸对其特性的影响
10
作者 张敏夫 许军 《复旦学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期516-520,共5页
近年来,液晶电视的需求呈现强劲的增长势头.多畴垂直取向(MVA)模式的液晶显示器(LCD)与其他显示模式的LCD相比,具有高对比度、宽视角及快速响应等特点,但需要制作昂贵且复杂的凸起结构以保证液晶分子的取向,因此如何避免制作凸起结构成... 近年来,液晶电视的需求呈现强劲的增长势头.多畴垂直取向(MVA)模式的液晶显示器(LCD)与其他显示模式的LCD相比,具有高对比度、宽视角及快速响应等特点,但需要制作昂贵且复杂的凸起结构以保证液晶分子的取向,因此如何避免制作凸起结构成为许多研究者的课题.为解决上述问题,采用新颖的增强边缘电场效应(AIFF)MVA技术,通过光刻手段制造不同图形参数的精密电极基板,并结合计算机模拟结果,分析了像素尺寸对液晶光学织构及电光特性的影响. 展开更多
关键词 液晶显示器 增强边缘电场效应 多畴垂直取向 光刻技术 像素尺寸
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