HE_(11)模激励圆形介质棒天线反射和辐射特性的分析 被引量：2

1

作者 徐善驾 张利军 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期62-64,共3页

本文提出了一种分析圆形介质棒天线反射和辐射特性的新方法，即边缘元结合模匹配的方法．与常规的从场源关系出发来分析辐射问题不同，本文方法从求解介质波导结构的色散特性入手，从散射的角度将辐射问题转化为表面波和空间波的传输问... 本文提出了一种分析圆形介质棒天线反射和辐射特性的新方法，即边缘元结合模匹配的方法．与常规的从场源关系出发来分析辐射问题不同，本文方法从求解介质波导结构的色散特性入手，从散射的角度将辐射问题转化为表面波和空间波的传输问题，结果使分析过程得到了很大的简化．给出的计算实例和已有文献中的计算值吻合，从而证实了本文方法的有效性． 展开更多

关键词 边缘元 模匹配 圆形 介质棒天线 天线

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各向异性导波结构色散特性的边缘元分析

2

作者 徐善驾 张利军 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第12期79-82,共4页

本文应用边缘元方法分析了各向异性导波结构的色散特性，该方法适用于介电常数张量为满阵的情况，求解过程中没有伪解出现。同时导出了一种直接求β的特征值方程。文中给出了各向异性微带线及矩形介质波导的计算结果，与文献值吻合得较... 本文应用边缘元方法分析了各向异性导波结构的色散特性，该方法适用于介电常数张量为满阵的情况，求解过程中没有伪解出现。同时导出了一种直接求β的特征值方程。文中给出了各向异性微带线及矩形介质波导的计算结果，与文献值吻合得较好，证实了本文方法的正确性。 展开更多

关键词 各向异性 边缘元 色散特性 介质波导

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一种基于线条组织的图像分割算法

3

作者 方驰 荆仁杰 姚庆栋 《计算机学报》 EI CSCD 北大核心 1998年第S1期394-399,共6页

关键词 边缘元 线条组织 图像分割算法 边缘提取 自然场景 感知组织 人造目标 几何基元 封闭轮廓 边缘处理

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任意截面形状介质填充波导高次模求解的快速边缘元算法 被引量：1

4

作者 彭朕 盛新庆 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期2149-2152,共4页

本文提出了一种精确求解任意截面形状介质填充波导高次模的快速边缘元算法.数值实验表明:与以往算法相比,此算法所用内存巨幅减小,计算效率极大提高.具体数值研究了波导高次模求解精度和剖分疏密的关系.本文还计算了矩形空波导、条状介... 本文提出了一种精确求解任意截面形状介质填充波导高次模的快速边缘元算法.数值实验表明:与以往算法相比,此算法所用内存巨幅减小,计算效率极大提高.具体数值研究了波导高次模求解精度和剖分疏密的关系.本文还计算了矩形空波导、条状介质填充波导、以及方块介质填充波导的本征模,与解析解或公布结果比较,证实本算法计算精度极高且不含伪解.最后本文还用开发的程序具体研究了内壁涂层波导的本征模. 展开更多

关键词 快速算法 高次模 边缘元 介质填充波导

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周期性结构的边缘元分析

5

作者 盛新庆 徐善驾 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第12期70-73,共4页

本文用边缘元、模匹配以及多模网络相结合的方法来分析周期性结构．计算了ＮＲＤ波导周期结构和介质镜象线周期结构两个具体实例．数值结果表明这种方法用于分析周期性结构不仅是有效的，而且具有很高的计算精度和效率．

关键词 周期性结构 边缘元 微波器件 直线加速器

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非均匀介质填充波导传输特性的边缘元法分析

6

作者 周平 陈国兵 《四川师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1999年第1期59-63,共5页

用边缘元法分析了非均匀介质填充波导色散特性，给出了波导中的统一色散方程，以部分介质填充波导为例进行了计算。

关键词 波导 边缘元 色散特性 非均匀介质 微波传输线

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各向异性介质填充波导散射特性的三维54参量边缘元分析 被引量：3

7

作者 程军峰 徐善驾 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期708-709,共2页

本文将 5 4参量边缘元和“边界行进”及Galerkin法相结合 ,分析了各向异性介质填充波导的散射特性 .该方法有效地提高了计算精度和效率 ,明显地降低了对内存的需求 ,并消除了伪解 .文中给出的计算实例 ,很好地证实了本文方法的这些优点 .

关键词 参量边缘元 各向异性介质 波导 不连续性 散射特性

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导波结构三维不连续性问题的高次六面体边缘元分析 被引量：2

8

作者 徐善驾 贾冬炎 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2001年第2期160-167,共8页

该文从全磁场矢量泛函出发,讨论了一种54参量六面体边缘元的空间构造。这种高次三维边缘元方法不但有效地消除了伪解,而且具有很高的计算精度。用这种方法对导波结构三维不连续性散射问题的分析,证实了它的有效性和可靠性。与12参量六... 该文从全磁场矢量泛函出发,讨论了一种54参量六面体边缘元的空间构造。这种高次三维边缘元方法不但有效地消除了伪解,而且具有很高的计算精度。用这种方法对导波结构三维不连续性散射问题的分析,证实了它的有效性和可靠性。与12参量六面体边缘元计算结果的比较表明:本文方法具有更高的精度和计算效率,是一种求解三维不连续性问题的高效数值方法,有着推广应用的实际价值。 展开更多

关键词 导波结构 三维不连续性 高次边缘元 矢量泛函

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一种新的高次边缘元方法 被引量：1

9

作者 徐善驾 盛新庆 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期251-255,共5页

讨论了一种新的高次边缘元方法，它不仅消除了伪解，并具有简单高效的特点．着重研究了二次边缘元的空间构造；给出了有关计算公式．对具有精确解的条形介质填充波导主模和高次模本征值的计算表明：二次边缘元方法的计算精度比一次边缘... 讨论了一种新的高次边缘元方法，它不仅消除了伪解，并具有简单高效的特点．着重研究了二次边缘元的空间构造；给出了有关计算公式．对具有精确解的条形介质填充波导主模和高次模本征值的计算表明：二次边缘元方法的计算精度比一次边缘元提高约一个数量级．块状介质填充和衬底各向异性的微带线主模色散曲线的计算证实了该方法的精确性和广泛的适用性． 展开更多

关键词 有限元 高次边缘元 色散 波导

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Ⅱ-VI族半导体特性参数的三维边缘元分析

10

作者 徐善驾 盛新庆 贾冬焱 《电子科学学刊》 CSCD 1999年第1期110-114,共5页

本文用三维边缘元方法分析了电导率为张量的有间隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的散射特性;给出了散射参数与半导体特性参数之间的关系曲线并说明了用这些曲线确定Ⅱ-Ⅵ族半导体电特性参数的方法。该方法直接从泛函变分出发,避开了其它方法中求解... 本文用三维边缘元方法分析了电导率为张量的有间隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的散射特性;给出了散射参数与半导体特性参数之间的关系曲线并说明了用这些曲线确定Ⅱ-Ⅵ族半导体电特性参数的方法。该方法直接从泛函变分出发,避开了其它方法中求解有损超薄各向异性介质填充波导本征值问题的困难,简化了求解过程。计算结果与实验值的比较证实了本方法具有有效、可靠和精确的特点。 展开更多

关键词 Ⅱ-Ⅵ族半导体 特性参数 三维边缘元方法

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一种系统构造三角形杂交边缘元空间的新方法

11

作者 盛新庆 徐善驾 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期62-66,共5页

近年来发展起来的杂交边缘元是一种消除伪解的有效方法。本文提出了一种能系统构造三角形杂交边缘元空问的方法,作为例子具体给出了一次和二次杂交边缘元插值函数的显形表达式,并且用它们分别计算了空波导,条形介质波导和有耗块状介质... 近年来发展起来的杂交边缘元是一种消除伪解的有效方法。本文提出了一种能系统构造三角形杂交边缘元空问的方法,作为例子具体给出了一次和二次杂交边缘元插值函数的显形表达式,并且用它们分别计算了空波导,条形介质波导和有耗块状介质填充波导的传播常数。计算表明这种方法不仅能消除伪解,而且具有较高的计算效率,两种杂交边缘元计算结果的比较表明高次杂交边缘元的计算精度和收敛速率较低次元有明显的改进。 展开更多

关键词 系统构造 有限元空间 杂交边缘元 波导

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有耗介质导波结构的高次杂交四边形边缘元分析

12

作者 盛新庆 徐善驾 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第9期70-73,共4页

本文提出了一种高次杂交四边形边缘元方法，讨论了这种高次杂交边缘元的有限元空间构造，给出了其形函数的显形表达式。这种方法不仅消除了伪解，而且能直接求解传播常数，从而无需迭代便能分析有耗介质导波结构的传输特性。对矩形波导... 本文提出了一种高次杂交四边形边缘元方法，讨论了这种高次杂交边缘元的有限元空间构造，给出了其形函数的显形表达式。这种方法不仅消除了伪解，而且能直接求解传播常数，从而无需迭代便能分析有耗介质导波结构的传输特性。对矩形波导和条形介质填充波导本征模传播常数的计算表明这种高次杂交边缘元的计算精度比低次杂交边缘元要高出一个量级。对有耗介质填充波导主模色散曲线的计算证实了本文方法具有精确，高效和适用面广的特点。 展开更多

关键词 有耗介质波导 高次杂交边缘元

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SiO_2膜背封片边缘剥离工艺进展

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作者 高丹 佟丽英 《电子工艺技术》 2016年第4期228-230,共3页

背封工艺是外延衬底材料制备的关键工艺之一,由于硅片背面边缘沉积的Si O2膜,在外延工艺中造成外延片边缘多晶颗粒沉积及应力集中,因此越来越多的外延厂家要求对背封片Si O2膜进行边缘剥离,主要介绍了几种边缘剥离的方法,并对其各自的... 背封工艺是外延衬底材料制备的关键工艺之一,由于硅片背面边缘沉积的Si O2膜,在外延工艺中造成外延片边缘多晶颗粒沉积及应力集中,因此越来越多的外延厂家要求对背封片Si O2膜进行边缘剥离,主要介绍了几种边缘剥离的方法,并对其各自的特点进行了分析。 展开更多

关键词 背封 酸腐蚀 边缘剥离元

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