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基于电阻抗断层成像的非均匀电导率颅骨物理模型研究 被引量：2
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作者 杨润楠 王聪 +2 位作者 史学涛 董秀珍 尤富生 《航天医学与医学工程》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期133-135,共3页
目的用非均匀电导率分布的颅骨模型进行电阻抗断层成像(EIT)实验,分析颅骨电导率非均匀分布对成像结果的影响。方法选用石膏材料制作非均匀电导率的颅骨模型,用此模型模拟头颅进行EIT目标成像,并将结果与均匀电导率颅骨模型的成像结果... 目的用非均匀电导率分布的颅骨模型进行电阻抗断层成像(EIT)实验,分析颅骨电导率非均匀分布对成像结果的影响。方法选用石膏材料制作非均匀电导率的颅骨模型,用此模型模拟头颅进行EIT目标成像,并将结果与均匀电导率颅骨模型的成像结果进行比较。结果相对于均匀电导率模型,在非均匀电导率模型内成像目标更加远离电导率较低一侧,且所在位置边界电压扰动量降低。结论颅骨模型的电导率非均匀分布对成像定位有明显影响,需要在成像算法上做进一步改进。 展开更多
关键词 电导率 电阻抗断层成像 边界电压 颅骨
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暂态边界电压法在线测试全钒液流电池阻抗 被引量：5
2
作者 潘建欣 廖玲芝 +4 位作者 谢晓峰 王树博 王金海 尚玉明 周涛 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期1946-1949,1974,共5页
国内首次采用暂态边界电压法在线研究了全钒液流电池(VRB)的特性,建立了由电压源、电阻以及一个电阻与电容并联的3部分串联而成的等效电路模型;研究了电流密度和荷电状态(SOC)对等效电路元件的影响。实验结果表明,极化阻抗随电流密度的... 国内首次采用暂态边界电压法在线研究了全钒液流电池(VRB)的特性,建立了由电压源、电阻以及一个电阻与电容并联的3部分串联而成的等效电路模型;研究了电流密度和荷电状态(SOC)对等效电路元件的影响。实验结果表明,极化阻抗随电流密度的增加有轻微下降,在充电初期和放电末期达到最大值。与极化阻抗相比,充、放电过程中的欧姆阻抗最大,是导致电压损失的主要因素,分别为1.905Ω.cm2和2.139Ω.cm2,暂态边界电压法是一种简单且有效的表征全钒液流电池性能的新方法。 展开更多
关键词 全钒液流电池 暂态边界电压法 等效电路模型 欧姆阻抗 极化阻抗
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脑卒中病灶对多频EIT边界电压谱特性的影响研究 被引量：4
3
作者 赵志博 代萌 +8 位作者 付峰 曹新生 文治洪 王航 代静 王春晨 高志军 刘洋 杨琳 《医疗卫生装备》 CAS 2022年第3期1-7,共7页
目的:量化评估脑卒中病灶对多频电阻抗断层成像(electrical impedance tomography,EIT)边界电压谱的影响。方法:在构建具有真实人头阻抗频谱分布的三维人头模型的基础上,仿真计算3个区(额区、颞区和枕区)、3个位置(距颅脑中心远、中、近... 目的:量化评估脑卒中病灶对多频电阻抗断层成像(electrical impedance tomography,EIT)边界电压谱的影响。方法:在构建具有真实人头阻抗频谱分布的三维人头模型的基础上,仿真计算3个区(额区、颞区和枕区)、3个位置(距颅脑中心远、中、近)、3种不同体积(脑体积的5%、2.5%和0.5%)和2种类型(缺血和出血)共54种脑卒中病灶引起的多频EIT边界电压谱,定量分析脑卒中发生前后的多频EIT边界电压谱变化,并对比分析缺血性和出血性脑卒中病灶对应的多频EIT边界电压谱特征。结果:缺血性脑卒中引起的多频EIT边界电压变化在10 Hz~100 kHz频段内差异最大,虚部差异最大值约为8%,而出血性脑卒中引起的多频EIT边界电压变化在200 kHz~1 MHz频段内差异最大,实部差异最大值可达1.7%。缺血性脑卒中对应的多频EIT边界电压在低频段(10 Hz~<1 kHz)变化最明显,实部变化最大值约为0.4%,虚部变化最大值约为0.5%;出血性脑卒中对应的多频EIT边界电压在高频段(100 kHz~1 MHz)变化较大,实部变化最大值约为0.6%,虚部变化最大值约为1.5%。结论:脑卒中病灶可引起多频EIT边界电压谱发生特异性改变,该研究为未来多频EIT检测脑卒中研究奠定了良好的数据基础。 展开更多
关键词 脑卒中 多频电阻抗断层成像 边界电压谱 出血性脑卒中 缺血性脑卒
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