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大功率半导体激光器研究进展
被引量:
126
1
作者
王立军
宁永强
+2 位作者
秦莉
佟存柱
陈泳屹
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期1-19,共19页
对半导体激光器的发展历史和发展现状进行了综述,并具体介绍了长春光学精密机械与物理研究所近年来在大功率半导体激光器方面所取得的主要进展,特别是在大功率半导体激光器的激光光源、垂直腔面发射激光器和新型激光器芯片等方面。
关键词
大功率
半导体
激光器
边
发射
激光器
垂直腔面
发射
激光器
芯片
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职称材料
半导体激光器研究进展
被引量:
72
2
作者
陈良惠
杨国文
刘育衔
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第5期5-23,共19页
半导体激光器从诞生至今半个世纪,在理论、实践和应用方面取得了巨大进展,占据了整体激光领域的大部分市场,广泛应用于通信网络、工业加工、医疗美容、激光传感、航空国防、安全防护,以及消费电子等领域。本文在回顾国际国内早期半导体...
半导体激光器从诞生至今半个世纪,在理论、实践和应用方面取得了巨大进展,占据了整体激光领域的大部分市场,广泛应用于通信网络、工业加工、医疗美容、激光传感、航空国防、安全防护,以及消费电子等领域。本文在回顾国际国内早期半导体激光器发展历程的基础上,重点针对高功率泵浦源领域的GaAs基8xx nm和9xx nm半导体激光器,三维感知领域的905 nm隧道结激光器和940 nm垂直腔面发射激光器,以及光谱分析和红外感测领域的GaSb基红外激光器和InP基量子级联激光器进行了简单总结。内容包括半导体激光器的主要应用场景、所追求的主要目标、近10年国内外发展的最新进展,以及今后可能的发展趋势与方向。
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关键词
激光器
半导体
激光器
边
发射
激光器
垂直腔面
发射
激光器
红外
激光器
原文传递
一维边发射有机半导体光子晶体激光器设计
被引量:
4
3
作者
李长伟
陈笑
+3 位作者
蔡园园
王晓青
冯帅
王义全
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第9期222-229,共8页
基于有机共轭聚合物聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-苯乙炔](MEH-PPV)的脊形波导,利用光子晶体特殊的光调制特性,模拟设计了一维边发射有机光子晶体激光器。利用光子晶体的带隙结构和带边效应构建了由光子晶体全反镜和透反镜形成的...
基于有机共轭聚合物聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-苯乙炔](MEH-PPV)的脊形波导,利用光子晶体特殊的光调制特性,模拟设计了一维边发射有机光子晶体激光器。利用光子晶体的带隙结构和带边效应构建了由光子晶体全反镜和透反镜形成的谐振腔,在谐振腔内的脊形波导上引入一维缺陷型光子晶体,利用光子晶体缺陷模特性抑制了多纵模竞争,并在此基础上分析了复合结构所导致的边界模效应,得出此类非金属微腔激光器腔长设计的经验公式。模拟结果表明该一维边发射有机光子晶体激光器可实现中心波长为588nm、半峰全宽为0.131nm的单纵模激光输出。
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关键词
激光器
光子晶体
激光器
边
发射
激光器
时域有限差分法
有机半导体
原文传递
VCSELs与EELs多模弛豫振荡的研究
被引量:
1
4
作者
李孝峰
潘炜
+2 位作者
罗斌
赵峥
邓果
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期248-250,258,共4页
根据多模速率方程 ,利用MATLAB提供的SIMULINK软件包对垂直腔面发射激光器 (VCSELs)和边发射激光器 (EELs)多模弛豫振荡进行了研究。结果表明 ,与单模情况相比 ,多模时EELs弛豫振荡频率增大、弛豫和延迟时间缩短 ,而VCSELs动态特性变化...
根据多模速率方程 ,利用MATLAB提供的SIMULINK软件包对垂直腔面发射激光器 (VCSELs)和边发射激光器 (EELs)多模弛豫振荡进行了研究。结果表明 ,与单模情况相比 ,多模时EELs弛豫振荡频率增大、弛豫和延迟时间缩短 ,而VCSELs动态特性变化不大。与此同时 ,在得出VCSELs的单模工作、高速调制以及提高偏置电流或自发辐射因子可改善两类器件动态特性等结论外还看到 ,VCSELs边模抑制比 (SMSR)随偏置电流变化率高于EELs;自发辐射因子增大时 ,边模强度同比例增大、主模强度减小 ,利用微腔效应有效控制自发辐射因子可以优化VCSELs的单模特性。
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关键词
垂直腔面
发射
激光器
边
发射
激光器
弛豫振荡
边
模抑制比
自发辐射因子
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职称材料
封装对905 nm大功率窄脉冲激光发光特性的影响
5
作者
王达鹏
李佳
+1 位作者
吕怡凡
陈立红
《电声技术》
2023年第6期141-143,147,共4页
905 nm大功率窄脉冲激光在激光雷达测距领域有广阔的应用前景。当激光器工作速率逐渐提高时,封装带来的寄生参数对激光器输出特性的影响不容忽略。文章以905 nm边发射激光器为研究对象,在CaN MOSFET驱动下测试并对比导电胶板上芯片(Chip...
905 nm大功率窄脉冲激光在激光雷达测距领域有广阔的应用前景。当激光器工作速率逐渐提高时,封装带来的寄生参数对激光器输出特性的影响不容忽略。文章以905 nm边发射激光器为研究对象,在CaN MOSFET驱动下测试并对比导电胶板上芯片(Chips on Board,COB)封装激光器、导电胶同轴(Transistor Outline,TO)封装激光器、金锡同轴封装激光器的功率、波长、脉宽以及寄生电感等数据,得出CaN MOSFET驱动下的导电胶COB封装激光器性能最佳的结论。
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关键词
CaN
MOSFET驱动
905
nm
边
发射
激光器
封装
窄脉冲
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职称材料
低阈值单横模852nm半导体激光器
被引量:
1
6
作者
刘储
关宝璐
+4 位作者
米国鑫
廖翌如
刘振扬
李建军
徐晨
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第8期113-118,共6页
基于波导理论、等效折射率方法,设计并制备了非对称波导隔离双沟结构脊型边发射激光器,最终获得了低闽值单基侧模852 nm激光器.详细研究了不同脊型台深宽比参数设计对激光器侧向模式特性的影响规律,实现了腔面未镀膜情况下脊型波导边发...
基于波导理论、等效折射率方法,设计并制备了非对称波导隔离双沟结构脊型边发射激光器,最终获得了低闽值单基侧模852 nm激光器.详细研究了不同脊型台深宽比参数设计对激光器侧向模式特性的影响规律,实现了腔面未镀膜情况下脊型波导边发射激光器的单基侧模稳定输出,同时激射波长可以精确调谐到852 nm;工作电流达到150 mA,工作温度30℃;斜率效率最高可达0.89 nW/mA,光谱半宽小于1 nm.研究结果为进一步实现超窄线宽激光器提供了参考和借鉴,并且为实现激光器稳定输出提供了实验基础.
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关键词
脊型波导
边
发射
激光器
侧向模式
模式稳定性
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职称材料
中国瑞典合作InGaAs量子阱激光器研究取得新成果
7
《真空电子技术》
2008年第1期48-,共1页
近日,《Laser Foucs World》(2008年44卷第2期)报道了中科院半导体所与瑞典Chalmers理工大学合作研究的InGaAs量子阱激光器的最新成果,这种激光器采用GaAs基上生长的InGaAs异变(metamor-
关键词
量子阱
激光器
新成果
异变
半导体
激光器
INGAAS
边
发射
激光器
瑞典
北欧
中华人民共和国
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职称材料
808nm边发射二极管激光器特征温度
被引量:
3
8
作者
梁雪梅
秦莉
+5 位作者
王烨
杨晔
李再金
王超
宁永强
王立军
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第5期1390-1395,共6页
研究了波导层材料为Al0.65Ga0.35As时的3种不同厚度(0.4,0.5和0.6μm)和3种不同的Al GaAs基大光学腔(Al0.65Ga0.35As-1μm,Al0.6Ga0.4As-1.5μm和Al0.45Ga0.55As-2μm)的808 nm边发射二极管激光器的输出特性。理论计算模拟了不同结构器...
研究了波导层材料为Al0.65Ga0.35As时的3种不同厚度(0.4,0.5和0.6μm)和3种不同的Al GaAs基大光学腔(Al0.65Ga0.35As-1μm,Al0.6Ga0.4As-1.5μm和Al0.45Ga0.55As-2μm)的808 nm边发射二极管激光器的输出特性。理论计算模拟了不同结构器件的功率-电流特性(P-I)曲线,采用线性拟合的方法计算阈值电流,并计算了器件的特征温度。实验结果验证了理论计算结果。波导层厚度变化的研究说明,当单量子阱的厚度不变时,波导层越厚,器件的特征温度越高,器件的性能也就越好。大光学腔变化的研究表明,由于Al的组分x=0.45时会产生有效的垂直光斑尺寸和更低的电阻,使得2μm-LOC结构的器件性能最好。
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关键词
激光器
半导体
激光器
边
发射
二极管
激光器
特征温度
量子阱结构
功率-电流特性
原文传递
题名
大功率半导体激光器研究进展
被引量:
126
1
作者
王立军
宁永强
秦莉
佟存柱
陈泳屹
机构
发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期1-19,共19页
基金
国家863计划(2012AA040210)
科技部重大仪器专项(2011YQ04007702)
+10 种基金
国家自然基金(61234004
61176045
61306086
61376070
61434005
11404327
61204055)
吉林省科技厅项目(20140101172JC
20130206006GX
20140101206JC-02
20140520132JH)资助
文摘
对半导体激光器的发展历史和发展现状进行了综述,并具体介绍了长春光学精密机械与物理研究所近年来在大功率半导体激光器方面所取得的主要进展,特别是在大功率半导体激光器的激光光源、垂直腔面发射激光器和新型激光器芯片等方面。
关键词
大功率
半导体
激光器
边
发射
激光器
垂直腔面
发射
激光器
芯片
Keywords
high power
diode laser
edge emitting laser
vertical cavity surface emitting laser
chip
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
半导体激光器研究进展
被引量:
72
2
作者
陈良惠
杨国文
刘育衔
机构
中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室
中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室
度亘激光技术(苏州)有限公司
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第5期5-23,共19页
文摘
半导体激光器从诞生至今半个世纪,在理论、实践和应用方面取得了巨大进展,占据了整体激光领域的大部分市场,广泛应用于通信网络、工业加工、医疗美容、激光传感、航空国防、安全防护,以及消费电子等领域。本文在回顾国际国内早期半导体激光器发展历程的基础上,重点针对高功率泵浦源领域的GaAs基8xx nm和9xx nm半导体激光器,三维感知领域的905 nm隧道结激光器和940 nm垂直腔面发射激光器,以及光谱分析和红外感测领域的GaSb基红外激光器和InP基量子级联激光器进行了简单总结。内容包括半导体激光器的主要应用场景、所追求的主要目标、近10年国内外发展的最新进展,以及今后可能的发展趋势与方向。
关键词
激光器
半导体
激光器
边
发射
激光器
垂直腔面
发射
激光器
红外
激光器
Keywords
lasers
semiconductor laser
edge emitting laser
vertical cavity surface emitting laser
infrared laser
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
一维边发射有机半导体光子晶体激光器设计
被引量:
4
3
作者
李长伟
陈笑
蔡园园
王晓青
冯帅
王义全
机构
中央民族大学理学院
北京交通大学理学院
出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第9期222-229,共8页
基金
国家自然科学基金(61675238
61775244)
文摘
基于有机共轭聚合物聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-苯乙炔](MEH-PPV)的脊形波导,利用光子晶体特殊的光调制特性,模拟设计了一维边发射有机光子晶体激光器。利用光子晶体的带隙结构和带边效应构建了由光子晶体全反镜和透反镜形成的谐振腔,在谐振腔内的脊形波导上引入一维缺陷型光子晶体,利用光子晶体缺陷模特性抑制了多纵模竞争,并在此基础上分析了复合结构所导致的边界模效应,得出此类非金属微腔激光器腔长设计的经验公式。模拟结果表明该一维边发射有机光子晶体激光器可实现中心波长为588nm、半峰全宽为0.131nm的单纵模激光输出。
关键词
激光器
光子晶体
激光器
边
发射
激光器
时域有限差分法
有机半导体
Keywords
lasers
photonic crystal lasers
edge-emitting lasers
finite different time domain method
organicsemiconductor
分类号
TN383.2 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
VCSELs与EELs多模弛豫振荡的研究
被引量:
1
4
作者
李孝峰
潘炜
罗斌
赵峥
邓果
机构
西南交通大学计算机与通信工程学院
西南交通大学理学院
出处
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期248-250,258,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目 (10 174 0 5 7)
文摘
根据多模速率方程 ,利用MATLAB提供的SIMULINK软件包对垂直腔面发射激光器 (VCSELs)和边发射激光器 (EELs)多模弛豫振荡进行了研究。结果表明 ,与单模情况相比 ,多模时EELs弛豫振荡频率增大、弛豫和延迟时间缩短 ,而VCSELs动态特性变化不大。与此同时 ,在得出VCSELs的单模工作、高速调制以及提高偏置电流或自发辐射因子可改善两类器件动态特性等结论外还看到 ,VCSELs边模抑制比 (SMSR)随偏置电流变化率高于EELs;自发辐射因子增大时 ,边模强度同比例增大、主模强度减小 ,利用微腔效应有效控制自发辐射因子可以优化VCSELs的单模特性。
关键词
垂直腔面
发射
激光器
边
发射
激光器
弛豫振荡
边
模抑制比
自发辐射因子
Keywords
vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs)
edge-emitting lasers (EELs)
relaxation oscillation
side-mode suppression ratio(SMSR)
spontaneous emission factor
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
封装对905 nm大功率窄脉冲激光发光特性的影响
5
作者
王达鹏
李佳
吕怡凡
陈立红
机构
河北杰微科技有限公司
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《电声技术》
2023年第6期141-143,147,共4页
文摘
905 nm大功率窄脉冲激光在激光雷达测距领域有广阔的应用前景。当激光器工作速率逐渐提高时,封装带来的寄生参数对激光器输出特性的影响不容忽略。文章以905 nm边发射激光器为研究对象,在CaN MOSFET驱动下测试并对比导电胶板上芯片(Chips on Board,COB)封装激光器、导电胶同轴(Transistor Outline,TO)封装激光器、金锡同轴封装激光器的功率、波长、脉宽以及寄生电感等数据,得出CaN MOSFET驱动下的导电胶COB封装激光器性能最佳的结论。
关键词
CaN
MOSFET驱动
905
nm
边
发射
激光器
封装
窄脉冲
Keywords
CaN MOSFET driver
905 nm edge-emitting laser,packaging
narrow pulses
分类号
TN29 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
低阈值单横模852nm半导体激光器
被引量:
1
6
作者
刘储
关宝璐
米国鑫
廖翌如
刘振扬
李建军
徐晨
机构
北京工业大学信息学部电子科学与技术学院光电子技术省部共建教育部重点实验室
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第8期113-118,共6页
基金
半导体激光器产业化技术基金(批准号:YXBGD20151JL01)
国家自然科学基金(批准号:61575008
+9 种基金
60908012
61376049
61076044
61107026
61204011)
北京市自然科学基金(批准号:4172011
4132006
4102003
4112006)
北京市教育委员会基础技术研究基金(批准号:KM201210005004)资助的课题~~
文摘
基于波导理论、等效折射率方法,设计并制备了非对称波导隔离双沟结构脊型边发射激光器,最终获得了低闽值单基侧模852 nm激光器.详细研究了不同脊型台深宽比参数设计对激光器侧向模式特性的影响规律,实现了腔面未镀膜情况下脊型波导边发射激光器的单基侧模稳定输出,同时激射波长可以精确调谐到852 nm;工作电流达到150 mA,工作温度30℃;斜率效率最高可达0.89 nW/mA,光谱半宽小于1 nm.研究结果为进一步实现超窄线宽激光器提供了参考和借鉴,并且为实现激光器稳定输出提供了实验基础.
关键词
脊型波导
边
发射
激光器
侧向模式
模式稳定性
Keywords
ridge waveguide edge emitting laser
lateral mode
mode stability
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
中国瑞典合作InGaAs量子阱激光器研究取得新成果
7
出处
《真空电子技术》
2008年第1期48-,共1页
文摘
近日,《Laser Foucs World》(2008年44卷第2期)报道了中科院半导体所与瑞典Chalmers理工大学合作研究的InGaAs量子阱激光器的最新成果,这种激光器采用GaAs基上生长的InGaAs异变(metamor-
关键词
量子阱
激光器
新成果
异变
半导体
激光器
INGAAS
边
发射
激光器
瑞典
北欧
中华人民共和国
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
808nm边发射二极管激光器特征温度
被引量:
3
8
作者
梁雪梅
秦莉
王烨
杨晔
李再金
王超
宁永强
王立军
机构
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室
中国科学院研究生院
出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第5期1390-1395,共6页
基金
国家自然科学基金(60636020
60676034
+2 种基金
60706007)
中国科学院知识创新工程领域前沿和吉林省科技发展计划项目(20080335
20086011)资助课题
文摘
研究了波导层材料为Al0.65Ga0.35As时的3种不同厚度(0.4,0.5和0.6μm)和3种不同的Al GaAs基大光学腔(Al0.65Ga0.35As-1μm,Al0.6Ga0.4As-1.5μm和Al0.45Ga0.55As-2μm)的808 nm边发射二极管激光器的输出特性。理论计算模拟了不同结构器件的功率-电流特性(P-I)曲线,采用线性拟合的方法计算阈值电流,并计算了器件的特征温度。实验结果验证了理论计算结果。波导层厚度变化的研究说明,当单量子阱的厚度不变时,波导层越厚,器件的特征温度越高,器件的性能也就越好。大光学腔变化的研究表明,由于Al的组分x=0.45时会产生有效的垂直光斑尺寸和更低的电阻,使得2μm-LOC结构的器件性能最好。
关键词
激光器
半导体
激光器
边
发射
二极管
激光器
特征温度
量子阱结构
功率-电流特性
Keywords
lasers
semiconductor lasers
edge-emitting diode lasers
characteristic temperature
quantum well structure
P-I characteristic
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
大功率半导体激光器研究进展
王立军
宁永强
秦莉
佟存柱
陈泳屹
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
126
下载PDF
职称材料
2
半导体激光器研究进展
陈良惠
杨国文
刘育衔
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
72
原文传递
3
一维边发射有机半导体光子晶体激光器设计
李长伟
陈笑
蔡园园
王晓青
冯帅
王义全
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
4
原文传递
4
VCSELs与EELs多模弛豫振荡的研究
李孝峰
潘炜
罗斌
赵峥
邓果
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
下载PDF
职称材料
5
封装对905 nm大功率窄脉冲激光发光特性的影响
王达鹏
李佳
吕怡凡
陈立红
《电声技术》
2023
0
下载PDF
职称材料
6
低阈值单横模852nm半导体激光器
刘储
关宝璐
米国鑫
廖翌如
刘振扬
李建军
徐晨
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
1
下载PDF
职称材料
7
中国瑞典合作InGaAs量子阱激光器研究取得新成果
《真空电子技术》
2008
0
下载PDF
职称材料
8
808nm边发射二极管激光器特征温度
梁雪梅
秦莉
王烨
杨晔
李再金
王超
宁永强
王立军
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
3
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