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808nm边发射二极管激光器特征温度 被引量：3
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作者 梁雪梅 秦莉 +5 位作者 王烨 杨晔 李再金 王超 宁永强 王立军 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1390-1395,共6页
研究了波导层材料为Al0.65Ga0.35As时的3种不同厚度(0.4,0.5和0.6μm)和3种不同的Al GaAs基大光学腔(Al0.65Ga0.35As-1μm,Al0.6Ga0.4As-1.5μm和Al0.45Ga0.55As-2μm)的808 nm边发射二极管激光器的输出特性。理论计算模拟了不同结构器... 研究了波导层材料为Al0.65Ga0.35As时的3种不同厚度(0.4,0.5和0.6μm)和3种不同的Al GaAs基大光学腔(Al0.65Ga0.35As-1μm,Al0.6Ga0.4As-1.5μm和Al0.45Ga0.55As-2μm)的808 nm边发射二极管激光器的输出特性。理论计算模拟了不同结构器件的功率-电流特性(P-I)曲线,采用线性拟合的方法计算阈值电流,并计算了器件的特征温度。实验结果验证了理论计算结果。波导层厚度变化的研究说明,当单量子阱的厚度不变时,波导层越厚,器件的特征温度越高,器件的性能也就越好。大光学腔变化的研究表明,由于Al的组分x=0.45时会产生有效的垂直光斑尺寸和更低的电阻,使得2μm-LOC结构的器件性能最好。 展开更多
关键词 激光器 半导体激光器 边发射二极管激光器 特征温度 量子阱结构 功率-电流特性
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