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400nm IMPL RADFET剂量计的性能研究 被引量：1
1
作者 宫辉 李金 +4 位作者 杨世明 邵贝贝 龚光华 李裕熊 谢小希 《高能物理与核物理》 CSCD 北大核心 2007年第3期283-287,共5页
RADFET多通道探测器将要用来测量北京谱仪BESⅢ中量能器附近的累计剂量．探测器的技术关键是对400nm IMPL RADFET剂量计具体性能的了解和掌握．本工作以60Coγ源为辐射源,实验研究了400nm IMPL RADFET剂量计的各项性能,包括RADFET通道... RADFET多通道探测器将要用来测量北京谱仪BESⅢ中量能器附近的累计剂量．探测器的技术关键是对400nm IMPL RADFET剂量计具体性能的了解和掌握．本工作以60Coγ源为辐射源,实验研究了400nm IMPL RADFET剂量计的各项性能,包括RADFET通道间的一致性、测量累积剂量时的辐照强度相关性以及退火特性等,同时也讨论了测量数据的拟合方法,为该类型RADFET剂量计在RADFET多通道探测器的设计、建造和其他方面的应用提供了实验基础． 展开更多
关键词 BESⅢ RADFET剂量计 累积剂量测量 辐照强度相关性 退火
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