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新型结构垂直腔面发射激光器的研制
被引量：
7
1
作者
赵英杰
郝永芹
+2 位作者
李广军
冯源
侯立峰
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第8期1946-1950,共5页
为改善垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的热特性,提高其光电性能,研制了新型辐射桥结构的VCSEL,即采用辐射桥状的电流注入通道取代以往传统结构VCSEL的环形电流注入通道。研究表明辐射桥结构可以降低VCSEL器件的体电阻和热阻,改善器件...
为改善垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的热特性,提高其光电性能,研制了新型辐射桥结构的VCSEL,即采用辐射桥状的电流注入通道取代以往传统结构VCSEL的环形电流注入通道。研究表明辐射桥结构可以降低VCSEL器件的体电阻和热阻,改善器件的模式特性。在同一外延片上,采用相同的工艺制备了辐射桥结构与传统结构两种VCSEL器件,并对两种器件的光电性能进行了对比测试。结果表明,辐射桥结构VCSEL比传统结构的VCSEL微分电阻降低25%,输出功率提高到1.6倍;辐射桥结构的VCSEL具有良好的温度特性与模式特性,80℃时仍能正常激射,60℃时最大输出功率可达17 mW,器件的热阻可达1.95 ℃/mW;器件单模工作,其总体性能远优于传统结构的VCSEL器件。
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关键词
激光技术
垂直腔面发射激光器
辐射
桥
热阻
原文传递
新型辐射桥结构VCSEL的设计、制作和热特性分析
被引量：
1
2
作者
高英强
王晓华
+2 位作者
赵英杰
刘向南
刘国军
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期860-865,共6页
为了改善垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的热特性,提高器件的输出功率,设计并制作了一种新型辐射桥结构VCSEL。利用有限元热分析软件ANSYS,模拟了常规结构和辐射桥结构VCSEL内部的热场分布和热矢量分布。经模拟得到,常规结构器件的热...
为了改善垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的热特性,提高器件的输出功率,设计并制作了一种新型辐射桥结构VCSEL。利用有限元热分析软件ANSYS,模拟了常规结构和辐射桥结构VCSEL内部的热场分布和热矢量分布。经模拟得到,常规结构器件的热阻为4.13K/W,辐射桥结构的热阻为2.64K/W。而经实验测得,常规结构器件的热阻为4.40K/W,辐射桥结构器件的热阻为2.93K/W,实验测试结果与模拟结果吻合较好。同时测得,常规结构器件的最大输出功率为305mW,辐射桥结构器件的最大输出功率为430mW,后者的输出功率提高了40%。
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关键词
高功率半导体激光
垂直腔面发射激光器(VCSEL)
辐射
桥
热特性
ANSYS
原文传递
题名
新型结构垂直腔面发射激光器的研制
被引量：
7
1
作者
赵英杰
郝永芹
李广军
冯源
侯立峰
机构
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
中国人民解放军装甲兵技术学院
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第8期1946-1950,共5页
基金
国家自然科学基金(60676059)
吉林省科技发展计划(20080331)资助项目
文摘
为改善垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的热特性,提高其光电性能,研制了新型辐射桥结构的VCSEL,即采用辐射桥状的电流注入通道取代以往传统结构VCSEL的环形电流注入通道。研究表明辐射桥结构可以降低VCSEL器件的体电阻和热阻,改善器件的模式特性。在同一外延片上,采用相同的工艺制备了辐射桥结构与传统结构两种VCSEL器件,并对两种器件的光电性能进行了对比测试。结果表明,辐射桥结构VCSEL比传统结构的VCSEL微分电阻降低25%,输出功率提高到1.6倍;辐射桥结构的VCSEL具有良好的温度特性与模式特性,80℃时仍能正常激射,60℃时最大输出功率可达17 mW,器件的热阻可达1.95 ℃/mW;器件单模工作,其总体性能远优于传统结构的VCSEL器件。
关键词
激光技术
垂直腔面发射激光器
辐射
桥
热阻
Keywords
laser technique
vertical cavity surface emitting laser
radiate brigde
thermal resistance
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
新型辐射桥结构VCSEL的设计、制作和热特性分析
被引量：
1
2
作者
高英强
王晓华
赵英杰
刘向南
刘国军
机构
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
出处
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期860-865,共6页
基金
国家自然科学基金(61076039)
吉林省自然科学基金(20090555)
高等学校博士点专项基金(20102216110001)资助项目
文摘
为了改善垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的热特性,提高器件的输出功率,设计并制作了一种新型辐射桥结构VCSEL。利用有限元热分析软件ANSYS,模拟了常规结构和辐射桥结构VCSEL内部的热场分布和热矢量分布。经模拟得到,常规结构器件的热阻为4.13K/W,辐射桥结构的热阻为2.64K/W。而经实验测得,常规结构器件的热阻为4.40K/W,辐射桥结构器件的热阻为2.93K/W,实验测试结果与模拟结果吻合较好。同时测得,常规结构器件的最大输出功率为305mW,辐射桥结构器件的最大输出功率为430mW,后者的输出功率提高了40%。
关键词
高功率半导体激光
垂直腔面发射激光器(VCSEL)
辐射
桥
热特性
ANSYS
Keywords
high power semiconductor laser
vertical cavity surface emitting laser（VCSEL）
radiate bridge
thermal characteristics
ANSYS
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
新型结构垂直腔面发射激光器的研制
赵英杰
郝永芹
李广军
冯源
侯立峰
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
7
原文传递
2
新型辐射桥结构VCSEL的设计、制作和热特性分析
高英强
王晓华
赵英杰
刘向南
刘国军
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
1
原文传递
已选择
0
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导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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