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γ脉宽对电子器件瞬时辐照效应的影响
被引量：
5
1
作者
朱小锋
赵洪超
周开明
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第10期1539-1541,共3页
采用了2种γ脉冲辐射源，在脉冲宽度分别约为20，50，150ns，剂量率为10^6～10^6Gy（Si）·s^-1下，对5种不同类型的电子器件进行了辐照试验并对其辐照响应进行了分析，比较了不同脉冲宽度条件下辐照响应的差异。实验结果表明：脉...
采用了2种γ脉冲辐射源，在脉冲宽度分别约为20，50，150ns，剂量率为10^6～10^6Gy（Si）·s^-1下，对5种不同类型的电子器件进行了辐照试验并对其辐照响应进行了分析，比较了不同脉冲宽度条件下辐照响应的差异。实验结果表明：脉冲宽度是影响瞬时辐照效应的重要因素，γ脉冲宽度越宽，辐照响应越强，分离器件比集成电路受脉宽的影响更明显。
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关键词
脉冲宽度
辐射
效应
剂量率
辐射
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职称材料
题名
γ脉宽对电子器件瞬时辐照效应的影响
被引量：
5
1
作者
朱小锋
赵洪超
周开明
机构
中国工程物理研究院电子工程研究所
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第10期1539-1541,共3页
基金
国防科技基础研究基金项目
文摘
采用了2种γ脉冲辐射源，在脉冲宽度分别约为20，50，150ns，剂量率为10^6～10^6Gy（Si）·s^-1下，对5种不同类型的电子器件进行了辐照试验并对其辐照响应进行了分析，比较了不同脉冲宽度条件下辐照响应的差异。实验结果表明：脉冲宽度是影响瞬时辐照效应的重要因素，γ脉冲宽度越宽，辐照响应越强，分离器件比集成电路受脉宽的影响更明显。
关键词
脉冲宽度
辐射
效应
剂量率
辐射
存储
时间
Keywords
pulse-width
radiation effect
dose rate
radiation storage time
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
γ脉宽对电子器件瞬时辐照效应的影响
朱小锋
赵洪超
周开明
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
5
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职称材料
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