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AlGaN/GaN异质结载流子面密度测量的比较与分析
被引量：
2
1
作者
倪金玉
张进成
+3 位作者
郝跃
杨燕
陈海峰
高志远
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第11期6629-6633,共5页
对MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长的不同Al组分AlGaN/GaN异质结进行了范德堡法Hall测量和电容-电压(C-V)测量,发现Hall测量载流子面密度值大于C-V测量值,并且随着AlGaN层Al组分的增加,两种测量值都在增加,同时它们的差值也在增加.认为产...
对MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长的不同Al组分AlGaN/GaN异质结进行了范德堡法Hall测量和电容-电压(C-V)测量,发现Hall测量载流子面密度值大于C-V测量值,并且随着AlGaN层Al组分的增加,两种测量值都在增加,同时它们的差值也在增加.认为产生这一结果的原因有两方面.一方面,Ni/Au肖特基金属淀积在AlGaN/GaN异质结上,改变了AlGaN势垒层的表面状态,使得一部分二维电子气(2DEG)电子被抽取到空的施主表面态中,从而减小了AlGaN/GaN异质结界面势阱中的2DEG浓度.随着势垒层Al组分的增加,AlGaN层产生了更多的表面态,从而使得更多的电子被抽取到了空的表面态中.另一方面,由于C-V测量本身精确度受到串联电阻的影响,使得测量电容小于实际电容,从而低估了载流子浓度.
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关键词
ALGAN/GAN异质结
电容-电压测量
载流子
面密度
串联电阻效应
原文传递
Q2D半导体电子和空穴统计
被引量：
1
2
作者
罗振华
吴仲墀
《半导体情报》
2001年第3期52-55,共4页
用半导体统计方法导出准二维半导体自由载流子面密度的数学表达式 ,并给出面密度与体密度之间关系式。采用二维半导体自由载流子面密度表示式和范德堡 -霍尔实验测量在衬底 Ga As上 MBE生长的 Q2 D的样品 Ga Sb和 In As1-x Sbx ( x≈ 0 ...
用半导体统计方法导出准二维半导体自由载流子面密度的数学表达式 ,并给出面密度与体密度之间关系式。采用二维半导体自由载流子面密度表示式和范德堡 -霍尔实验测量在衬底 Ga As上 MBE生长的 Q2 D的样品 Ga Sb和 In As1-x Sbx ( x≈ 0 .2 2 )禁带宽度 Eg,获得满意结果。
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关键词
Q2D半导体
自由
载流子
面密度
禁带宽度
空穴统计
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职称材料
MBE生长的InAs_(1-x)Sb_x外延层Eg和x测量
3
作者
罗振华
吴仲墀
邱绍雄
《华东师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期50-55,共6页
MBE生长的外延三元化合物材料InAs1 xSbx/AlSb/GaAs等是研制红外光通讯探测器的重要材料 ,准确检测这些半导体的禁带宽度Eg和组份x是个重要课题。该文简要地提出与本研究有关的二维 (2D)体系态密度D2D和自由载流子面密度等物理量的数...
MBE生长的外延三元化合物材料InAs1 xSbx/AlSb/GaAs等是研制红外光通讯探测器的重要材料 ,准确检测这些半导体的禁带宽度Eg和组份x是个重要课题。该文简要地提出与本研究有关的二维 (2D)体系态密度D2D和自由载流子面密度等物理量的数学表达式并采用变温Vander Pauw Hall实验对上述半导体样品进行测试 ,分别用 2D和 3D体系的理论对实验数据进行分析处理 ,实验结果表明 :2D理论得出的Eg和x比 3D理论处理有明显改善 。
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关键词
2D半导体
自由
载流子
面密度
禁带宽度
MBE
外延生长
红外光通讯探测器
三元化合物
InAs1-xSbx
测量
铟砷锑化合物
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职称材料
题名
AlGaN/GaN异质结载流子面密度测量的比较与分析
被引量：
2
1
作者
倪金玉
张进成
郝跃
杨燕
陈海峰
高志远
机构
西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第11期6629-6633,共5页
基金
国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:513270203
2002CB3119)
+1 种基金
国防科技重点实验室基金(批准号:51432030204DZ0101
51433040105DZ0102)资助的课题.~~
文摘
对MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长的不同Al组分AlGaN/GaN异质结进行了范德堡法Hall测量和电容-电压(C-V)测量,发现Hall测量载流子面密度值大于C-V测量值,并且随着AlGaN层Al组分的增加,两种测量值都在增加,同时它们的差值也在增加.认为产生这一结果的原因有两方面.一方面,Ni/Au肖特基金属淀积在AlGaN/GaN异质结上,改变了AlGaN势垒层的表面状态,使得一部分二维电子气(2DEG)电子被抽取到空的施主表面态中,从而减小了AlGaN/GaN异质结界面势阱中的2DEG浓度.随着势垒层Al组分的增加,AlGaN层产生了更多的表面态,从而使得更多的电子被抽取到了空的表面态中.另一方面,由于C-V测量本身精确度受到串联电阻的影响,使得测量电容小于实际电容,从而低估了载流子浓度.
关键词
ALGAN/GAN异质结
电容-电压测量
载流子
面密度
串联电阻效应
Keywords
AlGaN/GaN heterostructure,capacitance-voltage measurement,sheet carrier density,series resistance effect
分类号
O472 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
Q2D半导体电子和空穴统计
被引量：
1
2
作者
罗振华
吴仲墀
机构
华东师范大学物理系
复旦大学物理系
出处
《半导体情报》
2001年第3期52-55,共4页
文摘
用半导体统计方法导出准二维半导体自由载流子面密度的数学表达式 ,并给出面密度与体密度之间关系式。采用二维半导体自由载流子面密度表示式和范德堡 -霍尔实验测量在衬底 Ga As上 MBE生长的 Q2 D的样品 Ga Sb和 In As1-x Sbx ( x≈ 0 .2 2 )禁带宽度 Eg,获得满意结果。
关键词
Q2D半导体
自由
载流子
面密度
禁带宽度
空穴统计
Keywords
Q2D semiconductors
area density for free carries
band gap
分类号
TN301 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
MBE生长的InAs_(1-x)Sb_x外延层Eg和x测量
3
作者
罗振华
吴仲墀
邱绍雄
机构
华东师范大学物理系
复旦大学物理系
出处
《华东师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期50-55,共6页
文摘
MBE生长的外延三元化合物材料InAs1 xSbx/AlSb/GaAs等是研制红外光通讯探测器的重要材料 ,准确检测这些半导体的禁带宽度Eg和组份x是个重要课题。该文简要地提出与本研究有关的二维 (2D)体系态密度D2D和自由载流子面密度等物理量的数学表达式并采用变温Vander Pauw Hall实验对上述半导体样品进行测试 ,分别用 2D和 3D体系的理论对实验数据进行分析处理 ,实验结果表明 :2D理论得出的Eg和x比 3D理论处理有明显改善 。
关键词
2D半导体
自由
载流子
面密度
禁带宽度
MBE
外延生长
红外光通讯探测器
三元化合物
InAs1-xSbx
测量
铟砷锑化合物
Keywords
Q2D semiconductors
area density for free carrier
band gap
分类号
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
TN215
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
AlGaN/GaN异质结载流子面密度测量的比较与分析
倪金玉
张进成
郝跃
杨燕
陈海峰
高志远
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
2
原文传递
2
Q2D半导体电子和空穴统计
罗振华
吴仲墀
《半导体情报》
2001
1
下载PDF
职称材料
3
MBE生长的InAs_(1-x)Sb_x外延层Eg和x测量
罗振华
吴仲墀
邱绍雄
《华东师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
下载PDF
职称材料
已选择
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