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考虑载流子速度和耗尽层宽度随电压变化的VBIC模型
被引量：
1
1
作者
葛霁
金智
+4 位作者
刘新宇
程伟
王显泰
陈高鹏
吴德馨
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第11期2270-2274,共5页
针对VBIC(vertical bipolar inter-company)模型对HBT多电压偏置下S参数拟合不够准确的问题,考虑了GaAs基HBT集电区载流子速度和耗尽层宽度随电压的变化关系,建立了随外加电压变化的集电区渡越时间方程.将得到的渡越时间方程内嵌到VBIC...
针对VBIC(vertical bipolar inter-company)模型对HBT多电压偏置下S参数拟合不够准确的问题,考虑了GaAs基HBT集电区载流子速度和耗尽层宽度随电压的变化关系,建立了随外加电压变化的集电区渡越时间方程.将得到的渡越时间方程内嵌到VBIC模型中,改进的模型提高了GaAs基HBT多电压偏置下S参数的拟合精度,其在很宽的电压范围内均与实际测试结果符合良好.
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关键词
载流子
速度
耗尽层宽度
集电区渡越时间
VBIC模型
原文传递
稳恒电流磁场与库仑电场的关系研究
被引量：
3
2
作者
岳筱萍
孙洪伟
《新乡学院学报》
2010年第2期20-22,共3页
用电磁学方法证明了电流元产生元磁场的3个方程的等价性;由稳恒电流元的磁场表达式导出了元磁场与载流电荷元产生的库仑电场的关系。讨论了该表达式的物理意义,指出,该表达式明确指出稳恒磁场是由电荷的定向运动产生的;稳恒磁场是以光...
用电磁学方法证明了电流元产生元磁场的3个方程的等价性;由稳恒电流元的磁场表达式导出了元磁场与载流电荷元产生的库仑电场的关系。讨论了该表达式的物理意义,指出,该表达式明确指出稳恒磁场是由电荷的定向运动产生的;稳恒磁场是以光速传播的,为否定"超距作用"的观点提供了新的依据。认为v×dE/c2表示了库仑电场力的无功功率,由此可知,稳恒电流的磁场可以由载流电荷库仑力的无功功率表示。这样的结果有利于初学电磁学的人正确理解磁场的产生、来源和传播。讨论了运用新的表达式求解磁场的方法,指出,运用电荷密度与载流子定向运动速度的乘积等于电流密度和点电荷的库仑场表达式的方法求解磁场甚为方便,如此做法可以省去传统的求解磁场必须掌握的复杂计算方法。并由此推断超导载流子的平均定向运动速度远远大于正常导体内载流子的定向运动速度,否则,超导电流不可能产生几十个特斯拉的磁场。
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关键词
稳恒电流磁场
库仑电场
载流电荷元
载流子
定向运动
速度
光速
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职称材料
TOSA中pin背光探测器的P-I非线性特性研究
被引量：
1
3
作者
丁国庆
杜治国
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期119-123,共5页
TOSA中用到的pin背光探测器是监测与控制LD前光输出特性的敏感器件,其光功率(P)和光电流(I)应具有线性关系。测试发现,不同结构和尺寸的探测器的P-I特性可能有所不同。目前普遍使用的正面进光的pin平面型光探测器,常存在某种范围的P-I...
TOSA中用到的pin背光探测器是监测与控制LD前光输出特性的敏感器件,其光功率(P)和光电流(I)应具有线性关系。测试发现,不同结构和尺寸的探测器的P-I特性可能有所不同。目前普遍使用的正面进光的pin平面型光探测器,常存在某种范围的P-I非线性。分析指出,这种非线性与器件内部结构、表面接触层情况、入射光密度、外加负偏压大小和负载电阻有关;并指出,当pin-PD中pi结位置合适、外加负偏压1.5 V以上,负载电阻1 kW,LD前光入射光功率8 mW以下,则pin背光探测器的P-I非线性可忽略。
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关键词
光发射组件
pin背光探测器
P-I非线性
光吸收层
载流子
漂移
速度
光传输
速度
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职称材料
凝视列阵—未来的轻型热象仪
4
作者
R. N. J. Dennis
R. J. Dann
赵振红
《应用光学》
CAS
CSCD
1989年第3期27-29,67,共4页
目前的高性能热象仪正象通用组件一样很容易获得,这些系统通常采用一个扫描机构产生二维显示,这种机构难以适合于价廉、轻型、小型化的热象仪。然而随着二维封闭列阵红外探测器的出现,现在研制这种系统就逐渐成为可能的事情。RSRE和Mces...
目前的高性能热象仪正象通用组件一样很容易获得,这些系统通常采用一个扫描机构产生二维显示,这种机构难以适合于价廉、轻型、小型化的热象仪。然而随着二维封闭列阵红外探测器的出现,现在研制这种系统就逐渐成为可能的事情。RSRE和McesFrimley联合生产了一种用碲镉汞探测器的小型热象仪,该系统适合于使用3—5μm和8—14μm两个波段的列阵,并可用于研究各种电子校正机构。
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关键词
碲镉汞探测器
红外探测器
热象
二维显示
非均匀校正
扫描方向
正象
焦平面
载流子
漂移
速度
响应度
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职称材料
SiC专刊征稿启事
5
《大功率变流技术》
2015年第6期56-56,共1页
电力电子器件发展直接带动了大功率变流器水平的整体提升,并促进和推动了电力电子技术和应用的迅速发展。碳化硅（SiC）作为当前国际上最先进的第三代新型半导体材料,具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子漂移速度等特点。...
电力电子器件发展直接带动了大功率变流器水平的整体提升,并促进和推动了电力电子技术和应用的迅速发展。碳化硅（SiC）作为当前国际上最先进的第三代新型半导体材料,具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子漂移速度等特点。与传统的硅材料器件相比,SiC器件可减少能耗75%,大幅降低设备成本并提高系统可靠性,可广泛应用于国民经济的各个领域。
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关键词
载流子
漂移
速度
临界击穿电场
电力电子技术
半导体材料
高热导率
电力电子器件
设备成本
SIC
器件技术
系统可靠性
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职称材料
题名
考虑载流子速度和耗尽层宽度随电压变化的VBIC模型
被引量：
1
1
作者
葛霁
金智
刘新宇
程伟
王显泰
陈高鹏
吴德馨
机构
中国科学院微电子研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第11期2270-2274,共5页
基金
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2002CB311902)~~
文摘
针对VBIC(vertical bipolar inter-company)模型对HBT多电压偏置下S参数拟合不够准确的问题,考虑了GaAs基HBT集电区载流子速度和耗尽层宽度随电压的变化关系,建立了随外加电压变化的集电区渡越时间方程.将得到的渡越时间方程内嵌到VBIC模型中,改进的模型提高了GaAs基HBT多电压偏置下S参数的拟合精度,其在很宽的电压范围内均与实际测试结果符合良好.
关键词
载流子
速度
耗尽层宽度
集电区渡越时间
VBIC模型
Keywords
carrier velocity
depletion-layer thickness
collector transit time
VBIC model
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
稳恒电流磁场与库仑电场的关系研究
被引量：
3
2
作者
岳筱萍
孙洪伟
机构
新乡医学院生命科学技术系物理教研室
郑州大学西亚斯国际学院
出处
《新乡学院学报》
2010年第2期20-22,共3页
文摘
用电磁学方法证明了电流元产生元磁场的3个方程的等价性;由稳恒电流元的磁场表达式导出了元磁场与载流电荷元产生的库仑电场的关系。讨论了该表达式的物理意义,指出,该表达式明确指出稳恒磁场是由电荷的定向运动产生的;稳恒磁场是以光速传播的,为否定"超距作用"的观点提供了新的依据。认为v×dE/c2表示了库仑电场力的无功功率,由此可知,稳恒电流的磁场可以由载流电荷库仑力的无功功率表示。这样的结果有利于初学电磁学的人正确理解磁场的产生、来源和传播。讨论了运用新的表达式求解磁场的方法,指出,运用电荷密度与载流子定向运动速度的乘积等于电流密度和点电荷的库仑场表达式的方法求解磁场甚为方便,如此做法可以省去传统的求解磁场必须掌握的复杂计算方法。并由此推断超导载流子的平均定向运动速度远远大于正常导体内载流子的定向运动速度,否则,超导电流不可能产生几十个特斯拉的磁场。
关键词
稳恒电流磁场
库仑电场
载流电荷元
载流子
定向运动
速度
光速
Keywords
steady current magnetic field
Coulomb field
current-carrying charge
speed of current carrier＇s directional movement
speed of light
分类号
O441.1 [理学—电磁学]
O441.2 [理学—物理]
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职称材料
题名
TOSA中pin背光探测器的P-I非线性特性研究
被引量：
1
3
作者
丁国庆
杜治国
机构
武汉华工正源光子技术有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期119-123,共5页
文摘
TOSA中用到的pin背光探测器是监测与控制LD前光输出特性的敏感器件,其光功率(P)和光电流(I)应具有线性关系。测试发现,不同结构和尺寸的探测器的P-I特性可能有所不同。目前普遍使用的正面进光的pin平面型光探测器,常存在某种范围的P-I非线性。分析指出,这种非线性与器件内部结构、表面接触层情况、入射光密度、外加负偏压大小和负载电阻有关;并指出,当pin-PD中pi结位置合适、外加负偏压1.5 V以上,负载电阻1 kW,LD前光入射光功率8 mW以下,则pin背光探测器的P-I非线性可忽略。
关键词
光发射组件
pin背光探测器
P-I非线性
光吸收层
载流子
漂移
速度
光传输
速度
Keywords
TOSA
pin-PD
P-I nonlinear
light absorbing layer
carriers drifting velocity
optical transmission speed
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
凝视列阵—未来的轻型热象仪
4
作者
R. N. J. Dennis
R. J. Dann
赵振红
出处
《应用光学》
CAS
CSCD
1989年第3期27-29,67,共4页
文摘
目前的高性能热象仪正象通用组件一样很容易获得,这些系统通常采用一个扫描机构产生二维显示,这种机构难以适合于价廉、轻型、小型化的热象仪。然而随着二维封闭列阵红外探测器的出现,现在研制这种系统就逐渐成为可能的事情。RSRE和McesFrimley联合生产了一种用碲镉汞探测器的小型热象仪,该系统适合于使用3—5μm和8—14μm两个波段的列阵,并可用于研究各种电子校正机构。
关键词
碲镉汞探测器
红外探测器
热象
二维显示
非均匀校正
扫描方向
正象
焦平面
载流子
漂移
速度
响应度
分类号
O439 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
SiC专刊征稿启事
5
机构
<大功率变流技术>编辑部
出处
《大功率变流技术》
2015年第6期56-56,共1页
文摘
电力电子器件发展直接带动了大功率变流器水平的整体提升,并促进和推动了电力电子技术和应用的迅速发展。碳化硅（SiC）作为当前国际上最先进的第三代新型半导体材料,具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子漂移速度等特点。与传统的硅材料器件相比,SiC器件可减少能耗75%,大幅降低设备成本并提高系统可靠性,可广泛应用于国民经济的各个领域。
关键词
载流子
漂移
速度
临界击穿电场
电力电子技术
半导体材料
高热导率
电力电子器件
设备成本
SIC
器件技术
系统可靠性
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
考虑载流子速度和耗尽层宽度随电压变化的VBIC模型
葛霁
金智
刘新宇
程伟
王显泰
陈高鹏
吴德馨
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
原文传递
2
稳恒电流磁场与库仑电场的关系研究
岳筱萍
孙洪伟
《新乡学院学报》
2010
3
下载PDF
职称材料
3
TOSA中pin背光探测器的P-I非线性特性研究
丁国庆
杜治国
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011
1
下载PDF
职称材料
4
凝视列阵—未来的轻型热象仪
R. N. J. Dennis
R. J. Dann
赵振红
《应用光学》
CAS
CSCD
1989
0
下载PDF
职称材料
5
SiC专刊征稿启事
《大功率变流技术》
2015
0
下载PDF
职称材料
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