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快恢复二极管的发展(英文) 被引量：1
1
作者 黄昊 沈征 +1 位作者 王俊 王达名 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2014年第5期226-234,共9页
二极管作为最基本的器件,在电子电路中的应用非常广泛。而随着IGBT和MOS管等器件的发展,对二极管的方向恢复性能的要求越来越高。本文介绍了提高快恢复二极管恢复特性的两种主流技术的发展,即载流子寿命控制技术和发射极效率控制技术。... 二极管作为最基本的器件,在电子电路中的应用非常广泛。而随着IGBT和MOS管等器件的发展,对二极管的方向恢复性能的要求越来越高。本文介绍了提高快恢复二极管恢复特性的两种主流技术的发展,即载流子寿命控制技术和发射极效率控制技术。并通过仿真对阳极发射效率控制技术进行了验证,最后对SiC材料的二极管进行了介绍和展望。 展开更多
关键词 快恢复二极管 载流子寿命控制 发射极效率 碳化硅二极管
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高性能场终止寿命控制FRD芯片工艺研究 被引量：1
2
作者 刘建华 郎金荣 周卫平 《集成电路应用》 2017年第8期45-50,共6页
快恢复二极管(Fast recovery diode,FRD)是重要的功率器件,广泛应用于智能电网、新能源汽车、光伏和轨道牵引等重要场合,具有重要的战略意义和市场价值。为了突破FRD的关键技术瓶颈,本项目研究了高性能场终止寿命控制1 200 V等系列FRD... 快恢复二极管(Fast recovery diode,FRD)是重要的功率器件,广泛应用于智能电网、新能源汽车、光伏和轨道牵引等重要场合,具有重要的战略意义和市场价值。为了突破FRD的关键技术瓶颈,本项目研究了高性能场终止寿命控制1 200 V等系列FRD芯片工艺技术。采用H+注入辐照局域寿命控制技术与电子辐照全局寿命控制技术,兼顾了提高软度因子和降低反向恢复时间两方面的关键性能要求。采用扩散片衬底引入场终止层结构极大地改善了快恢复二极管的软度因子,改善了正向导通压降V f,提高了器件的高温耐压特性。测试结果表明,研制的1 200 V FRD器件正向导通电压为1.6~2.0 V,反向击穿电压为1 270~1 380 V,反向恢复时间为100~200 ns,与国际同类高性能FRD器件性能相当。快速高可靠性FRD的成功研制,对我国突破高性能FRD在高端领域的制造工艺技术具有重要的意义。 展开更多
关键词 功率器件 快恢复二极管 载流子寿命控制 场终止 软度因子 半绝缘多晶硅
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IGBT集电结局域寿命控制的比较与分析 被引量：4
3
作者 周新田 吴郁 +5 位作者 胡冬青 贾云鹏 张惠惠 穆辛 金锐 刘钺杨 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期114-118,141,共6页
新型的电场终止型绝缘栅双极晶体管(FS-IGBT)改善了传统穿通型(PT)IGBT性能上的不足,但对于1 200 V以下器件需要超薄片加工。为打破加工技术的限制,用简易的厚片工艺实现薄片性能,可以在集电结附近设置载流子局域寿命控制层(LCLC)来改... 新型的电场终止型绝缘栅双极晶体管(FS-IGBT)改善了传统穿通型(PT)IGBT性能上的不足,但对于1 200 V以下器件需要超薄片加工。为打破加工技术的限制,用简易的厚片工艺实现薄片性能,可以在集电结附近设置载流子局域寿命控制层(LCLC)来改善器件性能。目前有两种方案:将LCLC区置于集电区内形成内透明集电极IGBT(ITC-IGBT);或置于缓冲层内,形成缓冲层局域寿命控制IGBT。对这两种结构的600 V器件结合具体参数进行了仿真和比较。仿真结果表明,两种结构的器件可实现几近相同的折中特性,但当LCLC区位于缓冲层内时,需要更低的局域寿命,且更易发生通态特性的回跳现象,影响器件性能。因此将LCLC区置于集电区,即形成ITC-IGBT结构是一个更好的选择,为探索用厚片工艺制造高性能IGBT提供了必要的参考。 展开更多
关键词 载流子局域寿命控制层(LCLC) 内透明集电极绝缘栅双极晶体管(ITC—IGBT) 缓冲层局域寿命控制IGBT 折中特性 回跳现象
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