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题名一种电场调制载流子存储槽栅双极型晶体管
被引量：1
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作者
杨大力
汪志刚
樊冬冬
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机构
西南交通大学信息科学与技术学院MCU联合实验室
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出处
《微电子学》
CSCD
北大核心
2017年第5期710-713,717,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61404110)
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文摘
提出了一种性能优良的电场调制载流子存储槽栅双极型晶体管(CSTBT)。结合电场调制原理,在器件的载流子存储(CS)层引入P掺杂条,改善器件栅极下方氧化硅拐角处的电场分布,防止器件提前发生雪崩击穿,提高了器件的击穿电压。器件处于关断状态时,内部大量的空穴载流子通过CS层中未完全耗尽的P掺杂条到达发射极,抑制了CS层阻挡空穴的作用,有效提高了器件的关断速度。与传统CSTBT器件相比,改进器件的击穿电压值提高了379V,关断时间缩短了19.1%,器件性能大幅提高。
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关键词
载流子存储槽栅双极型晶体管
电场调制
电场分布
击穿电压
关断时间
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Keywords
CSTBT
Electric field modulation
Electric field distribution
Breakdown voltage
Turn off time
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分类号
TN322
[电子电信—物理电子学]
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