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Ge_2Sb_2Te_5相变存储器导电机制研究
1
作者 李亦清 王子欧 +2 位作者 李有忠 陈智 毛凌锋 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期470-475,共6页
本文研究了Ge2Sb2Te5相变存储器的导电机制。本文考虑了实验中观察到的场致激活能的非线性下降以及结晶化后跳跃间距变大带来的影响,提出了一种有效导带底偏移模型,并在此基础上建立了修正的电流模型。计算结果表明,激活能随电压增加呈... 本文研究了Ge2Sb2Te5相变存储器的导电机制。本文考虑了实验中观察到的场致激活能的非线性下降以及结晶化后跳跃间距变大带来的影响,提出了一种有效导带底偏移模型,并在此基础上建立了修正的电流模型。计算结果表明,激活能随电压增加呈双曲余切的下降趋势,符合测量结果。该模型还包含了温度效应,结果表明跳跃间距与温度成反比。最后的计算结果与不同温度下的I-V测量结果一致,和实验观察到的I-V特征也很好地吻合。 展开更多
关键词 Ge2Sb2Te5 相变存储器 跳跃导电 陷阱辅助隧穿
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非晶半导体带隙定域态中的跳跃导电
2
作者 毛国民 陈坤基 《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1989年第1期29-35,共7页
本文根据非晶半导体中的荷电悬挂键模型,用统计力学的方法推导出三种荷电缺陷中心的分布函数,并由此得到系统的费米能级和荷电中心上平均电子数的关系式。通过计算电子由一种缺陷中心向另一种缺陷中心的跳跃几率,解释了非晶半导体中的... 本文根据非晶半导体中的荷电悬挂键模型,用统计力学的方法推导出三种荷电缺陷中心的分布函数,并由此得到系统的费米能级和荷电中心上平均电子数的关系式。通过计算电子由一种缺陷中心向另一种缺陷中心的跳跃几率,解释了非晶半导体中的低温带隙跳跃导电问题。 展开更多
关键词 跳跃导电 非晶半导体 悬挂键
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一维无序体系电子跳跃导电研究 被引量：12
3
作者 徐慧 宋祎璞 李新梅 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期143-147,共5页
建立了电子隧穿电导模型 ,推导了一维无序体系新的直流电导公式 .通过计算 2 0 0 0 0格点无序体系的直流电导率 ,分析了直流电导率和温度及外场电压的关系 ,讨论了无序度对直流电导的影响 .计算结果表明 ,无序体系的直流电导率随无序度... 建立了电子隧穿电导模型 ,推导了一维无序体系新的直流电导公式 .通过计算 2 0 0 0 0格点无序体系的直流电导率 ,分析了直流电导率和温度及外场电压的关系 ,讨论了无序度对直流电导的影响 .计算结果表明 ,无序体系的直流电导率随无序度的增加而减小 ;外加电场较小时 ,电导率相对较大 ,且出现一系列峰值 ,电压较大时 ,电导率反而较小 ;无序体系在低温区出现了负微分电阻特性 ,电导率随温度的升高而增大 ,在高温区电导率随温度的升高而减小 . 展开更多
关键词 一维无序体系 电子隧穿 直流电导率 无序度 电子跳跃导电 半导体
原文传递
La_(0.5)Ba_(0.5)CoO_3中Y的替代效应 被引量：5
4
作者 刘宜华 张汝贞 +3 位作者 王成建 岳龙强 季刚 梅良模 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期244-247,共4页
用固相反应法制备了La0 .5-xYxBa0 .5CoO3多晶材料 ,系统研究了Y的替代对材料磁性和输运特性的影响 ,结果发现 ,Y的掺入主要产生了两种效应 ,一是Y向Co的 3d轨道产生了电荷转移 ,使分子磁矩下降 ,二是出现了Co离子的反铁磁交换作用 ,当... 用固相反应法制备了La0 .5-xYxBa0 .5CoO3多晶材料 ,系统研究了Y的替代对材料磁性和输运特性的影响 ,结果发现 ,Y的掺入主要产生了两种效应 ,一是Y向Co的 3d轨道产生了电荷转移 ,使分子磁矩下降 ,二是出现了Co离子的反铁磁交换作用 ,当Y含量少于或等于 0 .3时 ,材料中出现了自旋的非共线结构。当Y含量大于 0 .3时 ,材料从铁磁态为主转变为反铁磁态为主。对不同Y含量的材料 ,其导电机制都属于极化子的变程跳跃导电 ,随Y含量增加 ,材料电阻率迅速增大。 展开更多
关键词 La0.5Ba0.5CoO3 替代效应 稀土 电荷转移 自旋非共线结构 变程跳跃导电 钴酸钡镧 半导体 钇
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La_(0.5-x)Ce_xBa_(0.5)CoO_3化合物的磁性和输运特性
5
作者 刘宜华 王成建 +4 位作者 张汝贞 季刚 黄宝歆 岳龙强 梅良模 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2002年第2期156-159,共4页
在La0 5 Ba0 5 CoO3 中 ,系统研究了Ce对La的替代效应。Ce的掺入首先产生了电荷转移效应。材料高温磁化率测量表明 ,每个Ce原子向Co的 3d壳层转移 2 86个电子 ,结果随Ce掺入量增加 ,材料磁矩成线性下降。另外 ,随Ce含量增加 ,材料居... 在La0 5 Ba0 5 CoO3 中 ,系统研究了Ce对La的替代效应。Ce的掺入首先产生了电荷转移效应。材料高温磁化率测量表明 ,每个Ce原子向Co的 3d壳层转移 2 86个电子 ,结果随Ce掺入量增加 ,材料磁矩成线性下降。另外 ,随Ce含量增加 ,材料居里温度单调下降 ,这是由于稀土离子的尺寸效应。在所研究的温度范围内 ,所有材料的导电机理都属于极化子的变程跳跃导电。由于电荷转移效应 ,使材料电阻率随Ce掺入量增加而迅速加大。当La全部被Ce替代后 。 展开更多
关键词 La0.5-xCexBa0.5CoO3化合物 电荷转移 尺寸效应 变程跳跃导电 磁性 输运特性 半导体 稀土 钴酸镧
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