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通过分子复合超分子方法制备高性能高分子材料 被引量:11
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作者 王琪 李莉 +2 位作者 陈宁 刘渊 白时兵 《高分子学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第9期932-938,共7页
分子复合可调控聚合物超分子结构和聚集态结构,提高其性能,是高分子材料制备和高性能化的超分子方法.本文介绍了我们研究组近几年来通过分子复合超分子方法制备新型高分子材料的一些研究工作,如实现PVA的热塑加工,制备高性能熔纺纤维、... 分子复合可调控聚合物超分子结构和聚集态结构,提高其性能,是高分子材料制备和高性能化的超分子方法.本文介绍了我们研究组近几年来通过分子复合超分子方法制备新型高分子材料的一些研究工作,如实现PVA的热塑加工,制备高性能熔纺纤维、吹塑薄膜、中空瓶、注塑制品等;制备新型聚合物无卤阻燃剂MCA,大大简化其合成工艺,并具有更高阻燃效率;有效改善POM的结晶结构,显著提高其缺口冲击性能和摩擦磨损性能等. 展开更多
关键词 分子复合 分子高性能化 分子方法
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He-LiH势能面的ab initio计算 被引量:7
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作者 黄武英 凤尔银 +1 位作者 杨峰 董书宝 《安徽师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2004年第1期20-23,28,共5页
采用超分子耦合簇理论CCSD(T)方法和由键函数3s3p2d1f组成的大基组,计算得到了He-LiH体系在冻结LiH键长情况下的全程势能面.该势能面存在2个势阱,较深的势阱对应于线性He-LiH构型,其中Rm为4.25a0,阱深为177.53cm-1,较浅的势阱对应于线性... 采用超分子耦合簇理论CCSD(T)方法和由键函数3s3p2d1f组成的大基组,计算得到了He-LiH体系在冻结LiH键长情况下的全程势能面.该势能面存在2个势阱,较深的势阱对应于线性He-LiH构型,其中Rm为4.25a0,阱深为177.53cm-1,较浅的势阱对应于线性He-HLi构型,其中Rm为9.875a0,阱深仅为9.90cm-1,整个势能面表现强的各向异性. 展开更多
关键词 He-LiH势能面 分子方法 分子耦合簇理论 CCSD(T) 稀有气体原子 分子间弱相互作用
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He-Li_2体系势能面的从头计算研究 被引量:8
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作者 王悦 黄武英 +2 位作者 屈奎 凤尔银 崔执凤 《安徽师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2006年第2期139-142,共4页
采用超分子单双迭代耦合簇CCSD(T)方法和大基组,计算得到了He-Li2体系基态的全程势能面.计算结果表明该势能面存在2个势阱:在Rm=12.8a0处,阱深为1.861cm-1,对应于线性Li-Li-He构型,在Rm=12a0处,阱深为1.894cm-1对应于T型He-li2.整个势... 采用超分子单双迭代耦合簇CCSD(T)方法和大基组,计算得到了He-Li2体系基态的全程势能面.计算结果表明该势能面存在2个势阱:在Rm=12.8a0处,阱深为1.861cm-1,对应于线性Li-Li-He构型,在Rm=12a0处,阱深为1.894cm-1对应于T型He-li2.整个势能面呈现弱的角度各向异性. 展开更多
关键词 He—Li2 分子方法 CCSD(T)
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He-N_2O的从头算势能面及振转能级 被引量:4
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作者 朱华 李绛 +1 位作者 谢代前 鄢国森 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期2137-2141,共5页
采用超分子 MP4方法和较大的基组计算得到了 He-N2 O体系的分子间势能面 ,发现该势能面有 3个极小值点 ,分别对应 T形构型及两个线性 He-ONN和 He-NNO构型 .同时采用离散变量表象方法预测了体系的振转能级 ,计算结果表明 ,MP4势能面支... 采用超分子 MP4方法和较大的基组计算得到了 He-N2 O体系的分子间势能面 ,发现该势能面有 3个极小值点 ,分别对应 T形构型及两个线性 He-ONN和 He-NNO构型 .同时采用离散变量表象方法预测了体系的振转能级 ,计算结果表明 ,MP4势能面支持 5个振动束缚态 . 展开更多
关键词 从头算 He-N2O 分子方法 势能面 离散变量表象 振动转动能级 氧化二氮
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He-LiH的从头算势能面 被引量:6
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作者 黄武英 凤尔银 +1 位作者 季学韩 崔执凤 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第B04期228-230,共3页
采用超分子CCSD(T)方法和由键函数 3s3p2d1f组成的大基组 ,计算得到了He -LiH体系的全程势能面。计算结果表明该势能面存在 2个势阱 :较深的势阱在Rm =4 .2 5a0 ,阱深为 177.5 3cm-1,对应于线性He -LiH构型 ;较浅的势阱在Rm=10 .0a0 处 ... 采用超分子CCSD(T)方法和由键函数 3s3p2d1f组成的大基组 ,计算得到了He -LiH体系的全程势能面。计算结果表明该势能面存在 2个势阱 :较深的势阱在Rm =4 .2 5a0 ,阱深为 177.5 3cm-1,对应于线性He -LiH构型 ;较浅的势阱在Rm=10 .0a0 处 ,阱深仅为 9.88cm-1,对应于线性He -HLi构型。 展开更多
关键词 He—LiH 分子方法 CCSD(T)
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分子间相互作用理论研究现状及进展
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作者 陈天娜 宋华杰 汤业朋 《粘接》 CAS 2006年第5期31-34,46,共5页
简要介绍了近年来国内外分子间相互作用的理论状况与进展,主要是超分子方法(SM)、对称性匹配微扰理论(SAPT)、密度泛函理论(DFT)、定域相关方法及多种方法的结合对分子间相互作用的研究。在计算与模拟精确势能面(PES)时,超分子方法与微... 简要介绍了近年来国内外分子间相互作用的理论状况与进展,主要是超分子方法(SM)、对称性匹配微扰理论(SAPT)、密度泛函理论(DFT)、定域相关方法及多种方法的结合对分子间相互作用的研究。在计算与模拟精确势能面(PES)时,超分子方法与微扰方法有效的结合,可以相互补充。SAPT与DFT的结合正在成为分子间作用理论的一种新近趋势。定域相关方法是一种选择性超分子方法,正在向更高水平的Mφller-P lesset微扰理论方向发展。当前对反映分子间主要电子相关效应的色散项的描述和计算仍有一定困难,并有相当挑战性。此外,阐述了分子间作用计算中所出现的基组问题,包括基组叠加误差及其均衡校正方案(counterpoise procedure,CP)存在的争议和基组饱和(basis set saturation)问题。 展开更多
关键词 分子间相互作用 分子方法 对称性匹配微扰理论 密度泛函理论
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He-LiH的从头算势能面 被引量:1
7
作者 黄武英 凤尔银 +1 位作者 季学韩 崔执凤 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期406-410,414,共6页
采用超分子单双迭代耦合簇理论CCSD(T)方法和由键函数3s3p2d1f组成的大基组,计算得到了He-LiH体系的全程势能面。计算结果表明该势能面存在2个势阱:较深的势阱在Rm=0.225nm处,阱深为177.53cm-1,对应于线性He-LiH构型;较浅的势阱在Rm=0.5... 采用超分子单双迭代耦合簇理论CCSD(T)方法和由键函数3s3p2d1f组成的大基组,计算得到了He-LiH体系的全程势能面。计算结果表明该势能面存在2个势阱:较深的势阱在Rm=0.225nm处,阱深为177.53cm-1,对应于线性He-LiH构型;较浅的势阱在Rm=0.529nm处,阱深仅为9.88cm-1,对应于线性He-HLi构型。 展开更多
关键词 He-LiH 分子方法 OCSD(T)
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C_3-Ar复合物分子间势能面的ab initio计算及振动能级的研究
8
作者 孙传智 张桂秋 +1 位作者 陈德展 纪爱萍 《山东师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2007年第1期76-78,共3页
采用超分子耦合簇理论CCSD(T)方法和由键函数3s3p2d组成的大基组,计算得到了范德华体系C3-Ar在C3分子处于线性平衡构型时的全程分子间势能面.该势能面存在2个相等的极小值,分别为θ=75.5°,Rm=0.379nm,θ=104.5°,Rm=0.379nm,Vm... 采用超分子耦合簇理论CCSD(T)方法和由键函数3s3p2d组成的大基组,计算得到了范德华体系C3-Ar在C3分子处于线性平衡构型时的全程分子间势能面.该势能面存在2个相等的极小值,分别为θ=75.5°,Rm=0.379nm,θ=104.5°,Rm=0.379nm,Vm=156.234cm-1,整个势能面表现强的各向异性.采用离散变量表象和Lanczos方法计算得到了C3-Ar体系的振动能级,计算结果表明,C3-Ar的CCSD(T)势能面支持64个振动束缚态. 展开更多
关键词 C3-Ar 势能面 分子方法 振动能级
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有机硅液晶合成研究 被引量:1
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作者 唐红定 熊英 +1 位作者 张晓阳 张先亮 《武汉大学学报(自然科学版)》 CSCD 北大核心 2001年第2期169-176,共8页
结合国内外有机硅发展概况 ,重点总结了 15年来在有机硅液晶合成方法研究方面的有关成果 .评述了利用硅氢化方法合成有机硅液晶的优缺点 ,以及开发改进硅氢化方法的途径 .着重介绍了用含碳官能团有机硅烷或聚硅氧烷为原料 。
关键词 液晶 合成 有机硅 硅氢化方法 亲核取代反应 分子作用方法 含碳官能团
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