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基于低温硅技术的赝晶SiGe应变弛豫机理 被引量：1
1
作者 杨洪东 于奇 +3 位作者 王向展 李竞春 宁宁 杨谟华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期5743-5748,共6页
基于能量平衡条件,结合低温硅(LT-Si)剪切模量小于SiGe的实验结果,从螺位错形成模型出发,给出了基于LT-Si技术的赝晶SiGe应变弛豫机理.该机理指出,赝晶SiGe薄膜厚度小于位错形成临界厚度,可通过LT-Si缓冲层中形成位错释放应变;等于与大... 基于能量平衡条件,结合低温硅(LT-Si)剪切模量小于SiGe的实验结果,从螺位错形成模型出发,给出了基于LT-Si技术的赝晶SiGe应变弛豫机理.该机理指出,赝晶SiGe薄膜厚度小于位错形成临界厚度,可通过LT-Si缓冲层中形成位错释放应变;等于与大于临界厚度,位错在LT-Si层中优先形成,和文献报道中已观察到的实验结果相符合.同时,实验制备了基于LT-Si技术的弛豫Si0.8Ge0.2虚拟衬底材料.结果显示,位错被限制在LT-Si缓冲层中,弛豫度达到了85.09%,且在Si0.8Ge0.2中未观察到穿透位错,实验结果证实了赝晶Si0.8Ge0.2是通过在LT-Si缓冲层形成位错来释放应变的弛豫机理. 展开更多
关键词 低温硅 赝晶锗硅 弛豫机理 位错理论
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