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5G毫米波三频单阶ISGW腔体滤波器设计 被引量:1
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作者 林秋华 马志德 +2 位作者 罗志勇 王立辉 金世超 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第3期57-63,共7页
本文提出了一种紧凑的三频单阶集成基片间隙波导(ISGW)腔体滤波器。为了限定腔内模式数量,通过分析ISGW腔模的谐振频率关系,设计了一个腔内只有三个谐振模式的ISGW腔体。为了改善频段之间的带外抑制同时提高频率选择性,提出了新颖的三... 本文提出了一种紧凑的三频单阶集成基片间隙波导(ISGW)腔体滤波器。为了限定腔内模式数量,通过分析ISGW腔模的谐振频率关系,设计了一个腔内只有三个谐振模式的ISGW腔体。为了改善频段之间的带外抑制同时提高频率选择性,提出了新颖的三频单阶滤波响应耦合拓扑,然后在研究该腔体内的腔模位于四个端口处的耦合关系的基础上,设计了不同于传统输入输出端口的位置关系,其输入输出端口各有一个“U”型槽,呈90°布局作馈电结构。最后得到了三个通带内只有一个谐振模式的三频单阶腔体滤波器。对该滤波器进行了建模、仿真和构造,然后利用网络分析仪测量了其端口反射传输系数。测试结果表明,该滤波器的三个频段的中心频率分别为f_(01)=24.25 GHz、f_(02)=27.57 GHz和f_(03)=31.14 GHz;插入损耗(IL)分别为IL_(1)=1.58 dB、IL_(2)=1.07 dB和IL_(3)=2.51 dB;有限传输零点(FTZ)分别为FTZ_(1)=20.55 GHz、FTZ_(2)=26.20 GHz、FTZ_(3)=29.37 GHz和FTZ_(4)=33.17 GHz;频段之间的带外抑制优于13 dB。测量结果与仿真结果之间存在一定的频移,但相对带宽优于仿真结果。相比较传统滤波器器件,该款滤波器具有设计频段高、在毫米波频段带外抑制水平高、频率选择性强、整体体积小和质量轻等优势。 展开更多
关键词 单阶滤波器 集成基片间隙波导 谐振腔 5G “U”型槽 毫米波
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一种新型的光子晶体波导
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作者 祁云飞 王长涛 《光学仪器》 2009年第1期30-34,共5页
提出了一种新型的能够实现定向辐射的光子晶体波导。数值仿真结果显示这种光子晶体波导具有更好的定向辐射性能。这种结构能够用于提高传统的介质波导和光子晶体波导之间的耦合效率。
关键词 定向辐射 光子晶体波导 表面 谐振腔
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A resonator mode in linear arrays of silver spheres and cylinders
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作者 SIMOVSKI C.R. VIITANEN A.J. TRETYAKOV S.A. 《Journal of Zhejiang University-Science A(Applied Physics & Engineering)》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第1期29-33,共5页
A transversal mode with zero group velocity and non-zero phase velocity that can exist in chains of silver nano- spheres in the optical frequency range was theoretically studied. It is shown that the external source r... A transversal mode with zero group velocity and non-zero phase velocity that can exist in chains of silver nano- spheres in the optical frequency range was theoretically studied. It is shown that the external source radiating a narrow-band non-monochromatic signal can excite in the chain a mixture of standing and slowly travelling waves. The standing wave com- ponent (named as resonator mode) is strongly dominating. The physical reason of such a regime is a sign-varying distribution of power flux over the cross section of the chain. This situation is similar to the scenario of the propagation of a wave along the boundary between the right-handed and left-handed media where the spatial distribution of the light intensity is vortex. However, in the present case there is no boundary between media and the boundary between the positive and negative power fluxes is a cylindric tube in free space whose axis is the axis of the chain. 展开更多
关键词 Resonator mode Linear arrays Plasmon particle
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增益-腔模失配型高温工作垂直腔面发射半导体激光器 被引量:13
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作者 张建伟 宁永强 +5 位作者 张星 曾玉刚 张建 刘云 秦莉 王立军 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期1-8,共8页
理论分析了温度对垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)工作性能的影响,利用VCSEL的增益-腔模失配理论设计了适用于高温环境下工作的VCSEL外延结构并对该结构进行了外延生长及工艺制备。理论分析表明,采用势垒高度大于0.25eV的量子阱有源区... 理论分析了温度对垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)工作性能的影响,利用VCSEL的增益-腔模失配理论设计了适用于高温环境下工作的VCSEL外延结构并对该结构进行了外延生长及工艺制备。理论分析表明,采用势垒高度大于0.25eV的量子阱有源区结构可以缓解高温工作时器件的载流子泄漏问题。设计了室温下增益-腔模偏离为11nm的器件结构。理论分析表明,在320K时与器件腔模对应的增益谱波长具有最大的光增益,此时器件具有最小的阈值电流。对分布式布拉格反射镜(DBR)的反射率进行了优化以进一步减小器件阈值电流。采用了一种自平坦化的台面工艺结构制作了7、9、13μm三种不同氧化口径的器件,器件在室温下的阈值电流分别为1.95、2.53、2.9mA,最大出光功率分别为0.31、1.11、1.04mW,并且输出功率的高温稳定性较好。随工作温度的升高,器件阈值电流先减小后变大,在320~330K时器件阈值达到最小值,与理论分析一致。 展开更多
关键词 激光器 垂直面发射半导体激光器 高温工作 增益-谐振腔失配 自平坦化台面
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