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激光剥离GaN表面的抛光技术 被引量：1
1
作者 应磊莹 刘文杰 +2 位作者 张江勇 胡晓龙 张保平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第10期758-762,共5页
激光剥离(LLO)技术是研制新型氮化镓(GaN)基谐振腔结构光电子器件的关键技术。然而LLO后的GaN表面往往具有较大的粗糙度,而制作谐振腔结构器件需要很高的表面平整度,因此需要对LLO后的GaN表面进行抛光。分别采用金刚石粉抛光液和胶粒二... 激光剥离(LLO)技术是研制新型氮化镓(GaN)基谐振腔结构光电子器件的关键技术。然而LLO后的GaN表面往往具有较大的粗糙度,而制作谐振腔结构器件需要很高的表面平整度,因此需要对LLO后的GaN表面进行抛光。分别采用金刚石粉抛光液和胶粒二氧化硅抛光液进行机械抛光和化学机械抛光(CMP),并对比了两种方法获得的抛光结果,研究发现前者会在抛光后的GaN表面引入划痕,而采用后者可以得到亚纳米级平整度的表面。进一步的实验结果表明,胶粒二氧化硅抛光液同样适用于图形化衬底外延片激光剥离后的GaN表面抛光。 展开更多
关键词 激光剥离(LLO) GAN 化学机械抛光(CMP) 垂直结构发光二极管(VSLED) 谐振腔发光二极管(rcled) 垂直腔面发射激光器(VCSEL)
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短波长谐振腔发光二极管外延及性能研究 被引量：1
2
作者 尉吉勇 黄柏标 +5 位作者 秦晓燕 张晓阳 张琦 姚书山 朱宝富 李宪林 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1304-1306,1311,共4页
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长650 nm谐振腔半导体发光二极管(RCLED),利用光致发光(PL)谱和电致发光(EL)谱研究了其发光特性。由于上、下布拉格反射镜的影响,导致其PL强度只有普通LED的1/20;EL谱纯度有了很大提高,半峰宽(FW... 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长650 nm谐振腔半导体发光二极管(RCLED),利用光致发光(PL)谱和电致发光(EL)谱研究了其发光特性。由于上、下布拉格反射镜的影响,导致其PL强度只有普通LED的1/20;EL谱纯度有了很大提高,半峰宽(FWHM)由普通LED的20 nm降到4 nm以下。最好的器件测试结果表明,可以在60 mA、2.71 V下,实现1.45 mW以上发射功率,最窄FWHM在3 nm。 展开更多
关键词 谐振腔半导体发光二极管(rcled) 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 光致发光(PL) 电致发光(EL)
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