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短波长谐振腔发光二极管外延及性能研究 被引量：1
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作者 尉吉勇 黄柏标 +5 位作者 秦晓燕 张晓阳 张琦 姚书山 朱宝富 李宪林 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1304-1306,1311,共4页
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长650 nm谐振腔半导体发光二极管(RCLED),利用光致发光(PL)谱和电致发光(EL)谱研究了其发光特性。由于上、下布拉格反射镜的影响,导致其PL强度只有普通LED的1/20;EL谱纯度有了很大提高,半峰宽(FW... 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长650 nm谐振腔半导体发光二极管(RCLED),利用光致发光(PL)谱和电致发光(EL)谱研究了其发光特性。由于上、下布拉格反射镜的影响,导致其PL强度只有普通LED的1/20;EL谱纯度有了很大提高,半峰宽(FWHM)由普通LED的20 nm降到4 nm以下。最好的器件测试结果表明,可以在60 mA、2.71 V下,实现1.45 mW以上发射功率,最窄FWHM在3 nm。 展开更多
关键词 谐振腔半导体发光二极管(rcled) 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 光致发光(PL) 电致发光(EL)
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