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W/SiC纳米多层膜的调制结构及调制界面
被引量：
5
1
作者
李戈扬
韩增虎
+1 位作者
田家万
张惠娟
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第1期47-50,共4页
采用 XRD和 HREM技术研究了多靶磁控溅射法制备的 W/Si C纳米多层膜的微结构 .结果表明 ,在多层膜中 ,Si C调制层为非晶态 ;W调制层在大调制周期时为纳米晶 ,随调制周期减小逐渐转变为非晶态 .W/Si C纳米多层膜的调制结构界面平直、清...
采用 XRD和 HREM技术研究了多靶磁控溅射法制备的 W/Si C纳米多层膜的微结构 .结果表明 ,在多层膜中 ,Si C调制层为非晶态 ;W调制层在大调制周期时为纳米晶 ,随调制周期减小逐渐转变为非晶态 .W/Si C纳米多层膜的调制结构界面平直、清晰、周期性好 ,而在原子尺度上 。
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关键词
W/SiC纳米多层膜
调制
结构
调制
界面
钨/碳化硅
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职称材料
题名
W/SiC纳米多层膜的调制结构及调制界面
被引量：
5
1
作者
李戈扬
韩增虎
田家万
张惠娟
机构
上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室
上海交通大学教育部高温材料及高温测试开放实验室
出处
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第1期47-50,共4页
文摘
采用 XRD和 HREM技术研究了多靶磁控溅射法制备的 W/Si C纳米多层膜的微结构 .结果表明 ,在多层膜中 ,Si C调制层为非晶态 ;W调制层在大调制周期时为纳米晶 ,随调制周期减小逐渐转变为非晶态 .W/Si C纳米多层膜的调制结构界面平直、清晰、周期性好 ,而在原子尺度上 。
关键词
W/SiC纳米多层膜
调制
结构
调制
界面
钨/碳化硅
Keywords
W/SiC nanometer multilayers
multi target sputtering
modulation structure
modulation interface
分类号
O484.43 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
W/SiC纳米多层膜的调制结构及调制界面
李戈扬
韩增虎
田家万
张惠娟
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
5
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