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GaN基微波半导体器件研究进展 被引量：4
1
作者 杨燕 郝跃 +1 位作者 张进城 李培咸 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期367-372,421,共7页
GaN基微波器件以其优良的特性而在微波大功率方面具有应用潜力.对GaN半导体材料作了比较和讨论,说明了GaN材料在微波大功率应用方面的优势,并阐述了新型GaN基微波器件的最新进展,通过与其他微波器件的比较表明了GaN调制掺杂场效应晶体... GaN基微波器件以其优良的特性而在微波大功率方面具有应用潜力.对GaN半导体材料作了比较和讨论,说明了GaN材料在微波大功率应用方面的优势,并阐述了新型GaN基微波器件的最新进展,通过与其他微波器件的比较表明了GaN调制掺杂场效应晶体管在微波大功率应用方面所具有的明显优势. 展开更多
关键词 GAN 微波大功率 调制掺杂场效应晶体管
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深亚微米纤锌矿相AlGaN/GaN MODFET输出特性的微分负阻效应
2
作者 郭宝增 Umberto Ravaioli 《中国科学（E辑）》 CSCD 北大核心 2003年第6期568-576,共9页
用全带组合Monte Carlo方法模拟了Al_(0.15)Ga_(0.85)N/GaN MODFET的直流特性。模拟器件的栅极长度L_g为0.2μm,沟道长度L_(DS)为0.4μm。在模拟得到的I_(DS)-V_(DS)输出特性曲线中,发现了微分负阻效应,即V_(GS)为固定值时,当V_(DS)逐... 用全带组合Monte Carlo方法模拟了Al_(0.15)Ga_(0.85)N/GaN MODFET的直流特性。模拟器件的栅极长度L_g为0.2μm,沟道长度L_(DS)为0.4μm。在模拟得到的I_(DS)-V_(DS)输出特性曲线中,发现了微分负阻效应,即V_(GS)为固定值时,当V_(DS)逐渐增加,并达到某一阈值时,I_(DS)会随着V_(DS)的增大而减小。对GaN体材料的速度-电场特性和对器件的二维电子气沟道内的电场和速度分布的分析表明,沟道内电子平均漂移速度的负阻效应导致了输出特性的微分负阻效应,二维电子气沟道内的瞬态输运对微分负阻特性也有一定影响。这种效应只有在超短沟道MODFET中才能发生。 展开更多
关键词 调制掺杂场效应晶体管 深亚微米纤锌矿相 ALGAN/GAN MODFET 输出特性 微分负阻效应 直流特性 MonteCarlo方法
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真空蒸发、淀积、溅射、氧化与金属化工艺
3
《电子科技文摘》 2001年第2期29-29,共1页
0102096基于人工神经网络方法的 LSI 工艺优化实践[刊]/石林初//微电子技术.—2000,28（5）.—39～44（E）0102097行波管夹持杆微波等离子体化学气相沉积金刚石厚膜改善散热性能研究[刊]/谢扩军//电子学报.—2000,28（9）.—85～87,77（... 0102096基于人工神经网络方法的 LSI 工艺优化实践[刊]/石林初//微电子技术.—2000,28（5）.—39～44（E）0102097行波管夹持杆微波等离子体化学气相沉积金刚石厚膜改善散热性能研究[刊]/谢扩军//电子学报.—2000,28（9）.—85～87,77（C）MOCVD 生长的蓝宝石上隐埋栅 A1GaN/GaN 调制掺杂场效应晶体管（见0102007）铝合金微弧氧化技术（见0101825）多管下降炉生长 Bi<sub>4</sub>Ge<sub>3</sub>O<sub>12</sub>单晶的温场与界面（见0101822） 展开更多
关键词 微波等离子体化学气相沉积 真空蒸发 人工神经网络方法 金属化工艺 工艺优化实践 行波管夹持杆 调制掺杂场效应晶体管 金刚石厚膜 微电子技术 性能研究
原文传递
6 GHz~18 GHz中功率放大器芯片的设计与实现
4
作者 李鑫 肖曼琳 +1 位作者 蒋明 杜鑫威 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2024年第11期105-109,共5页
设计并实现了一款高性能的宽带中功率放大器芯片,该芯片采用0.25μm砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管工艺,并通过运用共源共栅电路结构,显著提升了放大器的增益水平。同时,引入负反馈技术,有效改善了增益的平坦度,极大地拓宽了放大... 设计并实现了一款高性能的宽带中功率放大器芯片,该芯片采用0.25μm砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管工艺,并通过运用共源共栅电路结构,显著提升了放大器的增益水平。同时,引入负反馈技术,有效改善了增益的平坦度,极大地拓宽了放大器的工作带宽范围,使其能够覆盖从6 GHz~18 GHz的广泛频段,满足多样化的无线通信及雷达系统需求。实测数据表明,该芯片在指定频段内实现了稳定的17±0.3 dB增益,输入输出回波损耗均优于-10 dB,展现出了卓越的匹配性能。在5 V工作电压下,电流消耗仅为63 mA,且1 dB压缩点输出功率高达15 dBm,确保了在高功率输出时的稳定性与可靠性。此外,芯片设计紧凑,面积仅为1.94 mm×1.08 mm,为系统集成提供了极大的便利。 展开更多
关键词 Ku波段 中功率放大器 砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管工艺 共源共栅 单片微波集成电路
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Ka波段单片自偏压低噪声放大器 被引量：2
5
作者 高兴振 杨爽 孙晓玮 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期289-292,共4页
本文介绍了一款基于0.15μm PHEMT工艺的Ka波段自偏压单片低噪声放大器(LNA)。该款低噪声放大器采用四级级联的电路结构,前两级采用源极电感负反馈同时获得较好的输入驻波和噪声;采用电阻自偏压技术,单电源供电,使用方便。该款低噪声放... 本文介绍了一款基于0.15μm PHEMT工艺的Ka波段自偏压单片低噪声放大器(LNA)。该款低噪声放大器采用四级级联的电路结构,前两级采用源极电感负反馈同时获得较好的输入驻波和噪声;采用电阻自偏压技术,单电源供电,使用方便。该款低噪声放大器在26~40GHz频段内增益为22±1dB,噪声优于3dB;在36GHz处噪声优于2.5dB。芯片尺寸为2.0mm×1.0mm×0.1mm。 展开更多
关键词 赝调制掺杂异质结场效应晶体管 KA波段 低噪声放大器 自偏压 单片微波集成电路
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