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智能卡电子锁的设计 被引量:7
1
作者 王志宏 薛增涛 +1 位作者 陈志军 杜深惠 《现代电子技术》 2007年第9期104-105,共2页
介绍了一种利用智能卡电子门锁实现工厂进出管理的方案,阐述了系统组成及工作原理,重点给出了IC卡的读写电路和读写程序。该系统结构简单、体积小、成本低,在实际运行时具有很高的可靠性,实现了对员工上下班的自动管理和考勤功能,极大... 介绍了一种利用智能卡电子门锁实现工厂进出管理的方案,阐述了系统组成及工作原理,重点给出了IC卡的读写电路和读写程序。该系统结构简单、体积小、成本低,在实际运行时具有很高的可靠性,实现了对员工上下班的自动管理和考勤功能,极大地提高了管理者的工作效率和管理区域内的安全程度,具有广阔的市场前景。 展开更多
关键词 门禁系统 IC卡 电子锁 读写电路 读写程序
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基于射频识别技术(RFID)的汽车防盗系统开发设计 被引量:6
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作者 余海洋 曹志良 刘绍波 《计算机测量与控制》 2016年第2期144-146,150,共4页
作为热门的电子产品之一,射频识别装置受到市场的追捧,射频电子技术的市场潜力非常巨大,论文将射频识别技术(Radio Frequency Identification Technology)应用在汽车防盗系统中,文中提出的射频识别装置由两部分组成,分别是汽车启动顶部... 作为热门的电子产品之一,射频识别装置受到市场的追捧,射频电子技术的市场潜力非常巨大,论文将射频识别技术(Radio Frequency Identification Technology)应用在汽车防盗系统中,文中提出的射频识别装置由两部分组成,分别是汽车启动顶部的应答器和内部的阅读器构成,对整个装置的硬件和软件系统进行设计开发,首先搭建硬件系统的整体框架进行,重点对射频卡读写电路进行设计,包含射频电源和外围元件的选择以及射频电路的设计,软件系统设计方面,重点研究了读卡和写卡软件设计,给出了相应的时序图和程序流程图,达到了射频程序可靠读写的目的;结论表明,射频识别装置避免了市场上使用电池遥控装置,有效地实现了汽车防盗的目的。 展开更多
关键词 射频识别技术 汽车防盗系统 读写电路 串行通信程序
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非接触E5550卡读写电路的改进 被引量:1
3
作者 李志华 《电子与自动化》 2000年第5期34-36,共3页
E5550卡是一种低频非接触 ID IC卡。根据非接触式 IC卡的读写原理 ,对过去设计的读写器电路作了改进 ,增强交变磁场强度 ,增加信号接收的灵敏度 。
关键词 IC卡 非接触式 读写电路 专用集成电路
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基于工艺偏差的电压调控磁各向异性磁隧道结电学模型及其在读写电路中的应用 被引量:3
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作者 金冬月 陈虎 +6 位作者 王佑 张万荣 那伟聪 郭斌 吴玲 杨绍萌 孙晟 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第19期348-358,共11页
电压调控磁各向异性磁隧道结(voltage controlled magnetic anisotropy magnetic tunnel junction, VCMA-MTJ)作为磁随机存储器(magnetic random access memory, MRAM)的核心器件,具有读写速度快、功耗低、与CMOS工艺相兼容等优点,现已... 电压调控磁各向异性磁隧道结(voltage controlled magnetic anisotropy magnetic tunnel junction, VCMA-MTJ)作为磁随机存储器(magnetic random access memory, MRAM)的核心器件,具有读写速度快、功耗低、与CMOS工艺相兼容等优点,现已得到国内外学者的广泛关注.然而随着VCMA-MTJ尺寸不断缩小、MRAM存储容量不断增大,工艺偏差对MTJ性能的影响变得越来越显著,甚至会引起VCMA-MTJ电路的读写错误.本文在充分考虑磁控溅射薄膜生长工艺中自由层厚度偏差(γtf)、氧化势垒层厚度偏差(γtox)以及离子束刻蚀工艺中由侧壁再沉积层引入的刻蚀工艺稳定因子(α)偏差影响的情况下,给出了基于工艺偏差的VCMA-MTJ电学模型,并将该模型应用到VCMA-MTJ读写电路中,研究了工艺偏差对上述电路读写错误率的影响.结果表明:当γtf≥13%, γtox≥11%时, VCMA-MTJ将无法实现磁化状态的有效切换;当α≤0.7时, VCMA-MTJ磁化方向的进动过程变得不稳定.进一步地, VCMA-MTJ电路的读错误率和写错误率也将随着工艺偏差的增大而增大.研究表明,通过增大外加电压(Vb)和减小外加电压脉冲宽度(tpw)可有效降低VCMA-MTJ电路的写错误率,增大电路的读驱动电压(Vdd)可有效降低VCMA-MTJ电路的读错误率. 展开更多
关键词 磁隧道结 电压调控磁各向异性 工艺偏差 读写电路
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忆阻器的建模及高精度忆阻值读写电路的设计 被引量:2
5
作者 高耀梁 甘朝晖 尹力 《电子器件》 CAS 北大核心 2014年第6期1145-1150,共6页
使用现有电路元件设计了一种荷控忆阻器的理论模型。由于把忆阻器应用于存储器、神经网络、信号处理等领域均涉及到忆阻器的读写操作,并且目前忆阻器大多是数字量0和1的操作,没有模拟量的操作。所以利用了荷控忆阻器的电荷特性,给出一... 使用现有电路元件设计了一种荷控忆阻器的理论模型。由于把忆阻器应用于存储器、神经网络、信号处理等领域均涉及到忆阻器的读写操作,并且目前忆阻器大多是数字量0和1的操作,没有模拟量的操作。所以利用了荷控忆阻器的电荷特性,给出一种描述如何读取忆阻器的模拟忆阻值的方法。利用了荷控忆阻器的频率特性,设计了一个反馈式忆阻值写电路,该电路能够在忆阻器的阻态范围内进行任意模拟量的写操作。仿真结果验证了设计的正确性。 展开更多
关键词 忆阻器 建模 读写电路 SPICE
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PR50/K12B存折打印机磁条读写故障分析与维修
6
作者 潘建 《电脑与信用卡》 1999年第3期44-45,共2页
南天PR50/K12B存折打印机在金融系统中应用较为普遍,在维修这种打印机的过程中,大家一直对磁条读写部分的故障感到非常棘手。现根据多年从事实际工作的经验,将磁条读写部分的工作原理及维修方法总结如下,供大家参考。
关键词 存折打印机 故障分析 磁条 读写控制 多功能扩展 转动磁头 工作原理 维修方法 串/并转换 读写电路
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一种新型EEPROM译码及读写电路
7
作者 陈亮 王凛 杨连兴 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1997年第5期319-322,共4页
介绍了一种新型的EEPROM译码和读写电路,包括EEPROM存储单元、译码电路、读写电路和电压转换开关电路。阐述了普通EEPROM译码及读写电路的工作原理,以及将其应用于实际IC卡系统中所存在的操作上的不足之处;提出... 介绍了一种新型的EEPROM译码和读写电路,包括EEPROM存储单元、译码电路、读写电路和电压转换开关电路。阐述了普通EEPROM译码及读写电路的工作原理,以及将其应用于实际IC卡系统中所存在的操作上的不足之处;提出了一种新型EEPROM译码和读写电路的工作过程及优点。电路模拟表明,该设计可以获得理想的结果。 展开更多
关键词 EEPROM IC卡 译码电路 读写电路
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新型相变随机存储器单元仿真系统
8
作者 胡作启 李兰 袁成伟 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期50-53,共4页
为研究相变随机存储器(PCRAM)的结构、读写电路及材料等对存储单元读写性能的影响,基于Matlab和Hspice软件,集成读写电路仿真和PCRAM存储元物理仿真,研制了PCRAM存储单元仿真系统.该系统能产生宽度和幅度分别在4~150 ns和0.25~3.00 ... 为研究相变随机存储器(PCRAM)的结构、读写电路及材料等对存储单元读写性能的影响,基于Matlab和Hspice软件,集成读写电路仿真和PCRAM存储元物理仿真,研制了PCRAM存储单元仿真系统.该系统能产生宽度和幅度分别在4~150 ns和0.25~3.00 V之间可调的脉冲,适用于对多种结构存储元进行仿真.边缘接触式结构存储单元仿真结果表明:研制的系统能对存储单元的读、写性能进行评估,并为电路和存储元设计提供数据. 展开更多
关键词 相变存储 仿真系统 读写电路 物理仿真 有限元法
原文传递
IC卡读写新招:利用PC机打印机接口
9
作者 默少丽 王建国 江杰 《电子产品世界》 2000年第6期33-33,36,共2页
本文介绍用 PC机打印机接口实现对存储式IC卡的读写电路,以及实现IC卡读写操作软件流程图。该软件用VisualC++语言编写,以动态链接库的形式供其它应用程序调用。
关键词 打印机接口 IC卡 计算机 读写电路
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1Kb自旋转移矩磁随机存储器电路设计
10
作者 谭玥 杜永乾 +1 位作者 李桂芳 刘诗斌 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期20-27,共8页
使用Verilog-A硬件描述语言对自旋转移矩磁随机存储器(STT-MRAM)的基本存储单元磁隧道结(MTJ)器件进行建模,采用Cadence软件对模型进行验证.基于已建立的MTJ模型设计STT-MRAM的读写电路.针对写入延迟过长的问题,对传统写入电路进行改进... 使用Verilog-A硬件描述语言对自旋转移矩磁随机存储器(STT-MRAM)的基本存储单元磁隧道结(MTJ)器件进行建模,采用Cadence软件对模型进行验证.基于已建立的MTJ模型设计STT-MRAM的读写电路.针对写入延迟过长的问题,对传统写入电路进行改进,通过增加写入支路上晶体管的数量来增加写入电流及降低基本存储单元(1T1MTJ)结构中晶体管的压降,有效地缩短了磁隧道结翻转过程的开关延迟时间,提高了写入驱动电路的工作速度;读取电路采用改进的三稳态传输结构,降低了电路功耗,提高了读取数据的准确性.最后设计实现了1Kb的STT-MRAM的非易性存储,仿真结果表明所设计的STT-MRAM能够实现数据的存取过程. 展开更多
关键词 磁存储器 非易失性存储器 自旋转移矩 磁隧道结 可靠性读写电路
原文传递
跟我学修小灵通手机—写码技术
11
作者 朱慕慈 《家电维修》 2003年第8期29-30,共2页
关键词 小灵通手机 码片读写电路 写码技术 写码器 维修
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基于CMOS40nm工艺三维阻变存储器的自适应读写电路设计
12
作者 高琪 田文杰 +1 位作者 陈福彬 张锋 《电子设计工程》 2021年第3期1-6,共6页
针对三维阻变存储器的材料特性和器件结构,采用了一种基于CMOS 40 nm工艺的自适应读写电路,该电路具有高可靠性、低功耗以及反馈自适应的技术特点。通过多层译码结构、写入验证电路、小信号灵敏放大读出电路以及自适应控制机制,可以实... 针对三维阻变存储器的材料特性和器件结构,采用了一种基于CMOS 40 nm工艺的自适应读写电路,该电路具有高可靠性、低功耗以及反馈自适应的技术特点。通过多层译码结构、写入验证电路、小信号灵敏放大读出电路以及自适应控制机制,可以实现三维阻变存储器的高速低功耗的读写以及多种不同阻态的写入,从而有效解决了阻变存储器写操作过程中存在的过写入问题,大幅提高了三维阻变存储器写入和读出的成功率。根据仿真结果分析,带有反馈机制的写入电路可以实现90%以上的写入成功率。在1.1 V的工作电压下,写入功耗仅为99.752μW/bit。 展开更多
关键词 三维阻变存储器 不同阻态的写入 自适应读写电路 低功耗 高写入率
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其它集成电路
13
《电子科技文摘》 2000年第10期29-29,共1页
0016245一种手持设备的智能卡实现技术[刊]/伍卫国//计算机工程与科学.—2000,22(3).—69~72(D)本文对智能卡作了简要介绍,给出了一台手持设备中的接触式智能卡的读写电路。该电路避免了智能卡的带电插拔操作,能有效地延长智能卡的使... 0016245一种手持设备的智能卡实现技术[刊]/伍卫国//计算机工程与科学.—2000,22(3).—69~72(D)本文对智能卡作了简要介绍,给出了一台手持设备中的接触式智能卡的读写电路。该电路避免了智能卡的带电插拔操作,能有效地延长智能卡的使用寿命。本文同时探讨了智能卡的类型识别问题,提出了一种对 ATMEL 公司各型存储器卡的识别办法,最后对“一卡多用”问题进行了讨论。 展开更多
关键词 智能卡 手持设备 功率集成电路 实现技术 计算机工程 读写电路 使用寿命 带电插拔 一卡多用 存储器
原文传递
浅谈微机常见软故障的诊断与排除
14
作者 刘文颖 《数据》 1996年第5期29-29,共1页
关键词 软故障 系统盘 磁盘分区表 数据丢失 命令文件 微机 读写电路 重新启动 硬盘系统 系统文件
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亚65nm静态随机存储器稳定性提高技术
15
作者 张金峰 李富华 +1 位作者 郑坚斌 张昭勇 《微纳电子技术》 CAS 2008年第1期15-19,24,共6页
CMOS工艺进入到65nm节点后,工作电压降低,随机掺杂导致阈值电压变化增大,给SRAM的读写稳定性带来挑战。介绍了目前业界最新的主要稳定性提高技术。双电源电压、直流分压、电荷共享和电容耦合通过改变字线或者存储单元电压来提高读写稳定... CMOS工艺进入到65nm节点后,工作电压降低,随机掺杂导致阈值电压变化增大,给SRAM的读写稳定性带来挑战。介绍了目前业界最新的主要稳定性提高技术。双电源电压、直流分压、电荷共享和电容耦合通过改变字线或者存储单元电压来提高读写稳定性,这些技术都采用外加读写辅助电路来实现;超6管存储单元通过在传统6管单元上增加晶体管,有效提高了读写稳定性;三维器件FinFET构成的SRAM具有传统器件无法比拟的高速、高稳定性、面积小的特点。对这些技术的优缺点作了分析比较。 展开更多
关键词 静态随机存储器 工艺变化 读写裕度 读写辅助电路
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自制存储器读写器
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作者 张建党 《家电维修》 2003年第3期9-9,共1页
关键词 存储器读写 彩电 维修 读写电路
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