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沿面击穿型触发真空开关的触发实验研究 被引量：10
1
作者 赵纯 董曼玲 +1 位作者 王蕾 何俊佳 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期230-233,共4页
为给触发真空开关(TVS)在脉冲功率系统多级放电中的应用提供参考和设计依据,通过空载和通流两种触发实验研究了一种沿面击穿型的TVS,对比分析触发间隙电阻和触发电压两个参数变化规律的实验结果表明,在通流实验次数不多时存在触发间隙... 为给触发真空开关(TVS)在脉冲功率系统多级放电中的应用提供参考和设计依据,通过空载和通流两种触发实验研究了一种沿面击穿型的TVS,对比分析触发间隙电阻和触发电压两个参数变化规律的实验结果表明,在通流实验次数不多时存在触发间隙电阻增大、触发电压减小的趋势,原因在于沿面击穿型TVS工作过程中主间隙电流的作用远大于触发电流的作用,而主间隙电流的作用取决于大电流电弧以及金属蒸气沉积的效果。 展开更多
关键词 触发真空开关 沿面击穿 触发间隙电阻 触发电压 触发电流 大电流电弧
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压缩线法确定压缩上止点的研究 被引量：5
2
作者 刘浩龙 汤东 +2 位作者 陆玲亚 王晓勇 罗福强 《农机化研究》 北大核心 2005年第3期109-111,共3页
示功图是发动机的综合性能的体现,由测得的发动机示功图进行参数计算和燃烧分析,对于评估发动机的性能以及再设计和维修发动机都有十分重要的意义。在示功图测量分析中,精确标定上止点相位是必不可少的重要环节。为此,对上止点相位的确... 示功图是发动机的综合性能的体现,由测得的发动机示功图进行参数计算和燃烧分析,对于评估发动机的性能以及再设计和维修发动机都有十分重要的意义。在示功图测量分析中,精确标定上止点相位是必不可少的重要环节。为此,对上止点相位的确定进行了研究,设计了压缩线法确定上止点的计算机算法,测量分析了触发电压及倒拖转速对压缩上止点的影响。结果表明:转速较低时,压缩上止点位置变化比较大;转速大于1200r/min时,压缩上止点位置趋于稳定。 展开更多
关键词 发动机 示功图 上止点 压缩线法 触发电压 倒拖转速 计算机算法
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优化电极场畸变间隙开关动作特性的实验研究 被引量：3
3
作者 李胜利 李艳 +1 位作者 李劲 任念群 《华中科技大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期4-5,8,共3页
对电极经过优化设计的场畸变间隙开关的可控特性和击穿时延进行了较深入的研究 .结果表明 :当触发电极距下电极的距离为主电极距离的 1/ 4和 1/ 3处时 ,最低可靠击穿电压只有自击穿电压的 5 5 .8%和74.5 % .适当下移触发电极可明显增大... 对电极经过优化设计的场畸变间隙开关的可控特性和击穿时延进行了较深入的研究 .结果表明 :当触发电极距下电极的距离为主电极距离的 1/ 4和 1/ 3处时 ,最低可靠击穿电压只有自击穿电压的 5 5 .8%和74.5 % .适当下移触发电极可明显增大可控击穿电压范围 .开关击穿时延受主间隙电压影响较大 。 展开更多
关键词 场畸变开关 可控性 时延 触发电极 触发电压 间隙电压 电极优化
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多间隙气体开关触发放电过程及击穿抖动 被引量：6
4
作者 丛培天 邱爱慈 +3 位作者 孙铁平 盛亮 李阳 张美 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期1303-1306,共4页
实验研究了开关闭合抖动随欠压比和脉冲触发电压的变化关系,利用紫外光纤探测器测量不同间隙放电时延,分析了放电过程对多间隙开关闭合抖动的影响,并研究采用预电离方法降低开关触发电压。实验表明:开关抖动随脉冲触发电压与欠压比的乘... 实验研究了开关闭合抖动随欠压比和脉冲触发电压的变化关系,利用紫外光纤探测器测量不同间隙放电时延,分析了放电过程对多间隙开关闭合抖动的影响,并研究采用预电离方法降低开关触发电压。实验表明:开关抖动随脉冲触发电压与欠压比的乘积增大呈指数下降趋势;当触发电压和欠压比的乘积大于33kV时,开关抖动小于5ns;乘积大于45kV时,开关抖动降到3ns以下并趋于饱和;对六间隙气体开关抖动的贡献,触发间隙占30%～40%,其余5个间隙为60%～70%;欠压比和触发电压对触发间隙击穿抖动的影响最大,对随后放电的3个间隙影响较小,对最后2个间隙几乎无影响;当欠压比大于57%时,采用预电离措施使开关的触发电压降低了10kV以上。 展开更多
关键词 气体开关 欠压比 闭合抖动 触发电压 光纤探测器
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辉光放电触发赝火花开关的时延及抖动特性 被引量：4
5
作者 秦风 常安碧 +2 位作者 丁恩燕 金晓 罗敏 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1402-1406,共5页
设计了一种辉光放电触发赝火花开关,对其时延和抖动特性进行系统研究。研究了开关时延、抖动与辉光放电电流、气压、触发电压及阳极电压的关系。当辉光放电电流小于0.30 mA时,开关无法触发导通;当电流为0.35～0.60 mA时,随辉光放电电流... 设计了一种辉光放电触发赝火花开关,对其时延和抖动特性进行系统研究。研究了开关时延、抖动与辉光放电电流、气压、触发电压及阳极电压的关系。当辉光放电电流小于0.30 mA时,开关无法触发导通;当电流为0.35～0.60 mA时,随辉光放电电流的增大,开关时延、抖动减小;当辉光放电电流为0.60 mA时,开关时延、抖动基本不变,出现饱和。当氦气气压低于6 Pa,开关难以触通,与理论计算值6.95 Pa吻合;当氦气气压为6～12 Pa时,开关的时延、抖动随气压的升高而减小;气压为12～30 Pa时,开关工作在比较稳定的状态。当触发电压小于3 kV,开关难以触通;随着触发电压的增大,开关时延、抖动减小;当触发电压大于5.3kV,开关时延、抖动基本保持不变。开关在稳定工作条件下,阳极电压在8～25 kV范围内变化时;开关时延基本不变。 展开更多
关键词 赝火花开关 时延 抖动 辉光放电电流 触发电压 阳极电压
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高压触发管导通性能分析 被引量：3
6
作者 陈勇 何承基 《电工技术》 2003年第10期53-54,共2页
介绍了一种用于脉冲功率装置中的触发管的几种工作模式,分析了影响触发管自击穿电压和触发管导通时间的各种因素。
关键词 高压触发管 导通性能 性能分析 触发电压 自击穿电压 脉冲功丰 工作模式
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新型VBO接口芯片静电放电防护器件 被引量：4
7
作者 徐泽坤 沈宏宇 +2 位作者 胡涛 李响 董树荣 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期794-800,共7页
为了改进VBO接口电路静电放电(ESD)防护器件性能,提出2种新的ESD防护器件:栅二极管与面积效率二极管触发可控硅整流器(SCR).采用SMIC 40 nm CMOS工艺与SMIC 28 nm PS CMOS工艺制备传统二极管、栅二极管、面积效率SCR;通过半导体工艺及... 为了改进VBO接口电路静电放电(ESD)防护器件性能,提出2种新的ESD防护器件:栅二极管与面积效率二极管触发可控硅整流器(SCR).采用SMIC 40 nm CMOS工艺与SMIC 28 nm PS CMOS工艺制备传统二极管、栅二极管、面积效率SCR;通过半导体工艺及器件模拟工具(TCAD)进行仿真,分析电流密度;通过传输线脉冲测试(TLP)方法,测试不同结构ESD防护器件的Ⅰ-Ⅴ特性.栅二极管的ESD鲁棒性为19.7 mA/μm,导通电阻为1.28Ω,相较于传统二极管降低了38.8%.面积效率二极管触发SCR触发电压为1.82 V,鲁棒性为48.1 mA/μm,相较于传统二极管提升了174.8%.测试结果表明,栅二极管与ASCR和传统ESD器件相比,性能有极大的提升,适合用作VBO接口芯片的ESD防护. 展开更多
关键词 静电放电(ESD) VBO 可控硅整流器(SCR) 面积效率 触发电压
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用于片上ESD防护的新型高维持电压可控硅 被引量：3
8
作者 许海龙 李浩亮 +2 位作者 刘志伟 邹望辉 陈瑞博 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第2期275-278,共4页
为解决闩锁效应,设计了一种新颖的异质结双极晶体管触发可控硅(NHTSCR)。利用异质结晶体管串联反向异质结晶体管来分流SCR的方法,抑制电导调制效应,提高了维持电压。分析了提高NHTSCR维持电压的可行性,详述工作原理,并给出实现步骤。基... 为解决闩锁效应,设计了一种新颖的异质结双极晶体管触发可控硅(NHTSCR)。利用异质结晶体管串联反向异质结晶体管来分流SCR的方法,抑制电导调制效应,提高了维持电压。分析了提高NHTSCR维持电压的可行性,详述工作原理,并给出实现步骤。基于Sentaurus TCAD的仿真结果表明,该NHTSCR的维持电压从传统器件的1.34 V提高到3.72 V,在3.3 V工作电压、0.35μm SiGe BiCMOS工艺下,有效避免了闩锁效应。 展开更多
关键词 异质结双极晶体管 晶闸管 静电放电 维持电压 触发电压
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高速小回滞双向SCR的ESD防护器件设计 被引量：3
9
作者 顾晓峰 彭宏伟 +2 位作者 梁海莲 董树荣 刘湖云 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第8期105-109,共5页
针对可控硅(SCR)结构的静电放电(ESD)防护器件触发电压高、电压回滞幅度大以及开启速度慢等问题,设计了一种RC触发内嵌PMOS DDSCR(DUT3)器件.基于0.35μm Bipolar-CMOS-DMOS工艺制备了传统DDSCR(DUT1)、内嵌PMOS DDSCR(DUT2)和DUT3三种... 针对可控硅(SCR)结构的静电放电(ESD)防护器件触发电压高、电压回滞幅度大以及开启速度慢等问题,设计了一种RC触发内嵌PMOS DDSCR(DUT3)器件.基于0.35μm Bipolar-CMOS-DMOS工艺制备了传统DDSCR(DUT1)、内嵌PMOS DDSCR(DUT2)和DUT3三种器件,利用传输线脉冲系统测试了它们的ESD特性.实验结果表明:与DUT1相比,DUT2触发电压从31.3 V下降至5.46 V,维持电压从3.59 V上升至4.65 V,具有窄小的电压回滞幅度.但是,由于DUT2内嵌PMOS常处于开态,导致DUT2器件漏电流高达10-2 A量级,不适用于ESD防护.通过在DUT2内嵌的PMOS栅上引入RC触发电路,提供固定栅压,获得的DUT3不仅进一步减小了电压回滞幅度,同时具有12.6 ns极短的器件开启时间,与DUT1相比,DUT3开启速度提高了约71.5%,漏电流稳定在10-10 A量级.优化的DUT3器件适用于高速小回滞窄ESD设计窗口低压集成电路的ESD防护. 展开更多
关键词 静电放电 双向可控硅 触发电压 开启速度 漏电流
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内嵌横向PNP晶体管的新型静电放电双向防护器件 被引量：1
10
作者 刘静 党跃栋 +1 位作者 刘慧婷 赵岩 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第23期406-414,共9页
提出一种内嵌横向PNP晶体管的静电放电(ESD)双向防护器件(PNP_DDSCR).对新结构器件在不同ESD应力模式下的响应过程以及电流输运机制进行研究,内嵌横向PNP晶体管的引入,提高了DDSCR系统内部寄生晶体管的注入效率,促进正反馈系统建立,同... 提出一种内嵌横向PNP晶体管的静电放电(ESD)双向防护器件(PNP_DDSCR).对新结构器件在不同ESD应力模式下的响应过程以及电流输运机制进行研究,内嵌横向PNP晶体管的引入,提高了DDSCR系统内部寄生晶体管的注入效率,促进正反馈系统建立,同时引入两条新的电流泄放通路,抑制电导调制效应,提高了电流泄放能力.结果表明,与传统的DDSCR器件相比,PNP_DDSCR器件在传输线脉冲(TLP)测试仿真中触发电压下降了31%,维持电压提高了16.8%,ESD设计窗口优化44.5%,具有更低的导通电阻.快速传输线脉冲(VF-TLP)测试仿真结果表明,新结构器件对瞬态过冲电压有更好的钳位能力,同时保持了较大的开启速度,在VF-TLP应力0.1 A时,PNP_DDSCR器件的过冲电压仅为DDSCR器件的37%. 展开更多
关键词 静电防护 触发电压 维持电压
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基于0.5μm BCD工艺的双向SCR结构的ESD保护设计 被引量：2
11
作者 梁海莲 董树荣 +2 位作者 顾晓峰 李明亮 韩雁 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2046-2050,共5页
针对双向可控硅(DDSCR)在特征尺寸不断缩小的集成电路中,难以达到窄小静电放电(ESD)设计窗口的ESD防护需求,设计一种PMOS内嵌型浮栅DDSCR(GFDDSCR)ESD保护器件,并基于0.5μm Bipolar-CMOSDMOS工艺进行制备.利用传输线脉冲测试研究不同... 针对双向可控硅(DDSCR)在特征尺寸不断缩小的集成电路中,难以达到窄小静电放电(ESD)设计窗口的ESD防护需求,设计一种PMOS内嵌型浮栅DDSCR(GFDDSCR)ESD保护器件,并基于0.5μm Bipolar-CMOSDMOS工艺进行制备.利用传输线脉冲测试研究不同关键尺寸的GFDDSCR的ESD特性及单位面积ESD防护能力,分析器件ESD特性随关键尺寸变化的规律,得到优化的GFDDSCR的结构参数.结果表明,与DDSCR的改进型结构(IBDSCR)相比,优化的GFDDSCR触发电压下降了27%,电压回滞幅度减小了53%,维持电压和失效电流基本不变,能够满足微纳米级集成电路窄小ESD设计窗口的需求. 展开更多
关键词 静电放电 双向可控硅 触发电压 维持电压 失效电流
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1.2MJ能源模块中两电极气体开关开通特性 被引量：2
12
作者 曾晗 李黎 +3 位作者 刘刚 胡冠 刘宁 林福昌 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期799-802,共4页
在新的强激光能源系统中,采用了一种大电荷转移量同轴结构的两电极气体开关。为了研究气体开关的开通过程,采用仿真软件ATP与PSCAD分别对该开关在开通过程中的某些特征参量对开通特性的影响进行了仿真分析和研究,提出了一种用于模拟气... 在新的强激光能源系统中,采用了一种大电荷转移量同轴结构的两电极气体开关。为了研究气体开关的开通过程,采用仿真软件ATP与PSCAD分别对该开关在开通过程中的某些特征参量对开通特性的影响进行了仿真分析和研究,提出了一种用于模拟气体开关开通过程的模型,并由此得到了触发电压与导通能量之间的关系曲线,并从中得出结论,触发能量对气体开关导通的影响不大。 展开更多
关键词 气体开关 导通模型 触发电压 导通能量
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阵列微孔阴极放电触发的纳秒脉冲开关 被引量：2
13
作者 滕亚青 刘克富 +1 位作者 邱剑 饶俊峰 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期621-624,共4页
为了实现在大气压下低触发电压的多通道放电,以阵列微孔阴极结构作为触发装置设计了一种新型纳秒脉冲开关。以激光打孔的双面环氧板为阵列微孔阴极,研究了开关工作系数、微孔阴极放电电流、微孔阴极孔数及微孔阴极孔径对开关触发电压、... 为了实现在大气压下低触发电压的多通道放电,以阵列微孔阴极结构作为触发装置设计了一种新型纳秒脉冲开关。以激光打孔的双面环氧板为阵列微孔阴极,研究了开关工作系数、微孔阴极放电电流、微孔阴极孔数及微孔阴极孔径对开关触发电压、延迟和抖动时间的影响。实验结果表明:更多的阵列微孔、100μm的微孔孔径能够降低开关的触发电压,同时高开关工作系数、大触发电流、多阵列微孔能够减少开关的延迟和抖动时间。因此,为了获得更高性能的纳秒脉冲开关,除了对开关结构的进一步改善,这几个影响开关性能的因素是设计开关时应主要考虑的。 展开更多
关键词 阵列微孔阴极放电 纳秒脉冲开关 触发电压 延迟和抖动时间 多通道放电
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基于金属蒸汽沉积影响的真空触发开关的工作性能研究 被引量：1
14
作者 周正阳 赵良 孙维真 《真空》 CAS 2017年第6期58-62,共5页
真空触发开关(triggered vacuum switch,TVS)结合了三电极火花隙技术,以真空为灭弧和绝缘介质,具有通流能力强、体积小、控制简单、环境噪声小等优点。然而上百k A的脉冲电流所产生的真空电弧对TVS工作性能的影响不可避免,特别是基于沿... 真空触发开关(triggered vacuum switch,TVS)结合了三电极火花隙技术,以真空为灭弧和绝缘介质,具有通流能力强、体积小、控制简单、环境噪声小等优点。然而上百k A的脉冲电流所产生的真空电弧对TVS工作性能的影响不可避免,特别是基于沿面击穿产生初始等离子体的触发极。本文分析了影响TVS工作性能的多种因素,包括触发电压电流、主间隙金属蒸汽沉积以及超大电流真空电弧的烧蚀,认为金属蒸汽沉积是影响额定工况下TVS性能的主要因素,同时提出此影响下TVS触发电压、触发时延等性能参数的变化趋势。 展开更多
关键词 真空触发开关 金属蒸汽沉积 真空电弧 触发电压
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高压SOI工艺SCR ESD保护器件研究 被引量：1
15
作者 陈富涛 陶绪友 季惠才 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第5期355-360,共6页
针对ESD保护器件SCR的维持电压和触发电压难以调整的问题,设计了一种SCR版图形式,这种新型的SCR版图形式可以将维持电压和触发电压进行最优化的调整,同时不改变原有的高压工艺的特点。从而解决了在高压ESD保护领域,使用SCR做ESD保护器... 针对ESD保护器件SCR的维持电压和触发电压难以调整的问题,设计了一种SCR版图形式,这种新型的SCR版图形式可以将维持电压和触发电压进行最优化的调整,同时不改变原有的高压工艺的特点。从而解决了在高压ESD保护领域,使用SCR做ESD保护器件容易引入闩锁效应的问题,是目前高压ESD保护领域较好的解决方案。 展开更多
关键词 静电放电 可控硅整流元件 维持电压 触发电压
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一种新颖的触发电路
16
作者 何兴隆 李久威 《河南广播电视大学学报》 1994年第Z1期49-50,共2页
一种新颖的触发电路何兴隆，李久威１、问题的提出晶闸管具有效率高、控制特性好、寿命长等优点。它横跨“电力”、“电子’与“控制”三个领域，是联系强电与弱电的桥梁。晶闸管的应用已日益遍及到生产与民用的各个方面。在５０安以下... 一种新颖的触发电路何兴隆，李久威１、问题的提出晶闸管具有效率高、控制特性好、寿命长等优点。它横跨“电力”、“电子’与“控制”三个领域，是联系强电与弱电的桥梁。晶闸管的应用已日益遍及到生产与民用的各个方面。在５０安以下晶闸管的中小功率系统中，常用单结晶... 展开更多
关键词 触发电路 晶闸管控制 中小功率 电时间常数 交流电源 触发电压 大功率晶闸管 维持电流 半波整流电路 正向电压
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大电流冲击放电装置的同步运行实验研究
17
作者 崔岳峰 文松林 《沈阳工业学院学报》 2003年第2期12-15,共4页
在实验测量取得了触发脉冲波形和间隙开关动作特性等参数的基础上 ,分别对由两个间隙开关及三个间隙开关组成并联系统的大电流冲击放电装置进行了同步运行实验 .对系统的同步状况进行了测量和分析 ,研究了工作电压和触发电压对系统同步... 在实验测量取得了触发脉冲波形和间隙开关动作特性等参数的基础上 ,分别对由两个间隙开关及三个间隙开关组成并联系统的大电流冲击放电装置进行了同步运行实验 .对系统的同步状况进行了测量和分析 ,研究了工作电压和触发电压对系统同步的影响 。 展开更多
关键词 大电流冲击放电装置 同步运行实验 间隙开关 工作电压 触发电压 工作原理 充电回路 触发回路 放电回路 测量回路 冲击电流 隔离间隙
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一种静电保护用低触发电压PMTSCR器件 被引量：1
18
作者 廖昌俊 黄秋培 +3 位作者 何明昊 王鑫 郑童文 刘继芝 《微电子学》 CAS 北大核心 2021年第4期587-591,共5页
提出了一种用于静电放电(ESD)保护的PMOS器件触发SCR器件(PMTSCR)。PMTSCR器件的开启由寄生PMOS的沟道长度、SCR器件寄生阱电阻RPW和RNW决定。器件具有触发电压低的优点。实验结果表明,通过调整PMTSCR器件的结构参数,相比于传统低电压触... 提出了一种用于静电放电(ESD)保护的PMOS器件触发SCR器件(PMTSCR)。PMTSCR器件的开启由寄生PMOS的沟道长度、SCR器件寄生阱电阻RPW和RNW决定。器件具有触发电压低的优点。实验结果表明,通过调整PMTSCR器件的结构参数,相比于传统低电压触发SCR器件(LVTSCR),PMTSCR器件的触发电压由6.3 V下降到4.4 V,触发电压减少30%,同时器件的ESD漏电流保持不变。 展开更多
关键词 静电放点 可控硅整流器 触发电压
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一种低触发电压的两级防护SCR器件
19
作者 张英韬 朱治华 +7 位作者 范晓梅 毛盼 宋彬 许杞安 吴铁将 陈睿科 王耀 刘俊杰 《微电子学》 CAS 北大核心 2022年第1期104-108,共5页
提出了一种用于降低触发电压的两级防护SCR(TSPSCR)。在传统LVTSCR中植入P-ESD层,增设额外的二极管。因为P-ESD层的掺杂浓度较高,该器件能更早发生雪崩击穿而触发第一级泄流路径,从而开启第二级泄流路径。Sentaurus TCAD仿真结果表明,... 提出了一种用于降低触发电压的两级防护SCR(TSPSCR)。在传统LVTSCR中植入P-ESD层,增设额外的二极管。因为P-ESD层的掺杂浓度较高,该器件能更早发生雪崩击穿而触发第一级泄流路径,从而开启第二级泄流路径。Sentaurus TCAD仿真结果表明,该器件的触发电压从传统器件的10.59 V降低至4.12 V,维持电压为1.25 V,1 V直流电压下漏电流仅为7.85 nA。优化后的TSPSCR适用于先进1 V工作电压的电路中。 展开更多
关键词 ESD SCR 两级防护 触发电压 漏电流
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900kW交流提升机动力制动故障解决方案
20
作者 张博 《自动化应用》 2013年第9期21-22,共2页
针对重庆泰丰交流提升机动力制动系统的故障,分析原因,并结合实际情况给出相应的解决、维修措施,确保动力制动安全投入、稳定运行。
关键词 可控硅 触发电压 触发电流 动力制动 电源开关模块 自整角机
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