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大功率半导体开关RSD触发导通特性的实验研究
被引量：
3
1
作者
周竞之
王海洋
+3 位作者
何小平
陈维青
郭帆
邱爱慈
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2012年第10期176-181,共6页
大功率半导体开关RSD是目前通流能力最强的半导体开关之一,它具有电流上升率高、导通损耗小的特点。触发参数是影响RSD导通状况的主要因素之一;本文通过实验研究了不同触发电流脉宽、幅值对RSD导通状况的影响,得出了2μs、1μs、500ns和...
大功率半导体开关RSD是目前通流能力最强的半导体开关之一,它具有电流上升率高、导通损耗小的特点。触发参数是影响RSD导通状况的主要因素之一;本文通过实验研究了不同触发电流脉宽、幅值对RSD导通状况的影响,得出了2μs、1μs、500ns和250ns四种触发脉宽下RSD峰值导通压降随触发电荷量的变化曲线,分析了250ns触发脉宽下RSD导通不充分的原因,实验结果表明临界触发电荷量计算公式中比例系数随触发脉宽增加而增大。
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关键词
反向
导
通
双极晶闸管
触发
导
通
特性
磁开关
触发
电荷量
峰值
导
通
压降
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职称材料
题名
大功率半导体开关RSD触发导通特性的实验研究
被引量：
3
1
作者
周竞之
王海洋
何小平
陈维青
郭帆
邱爱慈
机构
西北核技术研究所
出处
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2012年第10期176-181,共6页
基金
国家高技术研究发展计划资助项目
文摘
大功率半导体开关RSD是目前通流能力最强的半导体开关之一,它具有电流上升率高、导通损耗小的特点。触发参数是影响RSD导通状况的主要因素之一;本文通过实验研究了不同触发电流脉宽、幅值对RSD导通状况的影响,得出了2μs、1μs、500ns和250ns四种触发脉宽下RSD峰值导通压降随触发电荷量的变化曲线,分析了250ns触发脉宽下RSD导通不充分的原因,实验结果表明临界触发电荷量计算公式中比例系数随触发脉宽增加而增大。
关键词
反向
导
通
双极晶闸管
触发
导
通
特性
磁开关
触发
电荷量
峰值
导
通
压降
Keywords
Reversly switched-on dynistor
triggering and conducting characteristic
magnetic switch
trigger charge
peak switching voltage
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
TN78
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
大功率半导体开关RSD触发导通特性的实验研究
周竞之
王海洋
何小平
陈维青
郭帆
邱爱慈
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2012
3
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