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环栅肖特基势垒MOSFET解析电流模型
被引量：
1
1
作者
许立军
张鹤鸣
杨晋勇
《四川大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期553-556,共4页
肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor FieldEffect Transistor,MOSFET)的电流一般需要通过载流子的费米狄拉克分布对能量积分来计算或自洽迭代数值计算,为降低其复杂性,本文采用若干拟合参数,考虑镜像力...
肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor FieldEffect Transistor,MOSFET)的电流一般需要通过载流子的费米狄拉克分布对能量积分来计算或自洽迭代数值计算,为降低其复杂性,本文采用若干拟合参数,考虑镜像力势垒降低效应、偶极子势垒降低效应和小尺寸下量子化效应对肖特基势垒高度的影响,给出了环栅肖特基势垒MOSFET一种新的解析电流模型。所提出的电流模型与文献报道实验数据符合较好,验证了模型的正确性,对环栅肖特基势垒MOSFET器件以及电路设计提供了一定的参考价值.
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关键词
金属氧化物半导体场效应晶体管
解析
电流
模型
拟合
肖特基势垒
环栅
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职称材料
题名
环栅肖特基势垒MOSFET解析电流模型
被引量：
1
1
作者
许立军
张鹤鸣
杨晋勇
机构
西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室
北京精密机电控制设备研究所
出处
《四川大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期553-556,共4页
文摘
肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor FieldEffect Transistor,MOSFET)的电流一般需要通过载流子的费米狄拉克分布对能量积分来计算或自洽迭代数值计算,为降低其复杂性,本文采用若干拟合参数,考虑镜像力势垒降低效应、偶极子势垒降低效应和小尺寸下量子化效应对肖特基势垒高度的影响,给出了环栅肖特基势垒MOSFET一种新的解析电流模型。所提出的电流模型与文献报道实验数据符合较好,验证了模型的正确性,对环栅肖特基势垒MOSFET器件以及电路设计提供了一定的参考价值.
关键词
金属氧化物半导体场效应晶体管
解析
电流
模型
拟合
肖特基势垒
环栅
Keywords
Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
Analytical drain current model
Fit
Schot-tky barrier
Surrounding-gate
分类号
TN432.1 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
环栅肖特基势垒MOSFET解析电流模型
许立军
张鹤鸣
杨晋勇
《四川大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2017
1
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职称材料
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