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GaN(0001)表面的电子结构研究 被引量：13
1
作者 谢长坤 徐法强 +3 位作者 邓锐 徐彭寿 刘凤琴 K.Yibulaxin 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期2606-2611,共6页
报道了纤锌矿WZ(wurtzite)GaN(0 0 0 1)表面的电子结构研究 .采用全势线性缀加平面波方法计算得到了GaN分波态密度 ,与以前实验结果一致 .讨论了Ga3d对GaN电子结构的影响 .利用同步辐射角分辨光电子能谱技术研究了价带电子结构 .通过改... 报道了纤锌矿WZ(wurtzite)GaN(0 0 0 1)表面的电子结构研究 .采用全势线性缀加平面波方法计算得到了GaN分波态密度 ,与以前实验结果一致 .讨论了Ga3d对GaN电子结构的影响 .利用同步辐射角分辨光电子能谱技术研究了价带电子结构 .通过改变光子能量的垂直出射谱勾画沿ΓA方向的体能带结构 ,与计算得到的能带结构符合得较好 .根据沿ΓK和ΓM方向的非垂直出射谱 。 展开更多
关键词 GAN 角分辨光电发射 全势线性缀加平面波 电子结构 能带结构 氮化镓 半导体材料 晶体生长
原文传递
Ordered and Abrupt fcc Fe／Cu{111}Interface Observed with Angle—Resolved Photoemission
2
作者 任万万 董宇辉 等 《同步辐射装置用户科技论文集》 1998年第1期106-108,共3页
关键词 铁/铜界面 电子结构 角分辨光电发射管 FCC 流化床裂化催化剂
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