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衬底负偏压对溅射Ta_2O_5薄膜晶化温度及介电性能的影响
1
作者 许仕龙 朱满康 +2 位作者 黄安平 王波 严辉 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期701-704,共4页
采用磁控溅射法,在衬底温度为620℃时,通过引入合适的衬底负偏压(100～200V),获得了结晶良好的Ta_2O_5薄膜,衬底负偏压增强了正离子对衬底表面的轰击作用,加速了其在衬底表面的松弛扩散效应,从而降低了Ta_2O_5薄膜的晶化温度,改善了其... 采用磁控溅射法,在衬底温度为620℃时,通过引入合适的衬底负偏压(100～200V),获得了结晶良好的Ta_2O_5薄膜,衬底负偏压增强了正离子对衬底表面的轰击作用,加速了其在衬底表面的松弛扩散效应,从而降低了Ta_2O_5薄膜的晶化温度,改善了其结晶性。同时,C—V测试结果表明:衬底负偏压进一步改善了Ta_2O_5薄膜的介电性能. 展开更多
关键词 TA2O5 介电薄膜 晶化温度 衬底负偏压
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衬底负偏压增强金刚石成核机制的研究进展 被引量：2
2
作者 王必本 王万录 +1 位作者 廖克俊 肖金龙 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期44-45,共2页
综述了近几年来对衬底负偏压增强金刚石成核机制的研究,并且对各种机制进行了分析和讨论,提出了今后有待研究的问题。
关键词 衬底负偏压 成核机制 金刚石薄膜 化学气相沉积
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偏压及测试环境对离子束DLC膜摩擦学行为的影响 被引量：2
3
作者 赵博通 代伟 +1 位作者 柯培玲 汪爱英 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期510-514,共5页
采用线性阳极层离子束技术制备了类金刚石薄膜(DLC膜),研究了不同衬底负偏压和测试环境对DLC薄膜摩擦学性能的影响.结果表明:在-50V偏压下,薄膜硬度和弹性模量最大,这主要与薄膜中高的sp3含量相关;衬底负偏压对薄膜在室温大气条件下的... 采用线性阳极层离子束技术制备了类金刚石薄膜(DLC膜),研究了不同衬底负偏压和测试环境对DLC薄膜摩擦学性能的影响.结果表明:在-50V偏压下,薄膜硬度和弹性模量最大,这主要与薄膜中高的sp3含量相关;衬底负偏压对薄膜在室温大气条件下的摩擦学性能影响不显著,薄膜总体呈现较低的摩擦系数和磨损率,显示出优异的抗磨损性能;线性离子束制备的含氢DLC薄膜的摩擦学行为受湿度及环境气氛影响较大,归因于环境中的氧气和水分造成的摩擦化学反应. 展开更多
关键词 阳极层离子源 DLC 衬底负偏压 摩擦学行为
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衬底负偏压对Ni-Mn-Ga形状记忆薄膜成分及形貌的影响 被引量：1
4
作者 杨利斌 柴跃生 +2 位作者 张敏刚 陈峰华 张凯 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第9期21-23,30,共4页
采用能谱仪（EDS）和原子力显微镜（AFM）对不同衬底负偏压下射频磁控溅射法制备的Ni—Mn-Ga形状记忆薄膜进行了成分和形貌的分析。研究发现：当衬底负偏压在5～30V范围变化时，薄膜中的Ni含量随偏压的增加呈先减少后增加的趋势，在偏压... 采用能谱仪（EDS）和原子力显微镜（AFM）对不同衬底负偏压下射频磁控溅射法制备的Ni—Mn-Ga形状记忆薄膜进行了成分和形貌的分析。研究发现：当衬底负偏压在5～30V范围变化时，薄膜中的Ni含量随偏压的增加呈先减少后增加的趋势，在偏压为10V时，达到最小值52．84％（摩尔分数，下同）.Ga含量的变化趋势恰好与Ni相反，且在偏压为10V时达到最大值29．85％，而Mn含量变化不大，保持在17．00％左右；薄膜呈典型岛状（Volmer-Weber）模式生长，表面颗粒尺寸和均方根粗糙度都随衬底负偏压的增加而减小。 展开更多
关键词 NI-MN-GA 薄膜 衬底负偏压
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衬底负偏压及溅射功率对SiO_2/Cu薄膜形貌的影响
5
作者 田小丽 张敏刚 陈峰华 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第2期86-89,共4页
采用射频磁控溅射镀膜技术,分别以不同的衬底负偏压和射频溅射功率下在p型Si(100)基片上制备了SiO2/Cu薄膜。用原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面形貌进行扫描分析,实验结果表明,衬底负偏压和射频溅射功率对SiO2/Cu薄膜的表面形貌都有显著... 采用射频磁控溅射镀膜技术,分别以不同的衬底负偏压和射频溅射功率下在p型Si(100)基片上制备了SiO2/Cu薄膜。用原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面形貌进行扫描分析,实验结果表明,衬底负偏压和射频溅射功率对SiO2/Cu薄膜的表面形貌都有显著的影响。衬底负偏压在0～15 V内,薄膜表面颗粒尺寸和均方根粗糙度都随着衬底负偏压的增大呈减小的趋势,而溅射功率在100～200 W内,薄膜表面颗粒尺寸和均方根粗糙度都随溅射功率的升高呈增大的趋势。成膜初期是层状生长模式,后期为岛状生长模式,整个成膜过程是典型的层岛生长模式。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 衬底负偏压 溅射功率 薄膜 形貌
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电气和电子工程用材料科学
6
《中国无线电电子学文摘》 2000年第3期3-5,共3页
关键词 BN薄膜 立方氮化硼薄膜 内应力 材料科学 衬底负偏压 硬质合金 高能离子束 薄膜质量 单晶硅片 实际应用
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