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高迁移率GaAs外延片制备的研究
1
作者
王林海
袁炳辉
+1 位作者
付浚
陆永庆
《河北工学院学报》
1995年第2期76-79,共4页
提出了在ＧａＡｓ液相外延过程中，采用生长高纯度缓冲层、高温烘烤生长系统以及回熔衬底片等工艺，获得具有电参数ｎ＝１０１６～１０１７ｃｍ－３，μ＝４～５×１０３ｃｍ２／ｖ·ｓ（３００Ｋ）的ＧａＡｓ液相外延片．总结...
提出了在ＧａＡｓ液相外延过程中，采用生长高纯度缓冲层、高温烘烤生长系统以及回熔衬底片等工艺，获得具有电参数ｎ＝１０１６～１０１７ｃｍ－３，μ＝４～５×１０３ｃｍ２／ｖ·ｓ（３００Ｋ）的ＧａＡｓ液相外延片．总结出生长高迁移率ＧａＡｓ外延片的制备方法．
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关键词
液相外延
烘烤
衬底
回
熔
缓冲层
砷化镓
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职称材料
题名
高迁移率GaAs外延片制备的研究
1
作者
王林海
袁炳辉
付浚
陆永庆
机构
天津红桥职大
出处
《河北工学院学报》
1995年第2期76-79,共4页
文摘
提出了在ＧａＡｓ液相外延过程中，采用生长高纯度缓冲层、高温烘烤生长系统以及回熔衬底片等工艺，获得具有电参数ｎ＝１０１６～１０１７ｃｍ－３，μ＝４～５×１０３ｃｍ２／ｖ·ｓ（３００Ｋ）的ＧａＡｓ液相外延片．总结出生长高迁移率ＧａＡｓ外延片的制备方法．
关键词
液相外延
烘烤
衬底
回
熔
缓冲层
砷化镓
Keywords
Liquid phase epitaxy
Electron mobility
High temperature baking
Substrate remelting
Buffer layer.
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高迁移率GaAs外延片制备的研究
王林海
袁炳辉
付浚
陆永庆
《河北工学院学报》
1995
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