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题名高数值孔径光刻成像中双层底层抗反膜的优化
被引量：3
- 1
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作者
周远
李艳秋
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机构
中国科学院电工研究所
北京理工大学
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出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期472-477,共6页
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基金
国家自然科学基金(10674134)
教育部长江学者和创新研究团队计划(PCSIRT)
国家973计划(2003CB716204)资助课题
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文摘
在高数值孔径光学光刻中,成像光入射角分布在较大范围内,传统的单底层抗反膜不足以控制抗蚀剂-衬底界面反射率(衬底反射率)。考虑照明光源形状以及掩模的影响,提出了一种新的双层底层抗反膜优化方法,依据各级衍射光光强求衬底反射率的最小权重平均值来配置膜层。针对传统掩模、衰减相移掩模以及交替相移掩模的情况,用该方法优化双层底层抗反膜。结果表明,如果成像时进入物镜光瞳的高阶光越多,高阶光光强越大,则掩模对底层抗反膜优化的影响越大。在某些成像条件下,如使用交替相移掩模实现成像,有必要在底层抗反膜优化中考虑掩模的影响。
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关键词
光学光刻
衬底反射率
底层抗反膜(BARC)
高数值孔径
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Keywords
optical lithography
substrate reflectivity
bottom antireflective coatings （BARC）
hyper-numerical aperture
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分类号
TN305.8
[电子电信—物理电子学]
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题名高数值孔径光刻中衬底反射率的控制
被引量：1
- 2
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作者
周远
刘安玲
刘光灿
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机构
长沙学院电子与通信工程系
长沙学院光电信息技术创新团队
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出处
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期730-736,共7页
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基金
长沙学院引进人才科研启动基金(SF080102)
长沙学院光电信息技术创新团队科研基金资助项目(10700-99008)
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文摘
高数值孔径(N4)光刻中,需要控制衬底反射率以减小薄膜干涉对光刻性能的影响。采用薄膜光学方法研究了高NA光刻中底层抗反膜(BARC)对衬底反射率的控制。针对硅基底对单层和双层BARC进行优化以探索满足高NA光刻要求的BARC材料光学参数容限。结果表明,当NA超过0.8时,单层BARC无法控制衬底反射率而有必要采用双层BARC。横电(TE)比横磁(TM)偏振光的衬底反射率更难以控制。NA越大,单层BARC折射系数的优化值越大。双层BARC中的顶层膜应采用低吸收率材料而底层膜应采用高吸收率材料。本研究可为高NA光刻中的BARC材料研制及衬底反射率控制提供理论依据。
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关键词
薄膜光学
衬底反射率
底层抗反膜优化
高数值孔径光刻
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Keywords
thin film optics
substrate reflectivity
bottom antireflection coating optimization
hyper-numerical-aperture lithography
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分类号
TN305.8
[电子电信—物理电子学]
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