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Alq_3/ITO结构的表面和界面电子状态的XPS研究 被引量：2
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作者 郑代顺 李海蓉 +1 位作者 王延勇 张福甲 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期351-356,共6页
用传统的真空蒸镀法制备了Ａｌｑ３／ＩＴＯ样品，并用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）研究了Ａｌｑ３／ＩＴＯ紧密接触的表面和界面电子化学状态。对Ａｌｑ３／ＩＴＯ样品的表面分析表明，在ｌｑ３分子中，Ａｌ原子的束缚能（Ｅｂ）为７０．７... 用传统的真空蒸镀法制备了Ａｌｑ３／ＩＴＯ样品，并用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）研究了Ａｌｑ３／ＩＴＯ紧密接触的表面和界面电子化学状态。对Ａｌｑ３／ＩＴＯ样品的表面分析表明，在ｌｑ３分子中，Ａｌ原子的束缚能（Ｅｂ）为７０．７ｅＶ和７５．１ｅＶ。分别对应于Ａｌ（０）和Ａｌ（Ⅲ）态，Ｃ原子的束缚能为２８５．８ｅＶ、２８６．３ｅＶ和２８６．８ｅＶ，分别对应于Ｃ－Ｃ、Ｃ－Ｏ和Ｃ－Ｎ键；Ｎ原子的主峰位于 ４０１．０ｅＶ，对应于 Ｃ－Ｎ＝Ｃ键；而 Ｏ原子主要与 Ｈ原子成键，其束缚能为５３２．８ｅＶ。为了研究Ａｌｑ３／ＩＴＯ的界面电子状态，我们用氩离子束对样品表面进行了溅射剥蚀，当溅射时间分别为３０，３５，４５分钟时进行ＸＰＳ采谱分析。结果表明，随着氩离子束溅射时间增长，Ａｌ２ｐ、Ｃ１ｓ、Ｎ１ｓ、Ｏ１ｓ、Ｉｎ３ｄ５／２和Ｓｎ３ｄ５／２峰都向低束缚能方向有微小移动，且Ａｌ２ｐ、Ｃ１ｓ和Ｎ１ｓ峰变弱，这是受ＩＴＯ中扩散进入Ａｌｑ３层的Ｏ、Ｉｎ和Ｓｎ原子的影响所致。 展开更多
关键词 Alq3/ITO XPS 结构 表面电子状态 界面电子状态 电致发光器件 8-羟基喹啉铝 发光材料
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